碳纳米管/硅纳米孔柱阵列的场发射性能

"通过热化学气相沉积的方法将碳纳米管生长到硅纳米孔柱阵列衬底上．采用场发射扫描电子显微镜、透射电子显微镜、高分辨透射电子显微镜、拉曼光谱和X射线能谱对所制备的样品形貌、组成进行了分析．结果发现：所制备产物为一种具有面积大、准周期性的碳纳米管/硅巢状阵列复合结构．能谱分析表明碳纳米管仅含有碳元素．对样品进行场发射性能测试表明该结构开启电压为1.3 MV/m,当外加电压为4.26 MV/m,发射电流为5 mA/cm2．由FN公式计算相应的场增强因子约为1.1￡104．碳纳米管/硅纳米孔柱阵列好的场发射性能被归     

碳纳米管场发射显示器的研究进展

碳纳米管因具有良好的电子发射特性而成为理想的场发射阴极材料,利用碳纳米管作阴极的场致发射平板显示器件的研究是目前显示技术领域的研究热点之一。报道了场发射显示器（FED）的结构及工作原理、阴极发射材料应具有的特点及碳纳米管在场发射领域中的应用情况。详细地论述了碳纳米管的场致发射特性,包括开启电场、发射电流密度、电流稳定性及发射点密度等,对国内外碳纳米管场发射显示器的发展现状及趋势作了回顾和展望,并对目前所面临的主要问题作了分析,同时提出了一些改进的思路。     

用场发射显微镜研究单壁碳纳米管场发射

利用场发射显微镜在小于4.0×10-7Pa压强条件下研究了单壁碳纳米管微束在不同温度加热除气后的场发射变化,得出随着除气温度的升高,碳纳米管逸出功经历了从大到小再变大的变化过程.在清洁态(1000℃除气)对应有最小的逸出功,此时场发射图像显示出一定的细致结构.继续升高温度,碳纳米管发生塌缩.     

一种基于碳纳米管场发射的发光二极管

制作了一个基于碳纳米管场发射的发光二极管,实验结果表明,这种发光二极管驱动场强低,亮度高,能够满足常用显示器和发光管的亮度要求,同时也用边界元法讨论了碳纳米管之间的场屏蔽效应.     

碳纳米管场发射特性研究

从Fowler-Nordheims理论出发,对实验中测得的碳管场发射中ln(I/V²)～1/V并不是严格的线性关系进行了分析,认为主要是碳管吸附态(主要是水蒸气)的改变引起有效功函数改变,同时随着发射电流的增大,个别较长碳管表面的突起在残余气体离子轰击下变得平滑甚至缩短,热熔化也可能造成碳管缩短.另一方面,随着电场强度的增大,较短碳管的场发射对总发射电流的贡献也相对提升.这些因素都会造成场发射中F-N曲线的斜率发生改变.     

Field Emission Enhancement of Carbon Nanotubes by Surface Modification

By employing a multi-walled carbon nanotube （MWCNT） film as the substrate, we obtain Fe tipped carbon nanorods or carbon nanoparticles grown on the outer walls of MWCNTs by combining sputtering deposition of Fe films and rf plasma enhanced chemical vapour deposition at high temperature. Scanning electron microscopy and high-resolution transmission electron microscopy are used to examine the structure of carbon nanorods and carbon nanoparticles. In addition, the formation mechanism is discussed briefly. The electron field emission tests indicate that the turn-on field （at 10μA/cm^2） of the treated MWCNT films decreases from 2.4 V/μm to O. 79 V/μm and the field emission current is relatively stable. The enhanced field enhancement factor, increasing emission densities coming from the grown nanorods and nanoparticles, and H terminated by H plasma a11 are responsible for the enhancement of the field enhancement factor.     

碳纳米管/金刚石复合材料的场发射特性

采用微波烧结方法制备了碳纳米管/金刚石复合材料。将碳纳米管和纳米金刚石粉末混合后研磨压片,然后在微波等离子气相沉积系统中采用微波烧结。利用扫描电镜对复合材料的表面形貌和微观结构进行了分析,结果显示碳纳米管比较均匀地分散于复合材料中,并在表面形成了发射微尖。利用二极管结构在动态真空室中对复合材料的场发射特性进行了研究,复合材料有较好的场发射特性,电流密度接近15mA/cm2。     

Polarization of Two Identical Atoms in an Electric Field

The polarization of two atoms which are in a linearly polarized monochromatic field and in a field of optical pulses is calculated. The problem is solved for the 2s→3p transitions taking into account the initial states of the atoms. __________ Translated from Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii, Fizika, No. 7, pp. 57–59, July, 2005.     

生长温度对碳纳米管阴极场发射性能的影响

碳纳米管(Carbon Nanotubes,CNTs)场发射平面显示器(Field Emission Display,FED)与其他显示器比较显示了其独特优点,被认为是未来理想的平面显示器之一。碳纳米管阴极作为器件的核心部分,其性能的好坏直接影响显示器的性能。针对30~60英寸(76.2~152.4cm)大屏幕显示器所用的厚膜工艺,即采用丝网印刷法制备了碳纳米管阴极阵列,研究了化学气相沉积法在不同温度下生长的CNTs的场发射电流-电压特性,找到了适合FED用碳纳米管的最佳生长温度。结果表明生长温度越高(750℃),CNTs场发射性能越好。并用荧光粉阳极测试这些CNTs的场发射发光显示效果,验证了上述结论。     

纳米碳管的制备及其场发射性能研究

将Ni(NO3)2-Mg(NO3)2体系作为催化剂前驱体,在不同气源比例下用CVD催化裂解法制备纳米碳管,用SEM、TEM和喇曼光谱对其进行了表征和分析,制备出完整性好的纳米碳管.再用两种工艺和配方制备其场发射阴极,对阴极样品进行了场发射性能测试.结果表明,经过氢处理在Si基上制备的CNT阴极发光效果好,且具有良好的场发射性能.     

基于碳纳米管场致发射的电子枪的初步研究

给出了基于碳纳米管场致发射电子枪的初步研究结果. 碳纳米管场致发射试验证明碳纳米管是一种很好的场致发射材料. 试验中, 在极间场强2.7MV/m的情况下得到的电流发射密度为0.5mA/cm².     

沉积工艺参数对碳纳米管薄膜场发射性能的影响

利用微波等离子体化学气相沉积(MWPCVD)方法,在不锈钢衬底上直接沉积碳纳米管膜。通过SEM、拉曼光谱和XRD表征,讨论了制备温度和甲烷浓度对碳纳米管膜场发射的影响。结果表明:不同条件下制备的碳纳米管膜的场发射性能有很大差异,保持氢气的流量(100sccm)、生长时间(10min)、反应室压力不变,当甲烷流量为8sccm、温度为700~800℃时,场发射性能最好,开启场强仅为0.8V/μm,发射点分布密集、均匀。     

LPCVD法制备碳纳米管薄膜及其场发射性能的研究

采用低压化学气相沉积法(LPCVD)在镍片上直接制备碳纳米管(CNTs)薄膜,系统地研究了生长温度(500~800℃)对碳纳米管薄膜形貌、结构及场发射性能的影响,并对此方法的生长机理进行了分析。当温度从500℃升高到650℃时,碳纳米管的生长速率随着温度升高而增大,而温度继续上升,速率则明显减小。利用扫描电镜(SEM)和拉曼光谱仪表征和检测了碳纳米管薄膜的形貌和结构。碳纳米管的管径、长度、一致性和晶化程度随温度都有明显的变化。同时还对碳纳米管薄膜的场发射特性进行了测试,对其场发射机理进行了深入地探讨,表明温度对碳纳米管的性能有很大影响,并存在最优化的温度条件。实验结果表明碳纳米管薄膜的形貌、结构及其场发射性能可通过生长温度进行一定范围的控制。     

刻线镍膜上沉积的碳纳米管场发射特性

利用微波等离子体化学气相沉积(MWPCVD)方法,在刻线的镍膜上沉积碳纳米管膜。通过SEM和拉曼光谱表征,讨论了催化剂厚度、制备温度、反应时间以及甲烷浓度对碳纳米管场发射的影响。结果表明：不同条件下制备的碳纳米管的场发射性能有很大差异,保持氢气的流量(100sccm)不变,当甲烷流量为5sccm、生长时间为5min、催化剂膜厚为150nm、温度为700～800℃时,场发射性能最好,开启场强为1．3V／um,最大发射电流达到6．8mA／cm^3。     

Ultrashort Optical Pulses in Photon Crystals of Carbon Nanotubes under Action of an External Pump Field

Optics and Spectroscopy - The evolution of ultrashort optical pulses in a photonic crystal consisting of semiconductor carbon nanotubes in an external pump field is considered. The possibility of...     

一种基于碳管场发射显示器结构分析

用边界元法(BEM)和MonteCarlo方法就一种基于碳纳米管场发射大面积彩色平面型显示器的可行性进行了理论分析,通过模拟跟踪发射电子轨迹,证实设计的显示器结构能够满足高分辨率显示的要求,而且驱动电压低、工艺简单,尤其和日本Cannon公司的M.Okuda等人提出的表面传导型场发射显示器结构相比,其电子传输比有大幅度的提高.     

涂布法制备碳纳米管场发射阴极及其性能的研究

碳纳米管（CNT）作为场发射阴极（FEC）具有很好的性能。报导了利用粉末状碳纳米管制作CNT－FEC的方法，包括涂布方法、纯化方法和表面处理方法。主要关心的FEC性能为电子发射均匀性、电流密度和寿命。