线性电压扫描 MOS 电容 C-t 瞬态中的非稳态体产生效应

水文应用非稳态产生-复合统计理论，研究了线性扫描下MOS 电容的C-t瞬态，得到了稳态产生复合统计理论可近似用于分析 C-t瞬态的条件．结果表明，对于含有位于禁带中部的高浓度陷阱的低掺杂样品 ，非稳态体产生效应有显著影响，陷阱能级偏离禁带中部或降低测试温度可减弱这一效应的影响 ．     

Nd、Mn 离子掺杂对铁氧体LaFeO3的结构和性能影响

采用高温固相反应法制备了LaFe1-xMnxO3(x=0,0.1,0.2,0.3,0.4,0.5)和La1-xNdxFeO3(x=0.2,0.4,0.6,0.8,1.0)2个系列样品,分别研究了Mn离子部分替代Fe位掺杂、Nd离子部分替代La位掺杂对材料结构和性能的影响.研究结果表明:随着Nd离子掺杂浓度的增大,样品的晶格参数和晶胞体积均呈减小的趋势,随着Mn离子掺杂浓度的增大,样品的晶格参数和晶胞体积均有所增加.Mn离子掺杂使样品的居里温度呈现升高趋势,而Nd离子的掺杂使样品的居里温度呈现降低趋势.     

N,B,Fe-TiO_2催化剂的制备及其可见光催化性能

通过水热方法分别制备了N,B,Fe二元素掺杂和三元素掺杂的TiO2催化剂,并对各样品进行X射线衍射(XRD),紫外-可见漫反射(DRS),N2等温吸脱附、FT-IR等表征.制得的催化剂形貌为颗粒状,晶型主要以锐钛矿相为主,掺杂不影响催化剂的晶型,三元素掺杂TiO2催化剂具有较大的比表面积(220.1m2·g-1),三元素掺杂TiO2催化剂的禁带宽度为2.6eV.降解罗丹明B染料实验结果表明,N,B,Fe三元素掺杂的TiO2催化剂在400nm以上的可见光区有明显吸收,2h内降解率可达70.6%.分析表明,N,B的掺杂,减小了TiO2的带隙,Fe的掺杂,降低了光生电子和空穴复合的几率,三元素掺杂产生了协同效应,共同提高了TiO2在可见光的光催化效率.     

产生区宽度模型与产生寿命的确定

本文建议了一种由两个不同电压扫描率下的饱和电容值确定产生寿命的实验方法。C}7于这一实验方法只涉及不同电压扫描率下产生区宽度之差，因此无论使用Fierret的改进的产生区宽度模型或是使用简单的Zerbst模型都将给出同样的产生寿命值。实验结果表明，对于同一个MOS电容器样品，从不同电压扫描率组合得到的产生寿命值基本一致.     

Ba,Ti双位共掺杂BiFeO_3多铁功能陶瓷的制备与性能

采用快速液相烧结法制备出多铁BiFeO_3(BFO),Bi_1-xBa_xFe_(0.950)Ti_(0.050)O_3(x=0.100,0.150,0.200,0.300,0.350) 和Bi_(0.800)Ba_(0.200)Fe_(1-y)Ti_yO_3(y=0.025,0.050,0.075,0.100)陶瓷.研究了不同Ba,Ti掺杂含量对BFO陶瓷微观结构、表面形貌、介电性能以及磁性的影响.XRD测试表明制得的陶瓷样品为菱形钙钛矿结构,属于R3c空间群,Ba,Ti掺杂含量较高时会引起结构发生畸变.陶瓷的漏电流密度随Ba掺杂含量的升高而增大,却随Ti掺杂含量的升高而减小.磁性测试表明,Ba,Ti双位共掺杂BFO陶瓷具有饱和的磁滞回线,其剩余磁化强度随Ba掺杂含量的增加而增加,但随Ti掺杂含量的增加而减小.在x=0.350时陶瓷样品的最大剩余磁化强度达到0.29emu/g.     

稀土元素掺杂Mn-Zn铁氧体的制备及磁性能

以FeSO4.7H2O、MnSO4.H2O、ZnSO4.7H2O、RE2O3(RE=Y、Nd、Gd、Dy)、HCl为原料,NaOH溶液为沉淀剂、H2O2为氧化剂,采用氧化共沉淀法制备出稀土元素掺杂(RE=Y、Nd、Gd、Dy)Mn-Zn铁氧体(Mn0.5Zn0.5RExFe1-xO4),通过傅里叶变换红外光谱仪(IR),X射线衍射仪(XRD)和振动样品磁强计(VSM)对样品进行表征,讨论了稀土元素掺杂的种类和量对样品的结构和磁性能的影响。结果表明:要得到单相尖晶石结构Mn-Zn铁氧体,稀土元素掺杂量应控制在x≤0.02;Mn0.5Zn0.5RExFe1-xO4的晶粒度随掺杂含量x的增大单调减少;掺杂稀土元素Y、Nd对Mn-Zn铁氧体的磁性有削弱作用,不宜掺杂;而少量的稀土元素Gd、Dy掺杂有利于样品的饱和磁化强度的提高,x=0.02时,其饱和磁化强度分别达到最大值26.5和29.3emu/g。     

Gd_(1-x)Zn_xMnO_3系列化合物Rietveld结构分析

利用标准的固相反应法在1 350 ℃烧结了Gd(1-x)ZnxMnO3(x=0,0.2,0.4,0.6,0.8)样品.利用X射线衍射(XRD)对其晶体结构进行了研究.X射线衍射测量表明样品的单胞仍然具有正交结构.用Rielveld方法进行了结构精修,结果表明,随着Zn掺杂浓度的变化,导致A位原子半径的变化,样品的晶格常数、晶胞体积Mn-O键长、Mn-O-Mn键角随之变化.在Zn掺杂浓度x=0.4时,这种变化达最大.     

用水热法合成掺杂Pr的CoPrxFe2-xO4纳米颗粒及其形貌和磁性的研究

采用水热法制备了掺杂稀土元素镨(Pr)的铁氧化钴CoPrx Fe2 x O4(x=0.0、0.01、0.025、0.05、0.075、0.1)纳米颗粒.实验结果表明制备出来的样品是立方体结构的纳米颗粒,当掺杂量00.1(x=0.15)时出现杂峰.随着掺杂量从0增加到0.1时,样品的平均晶格尺寸从34nm减小到15nm,饱和磁化强度(Ms)从78emu/g单调减小至36emu/g,矫顽力从1008Oe降低到668Oe.     

溶剂热制备Cd_(1-x)Cu_xS纳米结构及其形貌和光学性能的研究

研究了Cu掺杂对溶剂热合成的CdS的结构、形貌和光性能的影响.X射线衍射结果显示全部样品均为结晶良好的六方相CdS,Cu掺杂后产物中没有出现任何杂相.Cu的掺入导致产物的品格和形貌发生了明显的变化.适当的Cu掺杂(x=0.075)可以得到由直径约为50nm的纳米俸组装而成的花状结构.紫外-可见吸收谱显示CdS在350-500nm波长范围内有一个较宽的吸收带.随着Cu掺杂浓度的增加,产物对可见光吸收增强,禁带宽度变窄.纯CdS在470nm和545nm有两个光致发光峰,而Cdo 925Cuo 075S样品的光致发光峰位分别位于470nm和525nm处,预示着Cd_(1-x)Cu_xS在可见光具有很好的荧光性能.     

掺C_(60)二氧化钛微晶特性和光催化活性研究

通过热分析、X射线衍射以及光活性测试 ,分析了不同掺杂量、不同煅烧温度下掺杂 C60 二氧化钛微晶样品 ,研究了掺杂对二氧化钛光活性的改善情况 . C60 掺杂二氧化钛体系中 C60 的热解温度明显提前 ,二氧化钛的晶化温度延迟、相变受到抑制且光活性得到一定程度的提高 ,其微晶参数也有一定规律变化 .     

线性电压扫描法测量硅的体产生寿命和表面产生速度的研究`

本文采用 Rab bain 的 产 生 区 宽度模 型,导 出了描述线性 电压 扫描 作用下 M O S 电容 器的电容 一 时间瞬态特性的微分方程,通过积分这一微分方程,得到 了描述线性 电压 扫描作用的M O S 电容器的 电容 一时 间瞬 态特性方 程.依据这 一方 程,提出了一 种确定体产生寿命和 表面产生速度的计算方法.     

一种曲线段近似生成算法

本文提出了用曲线的相交多边形代替曲线的内接多边形近似曲线的生成，用该算法生成的曲线可更准确报画出定义的曲线。     

基于Bezier曲面约束的多形态随机曲面生成方法

将随机图形与自由曲面的变形相结合,提出了随机曲面生成的均匀插值移位法．算法中,以Bezier曲面离散生成的de Casteljau算法为基础,利用不同性质的插值移位扰动量调控随机曲面的复杂多样性,可生成具有确定性的、随机性的、分形特征的和混合复杂性的四类不同形态特征的随机曲面．     

基于局部波形法的六面体自动分割网格法研究

三维有限元法是求解复杂工程问题所需的数值模拟方法．用有限元法进行数值模拟时．首先要建立被离散化的有限元网格模型．但是，许多工程问题的构造和形状非常复杂，为此分割有限元网格的难度也很大．此外，分割网格是否合理，直接影响有限元计算的精度．现有的各种有限元商用软件提供了很好的自动网格分割系统．但是，由于用六面体单元对复杂形状进行自动网格划分是非常困难。而目前为止还是用手来完成复杂的工作，所以六面体单元的自动网格划分和网格自适应性还未充分应用在实际工程之中．对任意复杂形状的物体进行分割网格时仍存在一些问题．本研究将介绍生成或已有的规则六面单元改变成形状复杂并合适的六面体单元的一种新的方法，即基于阻尼波形传播理论的方法．结果表明，只要把复杂外部形状按波的形式传输给指定的规则六面体单元模型，就可得有效的六面体单元的网格模型．     

自动铺丝平行等距轨迹规划算法实现

针对复合材料自动铺丝技术轨迹规划问题,提出了一种新的基于测地线的平行等距轨迹规划算法.该算法首先将已知的第一条轨迹线在曲面上等弧长离散得到若干数据点,然后在数据点处曲线切矢和曲面法矢的向量积方向上利用测地线的短程性获得下一条铺放轨迹上数据点,并利用B样条曲线拟和数据点生成铺放轨迹,最后使轨迹线铺满模具表面.算法中测地线利用微分方程组数值求解得到,以曲面曲线弧长为自变量,可实现等距线求解的自适应步长调整和较高的精度.经实际算例验证,该算法简单实用,精度能够满足铺丝技术工艺要求.     

基于 Ieda模型的产生区电流与产生 区宽度的理论关系

采 用 e I da 提 出的载流子发 射的三维 模型,研究了半 导体 中载 流子的 电场增强 产生现,推导 出基于三 维模 型的产 生区 电流 与产 生区宽度的理论关系,象果并用 于解 释有关的实验结果     

用MOS 结构同时测定少子复合寿命和产生寿命

本文报道了一种能同时确定半导体体内少子复合寿命和半导体表层空间电荷区少子产生寿命的实验技术。在处于强反型的MOS电容器上加一矩形脉冲,使其变为平带状态。此时,反型少子将注入半导体体内,并在那里复合。当脉冲结束时,尚未复合的反型少子被扫回半导体表面,MOS结构则进入深耗尽态。此后,在不变的栅压下,通过空间电荷区的少子产生,MOS结构将逐渐弛豫回到加脉冲前的强反型态。本文指出,由前一过程可确定少子复合寿命,而由后一过程可确定产生寿命,文中并分析讨论了界面态对测量结果的影响。     

温度对分光光度法测定超滤膜性能的影响

以分光光度法中的碘沉淀法为实验体系, 取聚乙二醇(PEG)为标准物质, 考察温度变化对分光光度法测定超滤膜截留分子质量、平均孔径以及孔径分布的影响. 结果表明, 当各个分子质量的PEG质量浓度一定时, 随着温度升高, 其吸光度减小. 温度对高质量浓度区间(>4mg?L-1)PEG吸光度的影响较大, 以PEG宽质量浓度区间(2~10mg?L-1)作标准曲线为基准, 温度升高时, 所测膜截留分子质量显著增加, 平均孔径增大, 膜孔径分布变宽. 温度对低质量浓度范围(<4mg?L-1) PEG吸光度的影响较小, 以PEG低质量浓度区间作标准曲线为基准, 各个温度条件下所测膜截留分子质量、平均孔径及膜孔径分布基本不变. 通过配制低质量浓度PEG溶液作标准曲线或将PEG渗透液稀释到低质量浓度区间进行吸光度测试可减小温度对分光光度法测定超滤膜性能的影响.     

生物组织非线性光学二次谐波及其层析成像分析

对生物组织中的二次谐波进行了理论分析，通过求解耦合波方程得到高散射介质中二次谐波的表达式，得出了具有高散射性的生物组织中的二次谐波理论模型，给出了散射因子的具体形式并作出了初步分析。并用蒙特卡罗方法分析了紧聚焦高斯光对生物组织进行二次谐波层析成像过程，得出了在探测生物组织不同深度时，探测点附近二次谐波的空间纵向分布及二次谐波信号光的强度变化。