氧化物超导体的临界电流问题

1988年 8 月16-19日在美国SnowmassVillage,Colorado的“高温超导体的临界电流”会议上集中讨论了氧化物超导体和Nb3Sn等金属超导体在临界电流密度人上有显著差别的原因.目前1T磁场下烧结块状氧化物超导体的Jc(77K)以Tc可达125K的TlSrCaCu系为最高,接近了 102A/cm2,但仍比4.2K下Nb3Sn的Jc低四个数量级.从熔体中形成的具有织构的YBa2Cu3O7(晶粒最长的达10mm)的Jc接近104A/cm2,比上述烧结样品提高了二个数量级,在SrTiO3单晶上外延生长的YBa2Cu3O7簿膜的Jc又提高一个数量级.实验还指出:在强磁场(如10T)下,超导转变急剧展宽,电阻-…     

高临界温度氧化物超导体的临界电流

本文从高T氧化物超导体的基本物理、化学性质出发,深入分析了提高其临界电流密度的关键所在。评述了当前薄膜、体材料、线材和带材料发展的工艺状态和性能。指出了今后的发展趋向和应用前景。     

高临界温度氧化物超导体的临界电流

本文从高T氧化物超导体的基本物理、化学性质出发,深入分析了提高其临界电流密度的关键所在。评述了当前薄膜、体材料、线材和带材料发展的工艺状态和性能。指出了今后的发展趋向和应用前景。     

用“持续电流法”测量氧化物超导体的电阻率和临界电流

氧化物超导体发现后，弄清它的直流电阻率到底是多少成为一个极待解决的问题．我们用“持续电流法”首先测量了钇、钡、铜氧比物超导体的直流电阻率，还用同样的实验装置测量了这种超导体的临界电流及其随温度的变化．本文介绍这种测量方法的原理和实验装置，并给出了我们的主要实验结果．     

临界厚度d_0和纵场临界电流曲线

本简报对理想第二类超导平板的纵场临界电流曲线进行的分析表明了,当平板厚度d大于临界厚度d_0时,曲线呈倒U字形;当d小于d_0时,曲线呈现出峰值效应。     

脉冲磁场测量J_c(H)结果的分析

用脉冲磁场测量小阻值的富锡Nb_3Sn样品的高场参数时,测得的干扰信号完全淹没了真实信号.我们分析了实验结果,并进行理论计算,找到产生大干扰信号的原因.消除这些干扰后,本底信号仍然淹没真正信号.本文找到了一个从干扰信号中获得真正信号的方法.     

MgB2超导体中的临界电流和上临界场

20 0 1年 3月 12日的夜晚 ,在西雅图召开的美国物理学年会重演了 1987年 (高温超导发现 )年会火爆的场面 .10 0 0名以上的物理学家涌入报告大厅(还有更多的人站在外边 ) ,为了聆听日本科学家Ａｋｉｍｉｔｓｕ关于发现ＭｇＢ2 超导体的讲演 .接下来数十位报告人的发言 ,被严格限制在 2分钟以内 ,外加 1分钟的提问 .Ｔｃ～ 4 0Ｋ的ＭｇＢ2 超导体是Ａｋｉｍｉｔｓｕ领导的研究小组于 2 0 0 1年 1月发现的 .他们的原始论文已发表在 2 0 0 1年 3月 1日出版的Ｎａｔｕｒｅ周刊上 .这个小组原本是想以化学试剂商店可大量供应的ＭｇＢ2 为原料 ,制…     

铜氧化物超导体的零场ESR信号的可能机制

本文指出铜氧化物超导体的电子自旋共振(ESR)的零场信号可能是R.Englman等人讨论过的铜氧络合物的电子—声子耦合的简并态E和单态A之间的位形跃迁。     

临界厚度d0和纵场临界电流曲线

本简报对理想第二类超导平板的纵场临界电流曲线进行的分析表明了,当平板厚度d大于临界厚度d₀时,曲线呈倒U字形;当d小于d₀时,曲线呈现出峰值效应。 关键词：     

高温超导体零场临界电流的尺寸效应

以临界态概念为基础,采用等效钉扎力方法对烧结的氧化物超导体样品在液氮温度下零磁场临界电流平均密度进行了理论分析。所得结果和实验相符合。在以上同样的假设下,计算了块样的剩余磁化强度。证明了磁化强度测量决定临界电流的实验方法在决定零场临界电流密度时也适用。     

脉冲磁场测量小信号高T_c氧化物超导体上临界场的方法

本文讨论了一种脉冲磁场下确定高T_c氧化物上临界场的方法。利用锁相放大器,使测量信噪比提高近二个量级。本文分析了所测量的信号。 确定H_(c2)为磁阻饱和时的磁场。最后测量了Bi_(1.6)Pb_(0.4)Sr_2Ca_2Cu_(3.2)O_y的H_(c2)与温度关系。     

Tl—Ba—Ca—Cu氧化物超导体的低场磁性

我们测量了 T1-Ba-Ca-Cu-O 高温超导样品在低磁场下的磁化率和电阻与温度的关系;观察到样品具有两个超导主相,T_c 分别为117K 与104K;估算出该样品在77K 下的下临界场H_(c1)大约为480G.样品的迈斯纳效应和磁屏蔽的测量结果表明,该样品的磁屏蔽效应很小.在外加低磁场下测量了样品的临界电流,研究了,I_c-H 关系,发现在30G 以下磁场范围内的实验结果与超导颗粒之间是无规并联的约瑟夫森弱连接的理论结果符合较好.     

Bi（2223）／Ag带在强场下超导临界电流的不可逆性

Ｂｉ（２２２３）／Ａｇ带在高场下，超导临界电流不仅随磁场的变化有不可逆性，而且它随磁场和样品ｃ轴间夹角的变化也发现有相同的不可逆现象。产生此不可逆的原因是在高Ｔｃ层状结构的超导样品中，当磁通量发生变化时，超导区域内要产生持续感应电流和感应磁场，结果使位于超导区域之间的正常区域有效场产生不可逆性。     

YBa_2Pb_xCu_(3-x)O_y的临界电流特性

本文系统地研究了 Y Ba_2Pb_xCu_(3-x)O_y(0≤x≤0.4)高温超导体的正常态电阻率,交流磁化率,临界温度和临界电流密度等参量之间的关系.结果表明,在0≤x≤0.4范围内,样品的 T_c只有很小的变化,而电阻率和临界电流密度则随 x 发生显著的变化.特别是当 x=0.1时,样品的电阻率最小而相应的临界电流密度最大,在液氮温度下 J_c 为单相 Y Ba_2Cu_3O_(7-δ)样品的三倍多.作者还发现样品内界面层对临界电流的影响比超导相所占比例更大.作者应用McMillan 理论和 Ambegaokar-Baratoff 理论结果分析了实验数据.     

载有电流的超导膜的能隙和临界电流

利用文献所导出的补偿方程和电流方程,计算了一个载有电流的超导膜的能隙,给出了它和电流的依赖关系。所得到的结果适用于所有的温度,但电流数值要比较小。在温度接近T_c的范围内,本文还对超导膜的临界电流问题进行了讨论。文中指出,非局域效应对于比较厚的超导膜的临界电流是重要的,但是对于比较薄的超导膜是不重要的。     

高T_c氧化物超导体的元素替代效应(Ⅰ)

本文就高Tc氧化物超导体中的元素替代效应,尤其是对123相化合物中不同原子位置上部分元素替代所导致的晶体结构、氧含量、正常态和超导态性质,以及载流子浓度等的变化作了系统的评述。深入讨论了从中给出的有关高温超导电性微观机制的信息。     

高Tc氧化物超导体的元素替代效应(Ⅱ)

本文对Bi-系高Tc氧化物超导体的元素替代效应进行了系统的评述。对由于元素替代所引起的晶体结构、氧含量、空穴浓度和超导临界温度等参量的变化进行了重点讨论。总结出元素替代的两种机制,即CuO_2平面外原子格点上以改变迁移载流子浓度为主要特征的和在CuO_2平面内Cu的格点上以破坏局部磁有序、产生直接拆对作用为特征的替代效应。     

关于上临界场和不可逆场测量方法标准化的思考

本文回顾了超导体上临界场强度 H c2 和不可逆场强度 Hirr 的相关物理背景及定义, 汇总了不同测量技术的原理和方法, 以及影响测量不确定度的主要因素, 指出 H c2 和 Hirr 测量的根本区别在于前者不应在测量中引入磁通运动相关的能量损耗. 分析了 H c2 和 Hirr 测量的难点, 介绍了以往国际上对建立单一测量方法标准所做的努力, 总结归纳了不同方法测量结果不一致的根本原因, 在于测量条件决定的测量分辨率以及人为设定的不同判据.因此如果可以精确控制测量条件和判据, 四引线电阻法最简便因而最适宜选做标准化的测量方法. 考虑到高场强磁体在国内实验室的普及程度, 现阶段有可能实现标准化的只有液氦冷剂浸泡下变磁场测量 Nb-Ti 复合超导线的J c 从而确定 Hirr(4.2 K)     

高Tc超导体的临界电流和磁体应用

1987年高温超导材料的发现,给人以希望.甚至有人预言一个新时代的到来,在石器、青铜、铁器和半导体时代之后会是超导体时代.超导体时代的大多数应用,取决于利用其零电阻特性制作强磁体的可能性.这要求能将超导材料制成线材,在强磁场下临界电流超过10’A/cm2。 传统的超导体线材,如 Nb-Ti线,Nb3Sn线,由于转变温度Tc较低,只能在液体氦温度下工作,带来诸多不便.氧化物高温超导材料,Tc在液氮温度之上,似乎可在77K 以上使用,但存在两个主要的问题.一个通常称做“弱连接”或“颗粒超导电性”问题,材料中晶界等弱连接区限制了材料临界电流的大…     

高T_c氧化物超导体Bi(Pb)-Sr-Ca-Cu-O(F)的“不可逆线”

研究了高T_c氧化物超导体Bi(Pb)-Sr-Ca-Cu-O(F)体系的“不可逆线”。发现不可逆磁场H~*<120Oe时,H~*=1590(1—t)~3/2;当120Oe相似文献