基于格林函数的多终端量子链状体系电子输运性质的研究

利用递推格林函数技术计算了多终端量子体系的电子输运特性，首先运用递归方法给出介观 或量子体系的格林函数. 然后利用散射矩阵和输运方程给出体系的电导方程，可以将多终端 的输运简化为双终端的输运方程，以便得到体系电子输运的谱结构. 计算结果表明，由于中 间节点的存在，使器件的传输谱偏离一维链的对称性，在低能量端出现一个新的电导峰值. 此外，本方法可以被应用到各种复杂的带有吸附结构量子体系输运的研究中. 关键词： 格林函数 散射矩阵 量子体系     

磁三明治结构巨磁阻的量子解析理论

运用量子统计的格林函数方法研究磁三明治结构中的巨磁阻效应，推出一个既适用于厚膜又适用于薄膜的电导统一公式，讨论经典理论与量子理论间的联系和过渡． 关键词：     

基于有限元法的光子并矢格林函数重整化及其在自发辐射率和能级移动研究中的应用

任意微纳结构中量子点的自发辐射率和能级移动均可用并矢格林函数表达.当源点和场点在同一位置时,格林函数的实部是发散的.为解决这一发散问题,可采用重整化格林函数方法.本文提出一种计算重整化格林函数和散射格林函数的方法.该方法利用有限元,计算点电偶极子的辐射场,将其在量子点体积内做平均得到重整化的并矢格林函数,减去均匀空间中解析的重整化格林函数,得到重整化的散射格林函数.在均匀空间情况下,本方法所得数值结果与解析解一致.将该方法应用到银纳米球系统,以解析的散射格林函数作为参考,结果表明该方法能准确处理散射格林函数的重整化问题.将该方法应用到表面等离激元纳米腔中,发现有极大的自发辐射增强和能级移动,且该结果不依赖于量子点的体积.这些研究在光与物质相互作用领域具有积极的意义.     

量子点环的电子输运研究

利用非平衡格林函数方法，研究了量子点环的相干输运性质. 结果表明：与一维量子点阵列 相比，量子点环中的电子出现更多新的准束缚能级. 量子点间耦合的增强会使微分电导振荡 出现退相干现象. 关键词： 量子点 电导     

点间耦合强度对三耦合量子点系统微分电导的影响

本文利用非平衡格林函数运动方程方法,研究了与两个电极耦合在一起的三耦合量子点系统的微分电导及量子干涉的AB振荡问题.通过理论计算发现,由于量子点上的局域态密度的不同从而导致系统电导或隧穿性质的不同,而且量子点间耦合强度、量子点能级等都会对输运性质产生影响. 关键词： 量子点 非平衡格林函数 运动方程 局域态密度     

金属薄膜的量子输运理论

运用格林函数方法和久保公式研究金属薄膜中的电子输运．考虑了量子尺寸效应及来自杂质和两个粗糙表面的散射，计算单粒子格林函数和平行电导率．计算结果表明：（1）在薄膜系统中，电子数密度、平均自由程以及来自杂质和表面散射的电导率都以π/k_F（k_F为费密波矢的数值）为周期随厚度d振荡；（2）在薄膜和厚膜的两种极限、以及取表面粗糙度的最低阶近似下的结果可以推出用半经典和量子方法所得的金属薄膜的电导公式 关键词：     

电子通过量子点输运的微分电导简

采用格林函数方法,计算了电子通过量子点输运的微分电导,计算结果显示电导与偏压关系曲线中出现一个狭窄的电导尖峰和一个展宽的电导峰,与实验观测一致,本文分析了两个电导峰出现的物理原因.     

有机固体薄膜的交流电导

本文讨论了有机固体薄膜交流电导的频率依赖性,指出在较高频率下,电导正比于频率两次方的依赖性,是由于电极接触电阻和薄膜电容所引致的假象。作者建议了一种外加串联电阻法来求取电极接触电阻值,从而使电导和电容的频率依赖性实验数据得到改正。提出了表征有机固体薄膜交流电导特性的三个参数,即在极低频下的直流电导率σ_d.c.值、在较高频区σ(f)∝fⁿ中的n值和在lgσ-lgf图上高频区直线与σ_d.c.水平线的交点f_x。对聚乙烯咔唑( 关键词：     

电子-声子相互作用对平行双量子点体系热电效应的影响

量子点体系是一种典型的低维体系, 该体系的独特物理特性有利于提高热电转换效率. 本文采用非平衡态格林函数方法, 选择平行双量子点结构, 详细讨论了电子-声子相互作用对该体系的电导、热电功率、热电优值以及热导等热电效应相关参数的影响, 全面描述了电子-声子相互作用对该结构中热电效应的影响. 理论计算结果表明, 在低温情况下, 该体系中的法诺干涉能够有效增强热电效应, 而电子-声子相互作用通过破坏法诺干涉而在一定程度上抑制电导以及热导过程. 然而, 电子-声子相互作用不会显著地影响热电功率的幅值, 并且热电优值的极值几乎不会改变, 因此在低温条件下电子-声子相互作用并不是破坏量子点体系热电效应的必要条件. 本文的结果将有利于澄清电子-声子相互作用对量子点体系热电效应的影响.     

用格林函数法计算量子点中的应变分布

自组装量子点材料作为一种新型的光电材料无论在理论和实际应用都成为当今物理学界的研 究热点.由GaAs包围的InAs小岛，由于较大的晶格失配（≈-0.067），应变效应在量子点 的 形成过程中起主导作用.大部分计算量子点结构应变分布的方法都是基于数值解法，需要大 量的计算工作.给出用格林函数法推导各种常见形状量子点应变分布的解析表达式详细过程，讨论了弹性各向异性和形状各向异性对量子点应变分布的影响程度.结果表明对于不 同形状量子点结构中主要部分的应变分布都是相似的，流体静压变部分的特征值随量子点形状的变化不 关键词： 自组装量子点 格林函数 应变分布     

高斯分布及截断和抽样

 详细推论了高斯分布的轴对称电子束的截断方法和确定截断因子的表达式。结果表明在截断因子为0.9时,电子束发射度等于均方根发射度的二倍, 而当电子束发射度等于均方根发射度时, 截断因子仅为0.59。给出了四维坐标变量的几率密度函数公式, 并简述了相应的抽样方法。     

Design of magnet and control of the beam emittance for Penning H- ion source

The design requirement and principle of the deflection magnet for Magnetron and Penning H- ion source are discussed.It is proved that there exists a maximum emittance for the beam that may be transformed by the magnet into a state with equal Twiss parameters of αr=αy and βr =βy,which is the requisite condition to get a minimum emittance at the entrance of RFQ after transporting by a LEBT with solenoids.For this maximum emittance,the corresponding magnetic field gradient index is 1.     

影响X光源特性的参数研究

针对高能电子束撞击重金属靶产生轫致辐射光子, 利用蒙特卡罗方法详细研究了电子束半径与发射度以及靶的厚度对X光源特性的影响. 结果表明：电子束半径与发射度不仅是影响照射量的主要因素, 也是造成照射量分布不均匀的主要原因; 给定电子束, 存在一个靶厚度使得靶前1 m处的照射量最大. 因此, 在X射线成像系统的设计和模拟过程中, 应综合考虑电子束半径与发射度和靶厚的影响.     

电子束亮度及多孔板法测量发射度的原理

本文探讨了利用多孔板法测量四维横向相空间中均匀分布以及高斯分布的电子束发射度的测量原理。结果表明,对于四维均匀分布的电子束,该法测量的是电子束的边发射度,并且光斑尺寸随着小孔位置不同而变化;对于高斯分布的电子束,该法测量的是电子束的均方根发射度,其光斑尺寸与小孔位置无关。     

多狭缝法测量激光尾场电子束发射度的模拟研究

发射度是描述束流品质的重要物理量,根据发射度和传输矩阵可以准确计算束流包络和发散角的变化。在考察传统加速器束流发射度测量方法的基础上,提出采用多狭缝法对激光尾场产生的电子束发射度进行测量。采用宽度为20 m的多狭缝板对发射度为0.05 mmmrad的激光尾场加速电子发射度进行测量,数值模拟结果表明采用多狭缝法测量的相对误差可以控制在5%以内。并给出了不同狭缝参数对测量精度的影响,模拟结果表明狭缝宽度对发射度测量精度影响最大。狭缝宽度越窄,测量精度越高,反之,则越低。     

多狭缝法测量激光尾场电子束发射度的模拟研究

发射度是描述束流品质的重要物理量,根据发射度和传输矩阵可以准确计算束流包络和发散角的变化。在考察传统加速器束流发射度测量方法的基础上,提出采用多狭缝法对激光尾场产生的电子束发射度进行测量。采用宽度为20 m的多狭缝板对发射度为0.05 mmmrad的激光尾场加速电子发射度进行测量,数值模拟结果表明采用多狭缝法测量的相对误差可以控制在5%以内。并给出了不同狭缝参数对测量精度的影响,模拟结果表明狭缝宽度对发射度测量精度影响最大。狭缝宽度越窄,测量精度越高,反之,则越低。     

Halo formation and emittance growth of positron beams in plasmas

An ultrarelativistic 28.5 GeV, 700-microm-long positron bunch is focused near the entrance of a 1.4-m-long plasma with a density n(e) between approximately equal to 10(13) and approximately equal to 5 x 10(14) cm(-3). Partial neutralization of the bunch space charge by the mobile plasma electrons results in a reduction in transverse size by a factor of approximately equal to 3 in the high emittance plane of the beam approximately equal to 1 m downstream from the plasma exit. As n(e) increases, the formation of a beam halo containing approximately 40% of the total charge is observed, indicating that the plasma focusing force is nonlinear. Numerical simulations confirm these observations. The bunch with an incoming transverse size ratio of approximately 3 and emittance ratio of approximately 5 suffers emittance growth and exits the plasma with approximately equal sizes and emittances.     

Transport of Charged Particle Beam in Nonlinear Periodic Field

In this paper the transport of charged particle beams in nonlinear periodic fields is studied.By means of mapping method the emittance plots of beams matched with the nonlinear periodic fields can be obtained.The variance of emittance plots and envelopes of these beams are periodic and their periods are equal to the period of field.     

GaN发光二极管表观电容极值分析

利用正向交流(ac)小信号方法对GaN发光二极管的电容-电压特性进行测量,可以观察到GaN发光二极管中的负电容现象。正向偏压越大,测试频率越低,负电容现象越明显。测量到的负电容现象是表象,不存在负电容;提出GaN发光二极管p-n结的结电容在特定的正向电压范围内等效于可变电容。分析可变电容对正向交流小信号响应得到:特定参数的可变电容使结电容电流相位落后于交流小信号电压相位π/2,使得在测量中表现为负电容。发现表观电容-正向电压曲线的极值点与理论模型相吻合,证明了该理论模型的正确性。     

Single-bunch emittance dilution in the perfect ILC main linac

In the ILC (International Linear Collider) main linac, low emittance preservation is the most important issue for beam dynamics study. As the main sources of emittance dilution, the dispersive and wakefield effects were studied in this paper. The theoretical calculations and numerical simulations of these two effects on single-bunch emittance dilution, without any misalignment errors, are presented in detail.