自由电子激光器虚火花放电高压电源的改进

提出了对虚火花放电高压电源进行改进的方案。给出了实验装置，并从理论上分析了它的可行性。由此可大大减小传统的拉曼自由电子激光器的外形尺寸，使其小型化和广泛应用成为现实     

自由电子激光器虚火花电子束源的阻抗匹配研究

分析了自由电子激光器的小型虚火花电子束源在去掉脉冲传输线的情况下的阻抗匹配问题 ,并对此进行放电实验。得到了虚火花放电过程中的放电室阻抗曲线 ;并利用小型放电装置在 2 5 5kV的放电电压下得到了束流强度为 4 3kA的电子束输出。     

用于LIA强流脉冲电子束能谱测量的磁分析器设计

为了测量一台直线感应加速器输出的强流脉冲电子束的能谱宽度,开展了磁分析器的设计研究工作。从磁分析器测试能谱的原理出发,根据被测对象以及测试的一些基本条件提出了磁分析器的基本参数,据此进行了磁铁的理论设计,利用Vector Fields公司的Opera3D／Tosca软件对磁铁进行了三维仿真计算,并对理论设计的结果进行了优化。设计得到的磁分析器为C型磁铁,偏转半径300mm,硬边近似后偏转角度60°,磁极间隙30mm,好场区宽度65．4mm。磁分析器的设计结果很好地满足了物理需求。     

自由电子激光器虚火花束源的480 kV实验

介绍了虚火花放电实验 .改变马克斯发生器开关中的放电气体 ,提高了放电的稳定性 .改善虚火花放电室外绝缘油的性能 ,获得了能量为 4 80 ke V,束流为 13k A的电子束 ,电子束的传输距离达到 75cm.证明了摇摆器磁场能提高电子束聚焦性能 .     

一种常压放电等离子体产生研究脉冲高压电源

常压下采用脉冲激励产生等离子体。方波脉冲电源可调节电压幅值、重复频率及脉冲宽度。重频高压窄脉冲调制器其输出波形和电压幅值受脉冲变压器漏磁电感和分布电容、等待充电回路、直流高压电源脉冲电容等参数的影响,采用电路仿真软件对其进行仿真计算,得到最高输出电压80 kV~90 kV,脉宽230 ns,脉冲前沿124 ns,脉冲重复频率可实现单次和130 Hz~1 kHz连续可调,重复频率脉冲幅值抖动在5%~10%。     

脉冲氙灯放电时等离子体电阻的研究

确定脉冲氙灯脉冲放电电阻和电流特性的关系,对于解决由储能器到脉冲氙灯之间的能量有效传输问题以及进行脉冲灯的计算是非常重要的,而且放电电阻和电路参数的匹配决定了放电的波形,进而也影响放电的功率、等离子体温度、辐射强度和光谱分布。在实验的基础上测试了不同口径、不同充气气压的高功率脉冲氙灯在不同放电条件下等离子体柱的电阻,探讨了放电过程中放电电阻的特性。     

脉冲放电法测量密封真空管真空度

密封真空管的可靠性尤其重要，影响其可靠性的主要因素是真空度。采用脉冲放电的方法研究了密封真空管真空度的测量方法，建立了离子流的理论模型和真空度的测量装置，给出了测量结果，并进行了讨论。结果表明，该方法是可行的，测试误差满足真空度的测量要求。     

电子束控制放电CO_2激光器用于半导体诱导掺杂的研究

电子束控制放电CO_2激光器的脉冲能量是～50J,光斑直径为～φ60mm,聚焦后光斑直径为～φ20mm,用该激光器在硅中诱导掺入杂质锑和铝,得到了浅突变p-n结。结的大小为直径φ10～15mm,最大为φ20mm,结深为0.2～0.7μm,并具有～500mV的光生电压。     

不同方波脉冲模式下介质阻挡放电产生臭氧的研究

为提高介质阻挡放电产生臭氧的浓度和产量,文中研究了不同方波脉冲模式下介质阻挡放电产生臭氧的特性。文中对系统放电特性进行分析,计算系统放电功率,研究其在不同极性、不同频率和不同脉宽下产生臭氧的浓度和产量,并对其产生的结果进行了分析和讨论。研究结果表明,在施加正负极性方波脉冲时,臭氧浓度最高,为8.8 g·Nm^-3;在施加正极性方波脉冲时,臭氧产量最高,为55 g·kWh^-1。随着频率的增加,臭氧浓度和产量均呈现先增加后下降趋势。在放电频率为1 kHz时,臭氧浓度最大;在放电频率为1.5 kHz时,臭氧产量最高。在其它参数一定的情况下,随着脉宽的增加,臭氧浓度缓慢增加,臭氧的产量基本无变化。     

束流测量中的工频陷波器

提出了一种应用于电子束曝光机束流测量中的自动跟踪工频陷波器，给出电路结构，基于对其工作原理的分析，介绍了提高陷波器跟踪精度的设计要点及调试方法。     

新型Wiggler自由电子激光中的Madey定理

用单粒子方法推导出了Ｓｈｌｏｍｏ Ｐｉｎｈａｓ提出的一种新型摆动器－磁场与Ｚ轴无关的摆动器自由电子激光中的Ｍａｄｅｙ定理。结果表明：在这种摆动器自由电子激光中，Ｍａｄｅｙ定理第一部分形式不变；第二部分相差一个因子Ｍ０，它说明新型摆动器自由电子激光比普通摆动器自由电子激光有更高的能量转换效率。     

低能电子束照射电介质样品的二次电子特性简

 为阐明低能电子束照射下电介质样品的二次电子电流及产额的动态特性,将蒙特卡洛法和有限差分法相结合,建立了较为准确的电子散射、俘获、输运和自洽场等过程的数值计算模型;采用一个改进二次电子检测实验平台,准确测量了二次电子电流.模拟和实验结果表明,相对于电子束脉冲照射模式,电子束连续照射会导致二次电子产额明显降低.在连续照射模式下,随着电子束照射,二次电子电流和产额逐渐减小至一个稳定值.二次电子产额受入射电子束电流的影响较小,但随样品厚度的增大而增大.本文结果为提高扫描电镜成像质量、降低带电效应提供了理论指导,而且提供了依据二次电子特性研究样品参数的新思路.     

冷发射电子束掺杂磷

一种新的冷发射电子束掺杂方法已研究成功。这种方法可实现高浓度(C_(max)=2.8×10~(20)/cm~3),超浅结[(x_j)_(min)≤0.1μm],而且损伤比离子注入的小得多。用这种方法制备的太阳能电池控制器件性能很好。     

电子束曝光中低能电子散射的模拟

介绍了Pendry弹性散射截面,描述了电子在固体中的散射过程,包括散射步长、散射角、方位角和散射点处能量的确定,并将Pendry截面和Monte Carlo计算方法应用到电子散射过程中。分别改变入射电子束能量、抗蚀剂厚度和衬底材料,模拟了能量不超过5keV的低能电子束在PMMA抗蚀剂中的散射轨迹。模拟结果表明,低能电子束曝光同样可应用于较高分辨率的表面成像技术工艺。通过对模拟结果和电子束曝光实验比较分析,可以进一步完善散射模型,为更深入开展电子束曝光技术的应用研究创造有利条件,同时也为开发低成本的低能电子束曝光系统提供了理论依据。     

相对论电子注与等离子体柱互作用产生微波辐射的研究

本文利用线性理论，对相对论电子注与等离子体柱互作用产生微波辐射进行了研究，且考虑了纵向均匀磁场的作用。     

纳米电子束曝光

JEOL JBX- 5 0 0 0 L S是矢量扫描的电子束曝光机 .系统采用 L a B6 灯丝 ,可以工作在 2 5 k V和 5 0 k V的加速电压下 .对该系统的分辨率、稳定性、场拼接和套刻精度进行了系列研究 ,得到了分辨率为 30 nm的图形 ,图形的套刻精度也优于 4 0 nm.     

纳米电子束曝光

JEOL JBX-5000LS是矢量扫描的电子束曝光机.系统采用LaB6灯丝,可以工作在25kV和50kV的加速电压下.对该系统的分辨率、稳定性、场拼接和套刻精度进行了系列研究,得到了分辨率为30nm的图形,图形的套刻精度也优于40nm.     

行波管电子注测量系统探头的热分析

本文介绍了一台行波管电子注测量分析系统,并且对其中关键的法拉第筒探头进行了热分析。通过理论和仿 真计算探头的脉冲以及稳态温度分布。探头只在每个脉冲电子束团轰击期间产生一个较高的脉冲峰值温度,探头的稳 态温度较低。通过测试结果表明,探头的稳态温度要比仿真结果高,但是远低于探头损坏的温度,探头适用于测量系 统。     

电子束抽运氩离子准分子跃迁小信号增益的测量

对强流相对论电子束抽运氩产生的氩的第三谱带进行了研究。利用反射镜法对其小信号增益系数进行了测量。根据测量的实验装置和方法,建立了近距离探测的精确数学模型。综合运用数值分析方法对该模型进行了求解,得到了小信号增益系数。