AndersonS－D混合效应与低温杂质电阻及Magnetoresistance

本文利用Ａｎｄｅｒｓｏｎｓ－ｄ混合模型，在磁解与非磁解情况下，研究了ｓ－ｄ混合效应对低温杂质电阻的贡献及Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ．     

磁性杂质效应与稀磁合金中的低温电阻和热导率

本文基于Ａｎｄｅｒｓｏｎｓｄ混合作用和ｓｄ交换作用，利用Ｇｒｅｅｎ函数方法，定量地研究了磁性杂质效应在充分低的温度下，对稀磁合金中低温电阻和热导率的影响．由此得知，ｓｄ混合效应和ｓｄ交换效应所引起的电阻按温度的平方律减小，且ｓｄ交换效应所引起的低温电阻随温度的平方律减小的更快，同时热导率随温度的升高而变大．     

s—d系统的统一模型与稀磁合金低温杂质电阻的特性

本文基于ｓｄ混合效应与ｓｄ交换效应（包括ＲＫＫＹ关联效应）的统一模型，利用格林函数方法，研究了稀磁合金低温杂质电阻的特性，合理地解释了ｓｄ系统中，ｓｄ混合模型、ｓｄ交换模型及ＲＫＫＹ关联模型各单一的物理效应     

薄膜Pt电阻温度计的标定及低温磁阻

本对薄膜铂电阻温度计一４．５Ｋ－２５０Ｋ温区及０－５Ｔ纵向磁场下的进行标定，并对其在Ｔ〈５０Ｋ的磁阻效应进行了讨论。实验曲线细致光滑，实验数据表明它在低温下仍有一定测温灵敏度，如在１０Ｋ时每度仍有十几微伏的变化。     

稀土金属低温电阻与s—f交换作用

本文考虑４ｆ壳层未填满的稀土金属的ｓ－ｆ交换作用，利用Ｆｅｙｎｍａｎ图方法，讨论了传统的电子－声子耦合与ｓ－ｆ交换作用的影响，并定量地估计了ｓ－ｆ交换作用与电子－电子交换作用对声子电阻的影响。     

电阻应变效应与电阻应变式传感器

 电阻应变式传感器是直接利用电阻应变片将应变转化为电阻变化的传感器,具有灵敏度高、稳定性好等优点,因此广泛应用于力矩、压力、加速度、重量等测量领域。一、电阻应变效应外力作用于金属或半导体材料,使其发生机械变形,此时金属或半导体材料的电阻值就会随之发生变化,这种现象称为“电阻应变效应”。对于一根金属电阻丝,设其电阻率为ρ、长度为l、横截面积为S,则在未受力时,金属电阻丝的原始电阻为R=ρl/S。当金属电阻丝受到拉力作用时将伸长dl,横截面积相应减少dS,电阻率改变dρ,从而引起金属电阻的变化dR=ρdl/S+ldρ/S-ρldS/S2。     

低温下固体接触热阻与接触电阻的实验研究

在低温工程中,两个接触固体之间存在着接触热阻与接触电阻,将对低温实验中热量及电流的传输产生显著的影响,是进行低温下物性研究的关键。自行研制了一套可同步实现固体接触热阻和接触电阻的测量装置,该系统具有较高的精度,可实现外界力、温度等对接触热阻的测量,同时具备接触电阻的实时测量功能。在此基础上,开展了外界压力、温度、电流对接触热阻和接触电阻的实验研究。实验结果显示:随着压力的增大,接触热阻与接触电阻随之减小;低温下,随着温度的增大接触热阻与接触电阻增大,接触电阻增大的速率要比接触热阻快。温度平衡时,20mA范围内的电流变化对接触电阻的影响显著,对接触热阻影响非常小。当界面温度达到室温后,首次观测到接触热阻和接触电阻会随着温度的增大而减小。     

重电子金属CeCu(6-x)Nix低温电阻与比热的研究

测量了重电子金属CeCu6-xNix(x=0,005,01,015,02)01K—250K的低温电阻和5K—70K低温比热,发现样品电阻的极大值温度随着掺Ni含量的增大而急剧下降,这一现象反映少数与Ni邻近的Ce离子在极低温下磁矩的加强和整个Ce离子点阵对导电电子相干散射的减弱.与此相反,低温电子比热系数γ在较低温度下近于常数,而在8K附近因有效质量变大而明显上升,但γ明显上升的温度,对Ni的含量却不敏感,表明绝大部分Ce离子的状况并未受到影响 关键词： 重费米子系统 低温比热 低温电阻     

内预冷顺磁盐绝热去磁装置和国产RS-11型实芯碳电阻的极低温电阻特性

本文描述了一套内预冷顺磁盐绝热去磁装置,达到的最低温度为65mK,从136mK升温到156mK的时间为3小时,平均升温速度为7mK/小时。用这套装置测量了国产RS-11型实芯碳电阻的极低温电阻-温度特性,结果表明,不同室温名义阻值的RS-11型碳电阻可作为不同极低温温区的电阻温度计使用。     

渗碳陶瓷低温温度传感器磁致电阻效应研究

通过对渗碳陶瓷低温温度传感器在0—16T磁场环境、2—320K温区的磁致电阻效应研究,以及与Cernox磁效应的对比分析,得到以下实验结果:在2—10K,渗碳陶瓷磁效应变化比较明显,随温度的降低而升高,随场强近似正系数线性变化,且温度越低,变化率越大;在2—10K,渗碳陶瓷由磁阻引起的误差为负误差,且场强越高,误差越大,误差随温度出现了近似V字形的变化,在7K处误差到达了最高值,16T、7K处的误差为-0.877K;在2—14K,渗碳陶瓷磁效应明显比CX-1050大,在50—300K渗碳陶瓷磁效应比CX-1050小。     

通过Hα／Dα及杂质辐射研究HL—1等离子体特体

利用石英光纤光导，ＷＤＳ－３单色仪和光电倍增管等构成的８道光电系统，通过观察Ｈα／Ｄα及杂质的辐射，研究了在低温杂波电流驱动、电子回旋共振热、氩弹丸注入、孔栏加偏压及补送氦气等不同放电条件下的ＨＬ－１托卡马克等离子体的特体，并得到了较好的结果。     

用于量子电阻测量超导磁体及低温系统的研制

介绍一种用于量子电阻测量的超导磁体及低温系统设计和研制.采用一台G-M制冷机为冷源,一部分冷量采用传导冷却的方式冷却超导磁体,另一部分冷量用于预冷氦气,然后通过毛细管节流降温达到超低温,最终实现8T强磁场和1.5K极低温的应用环境.     

铜铁稀磁合金中铁磁杂质之间相互作用对低温热电势的影响

本文提出在铜铁稀磁合金中高浓度铁磁杂质之间的相互作用对低温热电势的影响巨大, 基于耦合杂质理论, 得出了高浓度铜铁稀磁合金的热电势在4-100 K的温度范围内随温度变化的理论曲线. 理论曲线与铁杂质浓度含量为0.1%(at) Fe, 0.13%(at) Fe和0.15%(at) Fe原子百分比的铜铁合金热电势实验值符合, 为推动低温铜铁稀磁热电偶的应用提供了理论分析基础.     

共轭高聚物中的杂质分布:晶格形态及高浓度掺杂效应

基于扩展Su-Shrieffer-Heeger(SSH)模型,通过自洽计算的数值方法,研究了共轭高聚物链表现为孤子态和大极化子态两种不同晶格形态时链内的杂质分布情况,计算结果显示,分立的畴壁可导致高聚物链中形成多个稳定的势阱,有利于杂质在链中聚集分布.此外,还研究了在较高浓度的掺杂条件下,共轭高聚物链内的杂质分布规律.结果显示,杂质倾向于在中心区形成高浓度分布,而在链端区,杂质更倾向于离散分布.该研究表明,高浓度掺杂下杂质分布具有稳定的特征,晶格形态对杂质分布具有显著的影响,这些结论可为实验上操控杂质在共轭高聚物中的分布提供一定的帮助.     

共轭高聚物中的杂质分布：晶格形态及高浓度掺杂效应

基于扩展Su-Shrieffer-Heeger (SSH)模型,通过自洽计算的数值方法,研究了共轭高聚物链表现为孤子态和大极化子态两种不同晶格形态时链内的杂质分布情况,计算结果显示,分立的畴壁可导致高聚物链中形成多个稳定的势阱,有利于杂质在链中聚集分布。此外,还研究了在较高浓度的掺杂条件下,共轭高聚物链内的杂质分布规律。结果显示,杂质倾向于在中心区形成高浓度分布,而在链端区,杂质更倾向于离散分布。该研究表明,高浓度掺杂下杂质分布具有稳定的特征,晶格形态对杂质分布具有显著的影响,这些结论可为实验上操控杂质在共轭高聚物中的分布提供一定的帮助。     

三维量子Hall效应电阻平台与能隙

量子Hall效应最先在强磁场中的二维电子气体中产生,是一种内部绝缘、边缘单向导电、电阻为零的拓扑绝缘态,电阻平台的出现及纵向电阻的消失是量子Hall效应产生的标志。对于三维电子气体,z方向的自由度会破坏体系内部绝缘,阻碍量子Hall效应产生。解决问题的方法是让z方向磁场引诱体系在费米能级处产生能隙,从而保障内部绝缘。三维量子Hall效应是研究量子相变很好的平台,z方向磁场引发两种相变：在xy平面引发拓扑相变,在z方向引发体系由金属态向绝缘态的朗道相变。三维量子Hall效应最近在ZrTe5、HfTe5材料中观察到,与二维整数量子Hall效应的电阻平台出现在整数处不同,三维量子Hall效应的电阻平台出现在h/e²λ_F,z/2处,其中λ_F,z为电子在磁场z方向的费米波长。本文讨论量子Hall效应电阻平台出现以及纵向电阻消失的原因：朗道能级填满阻止左右边缘态电子的相互散射,保障了体系边缘的单向导电性和零电阻;用规范不变性理论推导三维量子Hall效应电阻平台的理论值,理论值与实验结果符合得很好;从自旋与轨道耦合理论出发,推导磁场在...     

混合磁体超导线圈低温传输线冷屏的设计与分析

对于低温传输线,冷屏是其重要的结构。文中在低温传输线冷屏结构初步设计的基础上,对冷屏屏体材料进行比选,计算分析了低温传输线在80K温区的漏热量,并采用Solidworks软件,对不同厚度的低温传输线冷屏的温度分布进行模拟分析,完成冷屏的工程设计。     

金纳米线接触构型相关的双重负微分电阻与整流效应

运用第一性原理密度泛函理论(DFT)和非平衡格林函数(NEGF)方法, 研究了[111]Au纳米线与1, 4-二硫苯酚(DTB)构成的分子结的电子输运性质. 构建并优化不同的Au-DTB接触构型, 计算发现: 尖端顶位构型最利于电流输运; 非对称构型大多具有很好的整流特性(最大整流比为25.6); 部分结构出现双重负微分电阻(NDR)效应. 分析表明, 整流效应主要源于非对称接触构型两端S-Au键的稳定性差别; 尖端金原子与硫原子的耦合能级中, 近费米面的能级对低压区电子传输起主要作用; 电压增大, 离费米面较远的能级对输运起主导作用, DTB的本征能级也逐渐参与, 这一转变致使电流出现两峰一谷的双重NDR效应.     

BESIII超导电缆极端弯曲下载流能力试验及氦弧焊焊接接头低温电阻测量

北京谱仪(BESIII)超导磁体是为北京正负电子对撞机二期改造工程(BEPCII)制造的超导探测器磁体.它采用了国际上先进的两相氦间接冷却方式及线圈内绕技术.其超导线为铝稳定体NbTi/Cu超导电缆.由于生产工艺上长度的限制,BESIII超导电缆由三段电缆焊接而成.焊接匝电阻必须限制在一定范围内,以免产生过大的焦耳热,影响磁体的正常运行.超导电缆由支撑筒内部引出到颈管及阀箱部分时,有一定角度的平弯及侧弯,这部分弯曲电缆的载流能力也是必须要考虑的问题.为此,我们进行了两次超导电缆性能测试实验,对超导电缆弯曲前后的载流能力进行了测试,并且测量了超导电缆低温下的焊接电阻.本文提供了这两次实验的实验结果及分析.     

低浓度混合电解质的电导测定与混合效应——NaCl—RbCl—H2O及KCl—RbC…

测定了ＮａＣｌ－ＲｂＣｌ－Ｈ２Ｏ及ＫＣｌ－ＲｂＣｌ－Ｈ２Ｏ两种混合电解质体系不同离子强度配比下的电导数据，应用现代Ｏｎｓａｇｅｒ－Ｆｕｏｓｓ－Ｃｈｅｎ理论，以经验性线项代替理论中的高次项，得到关联方程，研究了混合电解质溶液的混合效应，发现不同配比下的呈负效应，但效应不明显。