Structural modification of C60 films induced by 300-keV Xe-ion irradiation

The structural modification of C 60 films induced by 300-keV Xe-ion irradiation was investigated.The irradiated C 60 films were analysed using Fourier transform infrared spectroscopy,the Raman scattering technique,ultraviolet/visible spectrophotometry and atomic force microscopy.The analysis results indicate that the Xe-ion irradiation induces polymerization and damage of the C 60 molecule and significantly modifies the surface morphology and the optical property of the C 60 films.The damage cross-section for the C 60 molecule was also evaluated.     

C60、C60F60及C60H60“分子滚珠”的压缩特性与电子结构

采用量子分子动力学技术,模拟了C60、C60F60与C60H60分子的压缩过程,计算了这些"分子滚珠"受压变形后的电子结构.根据计算结果,对比、分析了三种分子的压缩力学特性以及压缩变形对其电子结构的影响.研究表明,1)三种分子的抗压缩载荷与能量吸收能力有C60F60＞C60H60＞C60的排序,但抗变形能力相当;2)随着压缩变形的增大,三种分子的化学活性增加,但相同应变下,C60F60和C60H60分子有着比C60更好的化学稳定性.     

用稀土铕离子的激发光谱测量温度

从理论上探讨了利用稀土离子的激发光谱来测量温度的可能性，并从实验上给予了验证。以ＥｕＣｌ３·６Ｈ２Ｏ粉末作为样品，选择Ｅｕ３＋离子７Ｆ１→５Ｄ０的磁偶极跃迁，由其激发光谱测量了样品的温度。在低于２９０Ｋ时，测量误差小于０．６％。用现有的实验系统和样品，可以准确地测量４０Ｋ至３３０Ｋ的温度。文中对进一步提高测量精度和扩大可测温度范围的途径作了讨论。     

紫外激光和压力共同作用下C60-peapod的聚合相变研究

采用气相扩散方法将C60分子填充到单壁碳纳米管(SWNTs)中,制备出高填充比率的豆荚形纳米材料C60@SWNT,又称为peapod.用金刚石对顶砧(DAC)装置获得高压,在高压下同时利用紫外激光处理样品,通过激光和压力的共同作用研究了C60分子在碳管内的聚合相变.在21.5 Gpa高压下,同时紫外激光(325 nm)照射30 min后,拉曼光谱表明C60分子在碳管内发生了聚合,形成一维链状O相聚合结构,且该相变是不可逆的.紫外激光的引入使样品发生O相聚合所需的压力值低于仅由压力诱导的聚合压力.     

低能离子在C60薄膜中引起的辐照效应

用Raman(拉曼)散射技术分析了120keV的H,Ar和Fe离子在C₆₀薄膜中引起的辐照效应,主要指由晶态向非晶态的转变.分析结果表明,在Fe和Ar离子辐照的C₆₀薄膜中,核碰撞主导了由晶态向非晶态的转变过程.而在H离子辐照的情况下,电子能损起主导作用,并发现在H离子辐照过程中,电子能损有明显的退火效应,致使由晶态向非晶态转变的过程中,经历了一个石墨化的中间过程.     

C60/C70薄膜在空气中的光致聚合

在空气中用２５３．７ｎｍ紫外光照射Ｃ６０／Ｃ７０薄膜８ｈ,红外光谱测试表明,Ｃ６０／Ｃ７０薄膜产生了光致聚合和氧化。     

超高真空中C60光聚合效应光学二次谐波的研究

利用１．０６４μｍ基频超短脉冲激光，使用光学二次谐波方法研究了超高真空中蒸镀在多晶银表面上的Ｃ６０薄膜紫外光照射下的光聚合现象，发现聚合以后的Ｃ６０二阶非线性响应增强，同时观察到光聚合的饱和效应，Ｃ６０光聚合二阶非线性的提高可以用电四极了磁偶极子对二次谐波贡献的增强来解释。     

GeV能量的Fe离子在C60薄膜中的辐照效应研究

利用傅立叶转换红外光谱和Raman谱仪分析了0.98 GeV的Fe离子在电子能损Se为3.5 keV/nm时， 不同辐照剂量（5×1010 —8×1013 ions/cm2)下， 在C60薄膜中引起的辐照损伤效应。 分析表明， Fe离子辐照引起了C60分子的聚合与损伤。 在辐照剂量达到一中间值1×1012 ions/cm2， C60分子的损伤得到部分恢复， 归因于电子激发引起的退火效应。 通过对Raman数据的拟合分析， 演绎出Fe离子辐照在C60材料中形成的潜径迹截面或引起损伤的截面约为1.32×10-14 cm2。     

Lattice damage in InGaN induced by swift heavy ion irradiation

The microstructural responses of In_0.32Ga_0.68N and In_0.9Ga_0.1N films to 2.25 GeV Xe ion irradiation have been investigated using x-ray diffraction, Raman scattering, ion channeling and transmission electron microscopy. It was found that the In-rich In_0.9Ga_0.1N is more susceptible to irradiation than the Ga-rich In_0.32Ga_0.68N. Xe ion irradiation with a fluence of 7× 10¹¹ ions·cm^-2 leads to little damage in In_0.32Ga_0.68N but an obvious lattice expansion in In_0.9Ga_0.1N. The level of lattice disorder in In_0.9Ga_0.1N increases after irradiation, due to the huge electronic energy deposition of the incident Xe ions. However, no Xe ion tracks were observed to be formed, which is attributed to the very high velocity of 2.25 GeV Xe ions. Point defects and/or small defect clusters are probably the dominant defect type in Xe-irradiated In_0.9Ga_0.1N.     

一种新基底上的C_(60)表面增强拉曼光谱研究

利用金纳米颗粒在十八胺分子的LB膜上自组装得到了一种新的表面增强拉曼光谱(SERS)活性基底。以C60分子作为这种新基底的探针分子,得到了高质量的C60SERS光谱。不但C60的振动模式增加了,而且很多模式发生了分裂,特别是一些禁戒的模式也出现在光谱中,这说明这种新基底是一种非常高效的活性基底。C60分子在新基底上的增强机制可能来自"热点"增强。     

银电极表面上C60薄膜的表面增强拉曼光谱研究

在银电极表面形成一层C60薄膜,分别在乙腈溶液和水溶液中进行表面增强拉曼光谱(SERS)研究并将两者进行比较,从而消除了溶液中的C60干扰表面吸附C60的SERS谱图的可能性.研究结果表明,C60分子对称性的降低导致SERS谱峰发生了分裂;表面电磁场的作用使得光谱选律在SERS效应中被拓宽,产生了新的拉曼谱峰.该结果与团簇吸附在粗糙银电极表面的C60分子的研究结果相似.与之不同的是在乙腈溶液和水溶液中的SERS谱图的低波数区内分别在348和311 cm-1左右出现一个新峰,经过分析可认为该峰与C60-金属基底的相互作用有关.     

Structural and optical analysis of 60Co gamma-irradiated thin films of polycrystalline Ga10Se85Sn5

The present study focuses on the effects of gamma irradiation on structural and optical properties of polycrystalline Ga₁₀Se₈₅Sn₅ thin films with a thickness of ～300?nm deposited by the thermal evaporation technique on cleaned glass substrates. X-ray diffraction patterns of the investigated thin films show that crystallite growth occurs in the orthorhombic phase structure. The surface study carried out by using the scanning electron microscope (SEM) confirms that the grain size increases with gamma irradiation. The optical parameters were estimated from optical transmission spectra data measured from a UV–vis-spectrophotometer in the wavelength range of 200–1100?nm. The refractive index dispersion data of the investigated thin films follow the single oscillator model. The estimated values of static refractive index n₀, oscillator strength E_d, zero frequency dielectric constant ε₀, optical conductivity σ_optical and the dissipation factor increases after irradiation, while the single oscillator energy E_o decreases after irradiation. It was found that the value of the optical band gap of the investigated thin films decreases and the corresponding absorption coefficient increases continuously with an increase in the dose of gamma irradiation. This post irradiation changes in the values of optical band gap and absorption coefficient were interpreted in terms of the bond distribution model.     

含氮类金刚石薄膜的紫外辐照研究

 用射频等离子体方法在玻璃基底上制备的类金刚石（DLC）薄膜，采用离子注入法掺氮，并对掺氮DLC薄膜紫外（UV）辐照前后的性能变化进行了研究。研究结果表明：随氮离子注入剂量及UV辐照时间的增加，位于2 930cm^-1附近的SP ³C-H吸收峰明显变小，而位于1 580cm^-1附近的SP2C-H吸收峰则明显增强，薄膜的电阻率明显呈下降趋势；随UV辐照时间的增加，位于1 078cm^-1附近的Si-O-Si键数量及位于786cm^-1附近的Si-C键数量明显增加。即氮离子注入和UV辐照明显改变了DLC薄膜的结构与特性。     

C60/C70在空气中高温状态下的聚合

Ｃ６０（含Ｃ７０）固体在空气中封闭,在８５０－９００℃高温下处理１０分钟,红外光吸收光谱分析发现Ｃ６０（７０）在氮氧的作用下产生聚合。     

C60-甲苯衍生物对酞菁铜/C60薄膜光电性能的影响

从光电导－时间关系，瞬态光电导能谱和光诱导放电曲线（PIDC）等方面研究C60－甲苯衍生物对酞菁铜（CuPc)/C60薄膜光电性能的影响，并对其机理进行了探讨，C60－甲苯衍生物对C60－甲苯衍生物／CuPc/C60多层膜的光电性能具有明显的增强效应。     

石墨电弧放电过程中C60/C70的形成与氧化

本文用红外吸收光谱法研究发现,在用石墨电弧放电法制备Ｃ６０／Ｃ７０的过程中,有大量的Ｃ６０／Ｃ７０氧化物生成。该氧化物具有半导体特性和真空中热稳定性好的优点。     

含氮类金刚石薄膜的紫外辐照研究

用射频等离子体方法在玻璃基底上制备的类金刚石（DLC）薄膜,采用离子注入法掺氮,并对掺氮DLC薄膜紫外（UV）辐照前后的性能变化进行了研究。研究结果表明：随氮离子注入剂量及UV辐照时间的增加,位于2 930cm-1附近的SP3C-H吸收峰明显变小,而位于1 580cm-1附近的SP2C-H吸收峰则明显增强,薄膜的电阻率明显呈下降趋势;随UV辐照时间的增加,位于1 078cm-1附近的Si-O-Si键数量及位于786cm-1附近的Si-C键数量明显增加。即氮离子注入和UV辐照明显改变了DLC薄膜的结构与特性。     

Effect of ion irradiation on C 60 thin films

We report a new effect of ion irradiation on C₆₀ thin films: C₆₀ thin films irradiated with 7-MeV C²⁺ ions show resistance to photopolymerization. The resistance increases with increasing ion fluence of irradiation. The effect is qualitatively explained by the fact that the number of a C₆₀ pair satisfying the topochemical requirement for photochemical reaction in solids decreases by destruction of C₆₀ molecules accompanied by lattice disorder.     

C60-脱异丙基脱氢枞胺衍生物的NMR光谱分析

C_(60)与脱氢枞胺发生环加成反应可生成多种功能性富勒烯衍生物.该论文测定了目标化合物N,N-四氯邻苯二甲酰基-13-硝基-7,7-C_(60)-脱异丙基脱氢枞胺的~1H NMR和~(13)C NMR谱图,并利用~1H-~1H COSY、~1H-~1H ROESY、~1H-~(13)C HSQC和~1H-~(13)C HMBC等2D NMR技术,对其~1H和~(13)C NMR信号进行了归属,为表征类似化合物的结构提供了参考.     

Altera SRAM型FPGA器件总剂量辐射损伤及退火效应

为了考核FPGA器件空间使用时的抗辐射能力,对Altera SRAM型FPGA器件60Co γ辐照后的总剂量辐射损伤效应及退火效应进行了研究。通过不同模块实现相同的分频功能,比较了不同模块输出波形随总剂量、退火时间的变化关系;通过实现不同源程序所需的模块不同,比较了不同模块、不同源程序功耗电流随总剂量、退火时间的变化关系。分析了功耗电流在不同退火温度下恢复的原因,讨论了不同退火温度下功耗电流恢复幅度的差异。测量了输出端口的高低电平,分析了高低电平随总剂量、退火时间的变化关系。实验结果表明：氧化物正电荷的退火导致了不同退火温度下的功耗电流的恢复,并且浅能级亚稳态的氧化物正电荷的数量多于深能级氧化物正电荷的数量;随着退火时间的增加,功能恢复为突变过程,而功耗电流的恢复为渐变过程。