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在离子模型下通过改进总能计算,探讨了YBa2Cu4O8超导体中可能的空穴分布,结果表明在顶角氧上有较多的空穴,与光谱实验表明空穴具有氧的特征相符。类似地我们计算了在有压强的情况下的空穴分布,通过与零压的情形比较,发现空穴的迁移并不明显。 相似文献
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采用金属有机物化学气相沉积方法生长得到具有不同Mg掺杂浓度InxGa1-xN (0≤x≤0.3)外延材料样品. 对样品的电学特性和光学特性进行了系统的研究. 研究发现:在固定Mg掺杂浓度下,随In组分的提高,样品空穴浓度显著提高,最高达2.4×1019cm-3,Mg的活化效率提高了近两个数量级;通过对Mg掺杂InGaN(InGaN:Mg)样品的光致发光(PL)谱的分析,解释了InGaN:Mg样品的载流子跃迁机理,并确定了样品中Mg受主激活能和深施主能级的位置.
关键词:
Mg掺杂InGaN
高空穴浓度
光致发光
金属有机物化学气相沉积 相似文献
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2007年5月,加拿大Sherbrooke大学的Doiron-Leyraud等报道了他们对YBCO高温超导体正常态所做出的电子结构研究(Nature,2007,447:565):空穴欠掺杂YBCO的Fermi面由4个小口袋组成,它们以c轴为对称分布. 相似文献
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Eu2+掺杂浓度对BAM光谱特性的影响 总被引:1,自引:1,他引:1
采用燃烧法在低温成功合成了纳米Ba1-xMgAl10O17:xEu2 (0.05≤x≤0.4)蓝色荧光粉,着重研究了Eu2 掺人量对荧光粉光谱特性的影响.利用XRD和SEM对材料的物相和形貌进行了分析,采用荧光光谱仪测定了样品的发光特性.结果表明,合成的产物为纯相,且颗粒细小、分布均匀,平均粒径约30 nm.Eu2 的掺杂浓度对样品的发光性能有显著的影响,随Eu2 浓度增大,发光中心增多,Eu2 离子间相互作用增强,能量传递加快,发光强度逐渐增大.当Eu2 浓度为x=0.2时,能量传递速率与发射速率相等,Euz 的发光达到最大值;此后,随Eu2 的浓度进一步增加,Eu2 之间的能量传递速率将超过发射速率,Eu2 还未将光发射出去就发生能量的传递,使激发能通过晶格的迁移而消耗,呈现浓度猝灭特性. 相似文献
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采用顶部籽晶熔渗方法(TSIG)制备出直径为20mm的系列单畴YBCO块材,样品的成分为Y2Ba4CuZrOy(YZr2411):(Y2O3+1.2BaCuO2)=x:(1-x),其中,x=0、2、4、6、8、10,单位为wt%,并研究了不同掺杂量对块的表面形貌,磁悬浮力和微观结构的影响.结果表明,样品的表面形貌与YZr2411的掺杂量密切相关,当x≤2wt%时样品表面光滑且有明显的单畴性;当x≥4wt%时表面出现条形花纹.当x增大到8wt%以上时,样品就不能再保持原有的圆柱体形貌,而是向柱体外侧突出成四个扇瓣状.样品的磁悬浮力随着x增大先增大后减小,当x=6wt%时磁悬浮力最大为35.8N.样品显微结构表明,通过这种方法可以在YBCO超导块中引入纳米量级的YZr2411粒子,这些纳米粒子能够有效地提高YBCO超导材料的磁通钉扎能力. 相似文献
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掺杂Mn2+的浓度对CdS纳米颗粒光致发光的影响 总被引:2,自引:2,他引:0
赵普琴 《原子与分子物理学报》2006,23(6):1117-1122
采用反胶束法,合成了硅土包裹的掺有不同浓度的Mn2 的CdS纳米颗粒.高分辨电镜表明这些颗粒的直径小于5 nm.仅仅改变Mn2 的掺杂浓度,研究了这些颗粒的光致发光谱和光致发光激发谱,结果表明:Mn2 浓度的大小对掺杂CdS纳米颗粒的发光产生了重要的影响.通过电子顺磁共振谱的测量和分析揭露了Mn2 浓度影响这些掺杂颗粒发光效率的原因. 相似文献
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本文通过自洽地求解薛定鄂方程及泊松方程计算了在温度T=0, 有效质量近似下, Si均匀掺杂的GaAs/AlGaAs量子阱系统的电子态结构. 研究了掺杂浓度及掺杂层厚度对子带能量, 本征包络函数, 自洽势, 电子密度分布, 及费米能量的影响. 发现在给定掺杂浓度下, 子带能量随掺杂层厚度的增加单调递减, 自洽势的势阱变宽变浅, 电子密度分布变宽, 峰值变低; 在给定掺杂层厚度下, 随掺杂浓度的增加子带能量及费米能级单调递增, 自洽势阱变深变陡变窄, 电子密度分布的峰值变高, 集中在中心.
关键词:
掺杂
量子阱
电子结构
半导体GaAs 相似文献
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对YBa2Cu3-xFexOy(x=00,01,02 )和YBa2Cu2.8Fe0.2Oy(y=705—653 )系列样品的氧含量、霍尔系数和超导电性进 行了系统的研究.结果表明,氧含量的变化对样品中载流子的输运和转移及超导电性有重要 影响;适当增加氧含量可以减缓Cu(1)位元素替代对超导转变温度Tc的抑制;在 CuO2面上参与输运的载流子(空穴)浓度是影响样品超导电性的关键因素.从电 荷转移模型出发 ,结合掺杂离子引起的载流子局域化和离子团簇效应,对载流子浓度随掺杂量和氧含量的变 化从微观结构方面进行了讨论.元素替代量的增加或者氧含量的降低(相同替代量的情况下 )都将导致Cu-O链区的有效氧空位增多,导致替代元素的离子团簇效应和载流子局域化效应 趋于增强,这是引起参与输运的载流子浓度下降,进而导致Tc降低的主要原因.
关键词:
氧含量
霍尔系数
载流子局域化
离子团簇效应 相似文献
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Ni掺杂浓度对硅纳米线光电性质的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
利用基于密度泛函理论的第一性原理,对不同直径和浓度Ni掺杂硅纳米线的形成能、能带结构、态密度和光学性质进行了计算,结果表明:杂质Ni的形成能随硅纳米线直径的减小和掺杂浓度的降低而下降,这说明直径越大的硅纳米线掺杂越困难,杂质浓度越高的硅纳米线越不稳定. Ni掺杂在费米能级附近及带隙中引入杂质能级,其主要来自Ni的3d轨道,杂质能级扩展成杂质带,改变Ni的掺杂浓度可改变硅纳米线的带隙,改善其导电性. 另外,还发现掺杂浓度明显改变了硅纳米线的吸收强度和宽度. 相似文献