深亚微米同步辐射x射线光刻模拟

用束衍生法研究了深亚微米同步辐射x射线光刻中掩模吸收体的光导波效应,并对x射线光刻后的光刻胶剖面进行了理论计算。采用面向对象技术,研制了一个取名为XLLS1.0的模拟软件。本文对这个软件进行了详细介绍。     

深亚微米同步辐射x射线光刻技术

报道了我们制作深亚微米 x射线掩模的工艺和同步辐射 x射线曝光工艺 ,并报道了我们在北京同步辐射装置 (BSRF) 3B1 A光刻束线所获得的深亚微米 x射线光刻图形的实验结果     

深亚微米同步辐射x射线光刻模拟

用束衍生法研究了深亚微米同步辐射 x射线光刻中掩模吸收体的光导波效应 ,并对 x射线光刻后的光刻胶剖面进行了理论计算。采用面向对象技术 ,研制了一个取名为 XLLS1 .0的模拟软件。本文对这个软件进行了详细介绍     

同步辐射x射线光刻制作深亚微米T形栅

x射线光刻非常适合用于深亚微米T形栅的制作,这是因为它的高分辨率、大的曝光视场和高的生产效率足以满足MMIC制造工艺的要求。本文中我们首先对我们的x射线掩模制造工艺进行介绍,然后论述了一种用于制造深亚微米T形栅的两层胶工艺,介绍了所取得的一些研究结果,最后对国内的深亚微米光刻现状进行了简要分析。     

同步辐射X射线光刻技术研究

对可能应用于０．２ｕｍ及０．２ｕｍ以下的同步辐射Ｘ射线光刻技术进行了论述，并对其在未来的大规模集成电路生产中的应用前景进行了分析。     

0.5μm分辨率同步辐射X射线光刻技术

报道了用Ｘ射线母掩模复制子掩模的工艺和用北京同步辐射装置（ＢＳＲＦ）３ＢＩＡ光刻束线获得的０．５μｍ的光刻分辨率的实验结果。     

同步辐射X射线光刻实验研究

同步辐射X射线光刻是一种很好的深亚微米图形复制技术。本文报道了北京同步辐射装置3BlA光刻束线上的曝光结果，并对X射线掩模的制作工艺作了简要介绍。     

深亚微米X射线光刻模拟软件XLSS 1.0

介绍了一套自行研制的深亚微米同步辐射X射线光刻模拟软件--XLSS 1.0.该软件基于面向对象技术,采用束衍生法及快速傅里叶变换相结合的方法来研究X射线掩模中吸收体的光导波效应,对光刻胶表面空间光强分布及光刻胶剖面进行了精确模拟计算,发现模拟结果与实验结果吻合很好,且模拟结果的特征尺寸宽度与实验结果的特征尺寸宽度误差小于±10%.     

同步辐射X射线光刻实验研究

采用侧墙工艺技术研制深亚微米Ｘ射线掩模，并在北京同步辐射装置光刻束线上进行了同步辐射Ｘ射线曝光实验，初步获得了深亚微米光刻图形。     

同步辐射X射线光刻计算机模拟研究

利用BeamPropagationMethod（BPM）方法研究了深亚微米同步辐射X射线光刻中的掩模吸收体的光导波效应，并且利用瑞利-索末非理论对光刻胶表面的空间像光强分布进行了计算。研究结果表明基尔霍夫边界条件不宜用于计算0.25μm以下光刻分辨率的空间像光强分布。研究结果还表明北京同步辐射装置3BlA光刻束线的光刻分辨率可以达到0．1μm，而且这时金吸收体厚度为0．45μm就可以了，而不是通常认为的1．0μm。     

上海第三代同步辐射装置及其在光刻和LIGA中的应用

对即将动工的上海第三代同步辐射装置及其主要参数作了介绍,叙述了目前同步辐射ｘ射一光刻和ＬＩＧＡ的一些技术进步情况,并对未来ＳＳＲＦ光刻实验珠应用前景作了简要分析。     

同步辐射光刻技术

同步辐射光刻有希望代替传统光刻技术,用于0.25μm以下图形的超精细加工。本文叙述了它的原理、相关技术的开发现状和工艺应用。     

同步辐射X射线深度光刻实验

深度同步辐射光刻是LIGA技术的关键工艺环节。利用同步辐射X射线的高平行性、硬射线的高强度，可以光刻出非常深的胶结构，并且这一结构有着很好的尺寸精度和垂直精度，对加工出微型机械结构，具有重要作用。     

用于软X射线光刻的等离子体源及干涉诊断分析

阐述了等离子体的产生机理和影响软 Ｘ 射线产生的因素,利用产生软 ｘ 射线的实验系统,分析了软ｘ 射线转换效率与原子数的关系及其空间相干性。给出了等离子体的干涉诊断方法及几个重要的结论。     

X射线光刻技术的现状

X射线光刻技术(XRL)是刻制130nm,100nm和70nm最小尺寸图形的可行方案之一.其它候选技术还有193nmArF准分子激光光刻、电子束投影、电子束直接写入、极紫外(EUV)及离子束投影光刻等.然而,在各种技术之中,由于XRL具有良好的临界尺寸控制及可扩展到刻制70nm以下最小尺寸图形等优点而处于领先地位.虽然XRL所需要的设备和材料业已商品化,其它     

深亚微米光刻技术

超大规模集成电路（ＶＬＳＩ）线宽的不断缩小,促进了光刻技术的发展和分辨率的提高,使分辨率已进入到深亚微米区域。光学光刻分辨率的提高是依靠缩短曝光波长、增大透镜系统的数值孔径（ＮＡ）、采用新技术改进掩模和光学系统的设计以及提高光致抗蚀剂的性能来实现的。在简要的介绍了ＶＬＳＩ发展趋势的基础上,论述了深紫外光刻（ＤＵＶＬ）、极紫外光刻（ＥＵＶＬ）和Ｘ射线光刻技术取得的重要成果及面临的问题和可能解决的途径。     

深亚微米CMOS有源图像传感器技术

在深亚微米CMOS技术，传统CMOS图像传感器像素结构如PD、PG等受到极大挑战，为了获得良好摄像质量，需要一些CMOS生产工艺的改变和像素结构的革新。