静磁场中第二类超导体R－T曲线的测量

静磁场中第二类超导体Ｒ－Ｔ曲线的测量詹可雷，朱永强（淮南矿业学院基础部２３２００１）（复旦大学物理系上海２００４３３）超导体具有一定的无阻负载电流的能力，因此，用超导线统制的磁体没有焦耳热损耗，用它产生强磁场比常规磁体要经济得多．然而，第一类超导体的...     

慢中子辐照对高温超导体R—T曲线的影响

本报道了高温超导体经慢中子辐照后，正常态电阻下降，超导转变宽度变窄，同时钉扎力增强的效应，章最后讨论了上述效应的物理机理。     

超导块材间狭窄缝隙中静磁场分布简化计算方法及应用

本文分析了超导体间静磁场分布的简化计算问题,并将推导的结论应用于超导飞轮设计中,数值计算结果证明分析方法是正确的,应用是有效的.     

横向磁场中超导体感应电动势的计算

本文利用超导经典电磁理论，导出了超导体在横向磁场中切割磁感应线时感应电动势的计算公式，结果表明，与计算通常导体感应电动势的公式相同．     

层状超导体中单个磁通线的磁场分布

从Ｌａｗｒｅｎｃｅ－Ｄｏｎｉａｃｈ方程出发，计算了层状超导体在外加垂直磁场下单个磁通线的磁场分布及下临界场，结果表明，在此条件下的结果相对于均匀情形的偏离不大。     

T1系超导体中T1含量的控制

Ｔ１－２２２３和Ｔ１－２２１２相超导样品经Ｔｌ２Ｏ３蒸气处理超导转变温度发生明显的变化，Ｔｃ的变化来源于样品中Ｔ１含量的变化，Ｔｌ２Ｏ３蒸气能有效地阻止Ｔ１基超导体中Ｔ１的损失，随着Ｔｌ２Ｏ３蒸气压的增加Ｔ１损失明显减少，这是一种控制Ｔ１浓度的有效方法。     

热处理对T1—1223超导体的不可逆性的影响

我们用交流磁化率技术研究了热处理对掺杂了Ｐｂ和Ｂａ的ＴｌＳｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｙ（Ｔ１－１２２３）超导体的不可逆线的影响，发现适当的热处理只提高了样品的起始温度Ｔ５０但并不改变其约化不可逆线，同时我们还讨论了样品的磁通钉扎机制。     

第二类超导体的下临界磁场的新计算

从Ginzburg-Landau理论出发,对理想第二类超导体的下临界磁场做计算。通过比较两相的吉布斯自由能,特别是考虑相变时的熵增,最终求得下临界场的新公式,得到纯超导体的下临界场对温度的依赖与经验公式有所不同。作者把这种不同归结为超导体的G-L参数对温度的依赖。     

超导薄膜的磁场穿透深度的测量

我们设计和研究了用于测量超导薄膜穿透深度的双线圈互感装置,用数值模拟的方法对线圈及其位形进行了优化．对磁控溅射制备的不同厚度的铌膜在不同温度下的测量结果表明,我们的设计大大提高了实验的准确性和稳定性,并得到了理论预期的随膜厚和温度的变化关系     

基于永磁恒定磁场激励的起始磁化曲线测量

现有起始磁化曲线测量系统需绕制励磁线圈和感应线圈,在线应用受限.为此,本文提出了一种基于永磁恒定磁场激励的起始磁化曲线测量原理并搭建了相应测量系统.该系统采用永磁磁化器作为激励磁源,以对称磁化方法在圆柱棒状构件上激励出随轴向位置变化的恒定磁场作为激励磁场;采用阵列霍尔探头测量构件表面不同提离下的轴向和法向磁感应强度;并基于多项式外推法和磁场高斯定理外推法,推算构件与空气分界面上的轴向和法向磁感应强度;进一步地,根据分界面上的磁感应强度获取构件的起始磁化曲线.系统测量结果表明,在永磁恒定磁场激励下,无须励磁线圈和感应线圈即可方便地获取棒状构件的起始磁化曲线,测量误差小于10%,测量误差标准差小于0.01,重复性较好.该系统可为便捷地在线测量棒状构件起始磁化曲线提供新途径.     

MgB2超导线I-V曲线的测量

2001年1月MgB2的超导电性被发现以来,这种临界温度达到40 K左右的超导材料引起了国际超导界广泛的兴趣,短时间内就对其进行了深入的研究.MgB2属于传统的电子-声子耦合的BCS超导体,它的临界温度大于或者接近BCS理论所预言的临界温度的上限,因此,这种材料在理论研究上具有重要的意义.本文对MgB2超导线的I-V关系进行了初步的测量,我们测量的超导线样品的MgB2层厚度大约只有0.5μm,截面积约1.5×10-6cm2,实验得到了许多有意义的实验结果.     

静磁场对电磁悬浮熔融液滴表面张力测量影响的研究

基于电磁悬浮技术的振荡液滴法是测量高温熔体表面张力的重要手段。地面条件下,熔体在重力和电磁力作用下呈倒锥形,熔体存在多个振荡模式,增加了表面张力测量的不确定性。本文通过叠加静磁场抑制熔体的内部对流和振荡变形,分析熔体振荡模式的变化和静磁场对熔体表面张力测量的影响。研究发现:当磁场强度为0.2 T时,熔体R~+、R~-、D_(max)和Area的振幅分别减小了 52%、54.3%、45.9%和54.2%。当磁场强度超过0.3 T时,m=0、±1振荡模式被明显抑制,熔体仅存在m=±2振荡。在未叠加静磁场时,实验测量得到的表面张力平均值为1.276 N·m~(-1),相对误差为1.31%。在1 T静磁场下为1.304N·m~(-1),相对误差下降至0.46%。因此,静磁场能有效抑制熔体内对流和振荡变形,有利于提升高温熔体表面张力的测量精度。     

高强度均匀静磁场中氢原子能级的计算

采用一种简便的变分法，计算了在均匀高强度静磁场下氢原子的１１个低能态能级和平均半径，讨论了高强度磁场对能级和半径的影响。     

理想Ⅱ类超导体在Hc1相变曲线上的体积效应

本文以理想Ⅱ类超导磁化曲线方程为基础,应用典型热力学方法对理想Ⅱ类超导体在Hc1相变曲线上的体积效应进行讨论。经过热力学唯象理讨论,揭示了理想Ⅱ类超导体在Hc1相变曲线上的相变体积效应的二级相变特性。     

超导体MgB2中临界电流密度与磁场和温度之间的关系

用SQUID磁强计测量了在不同温度一直到5T的MgB2磁滞回线,确定了下临界磁场和样品的退磁因子.临界电流密度对磁场和温度的关系可以用一个简单的函数拟合.钉扎力密度符合Kramer标度律,但是峰值位置随温度移动.     

金属丝阵列Z箍缩装置中R—T不稳定性初步研究

近年来,对金属丝阵列Z箍缩的研究引起了Z箍缩物理界的极大兴趣。在这种位形中,能产生高密度和高温度的等离子体,甚至可能达到聚变条件。然而,等离子体内爆（Implosion)却受到R－T不稳定性的严重影响,因为等离子体受到无质量流体磁场的加速。Z箍缩内爆的效率主要取决于内爆的对称性和均匀性。但是,各种增加负载轴向极向对称性的尝试用于减弱Reighlay-Taylor(R-T)不稳定性,只能起到部分作用,不能使之达到高能量内爆。为了研究这种位形的不稳定性,英国帝国理工学院研究了MAGPIE装置的不稳定性,M.G.Hainese提出了一种直观的研究模型,把金属丝阵列Z箍缩的发展过程分为4个阶段,然后在每一个阶段推出其方程,最后对R－T不稳定性进行了定量分析。然而,却没有提出抑制或减弱R－T不稳定性,目前提出了几种方法,主要是：负载在轴向和极向高度对称;添加剪切轴流或剪切磁场以减弱R－T不稳定性的增长或饱和模的形成;反常粘滞效应推迟R－T不稳定性达到饱和,从而有效利用不稳定性为超强X射线功率输出服务。这些方法中有些得到了一定的发展,有的才开始进行研究。     

第二类超导体输运临界电流密度的一个临界态模型计算

给出了第二类超导体临界电流密度随样品尺寸及外加磁场变化的一个临界态模型计算。计算中考虑了样品中混合态与迈斯纳态共存的情况。用该模型对Tl2Ba2Ca2Cu3O10样品的实验测量结果进行了模拟计算,并讨论了有关问题。     

数字技术在交流i—ψ曲线测量上的应用

用数字技术测量交流ｉ－ψ曲线，不必用严格正弦波电源，用数字积分方法由测得的微分量Ｕ２积分出φ值。     

多方过程的TS方程及T—S曲线

导出了用多方指数ｎ温度Ｔ及熵Ｓ表示的多方过程方程，得出Ｔ－Ｓ图中多方过程曲线所斜率与多方指数ｎ的关系式，讨论了各等值过程的Ｔ，Ｓ关系式及在Ｔ－Ｓ图中过程曲线的斜率表达式。