FeCuCrVSiB单层和多层膜的横向巨磁阻抗效应

用射频溅射法制备了Fe_71.5Cu₁Cr_2.5V₄Si₁₂B₉单层膜和结构为(F/S)₃/M/(F/S)₃的多层膜，在制备过程中加72kA/m的纵向磁场.研究表明在制备过程中加磁场明显改善了材料的软磁性能，降低了材料的矫顽力.将样品经不同温度退火热处理后，发现经230℃退火1.5h的单层膜和多层膜具有最佳的软磁性能和最大的磁阻抗效应，单层膜最大横向磁阻抗比为37.5%，多层膜最大横向磁阻抗比高达277%.通过比较单层和多层膜磁阻抗效应随频率和磁场的变化，发现多层膜具有较低的磁阻抗效应的临界频率和峰值特征频率，和较大的磁阻抗变化率，而且有较低的横向磁阻抗效应的饱和场. 关键词： 铁基合金 多层膜 巨磁阻抗效应     

TbDyFe薄膜对三明治膜巨磁阻抗效应的影响

将600℃退火后的超磁致伸缩材料(Tb0.27Dy_0.73)_0.3Fe_0.7薄膜作为Ni_80.2Fe_14.1Si_0.2Mn_0.4Mo_5.1三明治膜的基底，制备出四层膜.结果表明：附加的磁致伸缩并没有减小材料的巨磁阻抗(GMI)效应，而由于磁场下磁致伸缩材料的应力效应影响了三明治膜中的各向异性场，使三明治膜的GMI效应增大了4倍.再将制备态的四层膜在280℃下真空退火，退火态四层膜也增大了三明治膜的GMI效应，但可能由于磁致伸缩向磁性层中的扩散，其GMI效应相对于制备态四层膜则有所降低. 关键词： 巨磁阻抗(GMI)效应 三明治膜 TbDyFe薄膜 各向异性场     

FeCuNbSiB单层膜和三明治膜的磁特性与巨磁阻抗效应

用射频溅射法制备了Fe_73.5Cu₁Nb₃Si_13.5B₉单层膜和 Cu或Ag作为中间层的三明治膜.溅态膜为非晶态结构.磁畴观察结果表明,单层膜在380℃退火后,呈现均匀磁化的纳米晶结构,该样品软磁特性最佳,其巨磁阻抗效应最大,在13MHz,最大磁阻抗比纵向为18％,横向为14％.溅态三明治膜具有较大的巨磁阻抗效应,在13MHz,Cu夹层三明治膜的最大磁阻抗比纵向为32％,横向为11％,Ag夹层三明治膜的最大磁阻抗比纵向为47％,横向为57％.Cu夹层三明治膜经250℃退火后,在低频下表现为巨磁电感效应,在100kHz,最大磁电感比为1733％. 关键词：     

退火对Co35(SiO2)65颗粒膜巨磁电阻效应的影响

采用多靶离子束溅射镀膜机制备了一系列不同退火温度的Co₃₅(SiO₂)₆₅（体积百分数）颗粒膜样品,发现样品的巨磁电阻效应随着退火温度T_a的升高而单调下降.应用磁力显微镜对样品的磁结构进行了观测,发现随着退火温度的升高,近邻的Co颗粒的磁矩倾向于平行排列,形成磁畴结构,从而导致Co₃₅(SiO₂)₆₅颗粒膜巨磁电阻效应单调下降. 关键词：     

磁场退火对Co基熔体抽拉丝巨磁阻抗效应的影响

对Co基熔体抽拉非晶丝进行了普通炉内退火和不同磁场强度（500 Oe,1600 Oe,4000 Oe）下的横向和纵向磁场退火,利用HP4192阻抗分析仪和Lakeshore7407VSM分析了退火态样品的巨磁阻抗（GMI）效应和软磁性能.研究结果表明,纵向磁场降低了环向各向异性,纵向磁场退火样品GMI效应降低且GMI曲线为单峰,最大阻抗变化率ΔZ/Z为131%,磁场响应灵敏度为7%/Oe;而横向磁场提高了环向畴体积,增加了环向各向异性场,导致退火样品GMI曲线随频率升高由单峰转 关键词： 非晶丝 巨磁阻抗效应 退火     

各向异性场对三明治膜巨磁阻抗效应的影响

根据具有巨磁阻抗(GMI)效应的实际三明治样品的状况，提出三明治结构作为理论计算的模型，考虑了磁性层的各向异性场，利用一定边界条件下的Maxwell方程和Landau-Lifshitz方程对模型进行了理论计算，得到了阻抗与频率、各向异性场等因素间的函数关系.在此基础上，着重讨论了各向异性场H_k的作用.H_k的大小、方向均会对GMI效应造成影响，最佳的H_k应在400A/m左右，位于面内并与电流垂直.还证实了三明治结构中磁性层的磁致伸缩只会减弱G 关键词： 巨磁阻抗(GMI)效应 三明治膜 Maxwell方程 Landau-Lifshitz方程     

电沉积复合丝及其巨磁阻抗效应的研究

采用脉冲电沉积工艺在Cu丝上沉积Fe Ni合金镀层 ,成功地制备出巨磁阻抗效应 (GMI)复合丝材料 ,研究了复合丝的磁性能和巨磁阻抗效应 .复合丝外壳磁性镀层软磁性越好 ,巨磁阻抗效应越明显 ,制备的复合丝最高巨磁阻抗效应为 2 7.19% .研究了复合丝阻抗与巨磁阻抗比值GMI随外加磁场的变化 ,其变化曲线的形状受复合丝磁各向异性场的影响 .此外 ,还研究了复合丝巨磁阻抗效应与驱动交变电流频率的关系 ,复合丝Fe17Ni83 样品巨磁阻抗效应的临界频率为 30kHz(GMI为 9.95 % ) ,特征频率为 30 0kHz(GMI为 2 7.19% ) ,截止频率为 10MHz (GMI为 10 .36 % ) .如此低的临界频率和特征频率及较宽的频率段对于实际应用非常有利 .     

非晶CoFeNiNbSiB合金的巨磁阻抗效应

研究了非晶Co₇₀Fe_4.5Ni₄Nb₁Si_12.5B₈合金薄带的巨磁阻抗效应.实验表明,在一定频率范围内提高测试频率,磁阻抗效应有明显提高;适当温度的退火也有助于磁阻抗效应的提高.制备态非晶合金样品在频率为5MHz下达120%左右,经过退火处理的非晶样品5MHz下的效应可达400%左右. 关键词：     

三明治结构与同轴电缆结构磁性材料巨磁阻抗效应的理论研究

根据两种具有巨磁阻抗（GMI）效应的磁性材料实验样品，提出了两种理论模型（同轴电缆结构——Cu丝外覆软磁材料的圆柱形；三明治结构——Cu或Ag为中间层外包软磁层的三明治膜），利用Maxwell方程和Landau_Lifshitz方程对其GMI效应的机理进行了理论研究.证明了两种模型的差别仅仅是形状因子的不同，从而由理论上证实了两种结构GMI效应增强的内在一致性.证实了在同种磁性材料情况下，双层结构具有结构方面的优越性.并对照实验数据讨论了参数的影响，得到与实验定性相符的结果. 关键词： 巨磁阻抗效应 三明治膜 Maxwell方程 Landau_Lifshit     

射频溅射功率对FeZrBCu软磁合金薄膜巨磁阻抗效应的影响

用射频溅射法制备了FeZrBCu软磁合金薄膜.研究了不同溅射功率对FeZrBCu薄膜软磁特性和巨磁阻抗效应的影响.用电子探针显微镜测量发现，当溅射功率为240W时，薄膜样品中Fe的原子含量为8732%，Cu的原子含量为29%.这种样品的矫顽力最小，为68A/m，饱和磁化强度约为111×105⁵A/m，软磁性能最佳，巨磁阻抗效应最大，溅态膜在 13MHz最大巨磁阻抗比纵向为17%，横向为11%.重点分析了阻抗的电阻、电感分量及横向有 效磁导率随频率的变化，得到在低频下主要是磁电感 关键词： 铁基合金 薄膜 巨磁阻抗效应     

Giant magnetoimpedance in FM/SiO2/Cu/SiO2/FM films at GHz frequencies

We study the magnetic properties at high frequency of new structures of the tri-layer samples. The magnetoimpedance effect was analyzed in FM/i/Cu/i/FM sandwiched layers, where the ferromagnetic layer (FM) is, in fact, a multilayered film [F (10 nm)+Cu (1 nm)]×50 and F is the amorphous ferromagnetic alloy Fe_73.5Cu₁Nb₃Si_13.5B₉ and i is an isolating layer produced by magnetron sputtering. The effect of, both, the probe current frequency (in the range 10 MHz–1.8 GHz) and the dimensions of the magnetic and non-magnetic layers of the MI response were investigated. A comparison between samples with and without the isolating layer is discussed. MI ratios of 220% were obtained for samples at 180 MHz with a ferromagnetic and Cu width layers of 2 and 1 mm, respectively.     

Giant magnetoimpedance effect in sputtered single layered NiFe film and meander NiFe/Cu/NiFe film

Giant magnetoimpedance (GMI) effect on NiFe thin film is very promising due to its application in developing the magnetic field sensors with highly sensitivity and low cost. In this paper, the single layered NiFe thin film and NiFe/Cu/NiFe thin film with a meander structure are prepared by the MEMS technology. The influences of sputtering parameters, film structure and conductor layer width on GMI effect in NiFe single layer and meander NiFe/Cu/NiFe film are investigated. Maximum of the GMI ratio in single layer and sandwich film is 5% and 64%, respectively. The results obtained are useful for developing the high-performance magnetic sensors based on NiFe thin film.     

FeCo基磁芯螺线管巨磁阻抗效应与磁芯长度关系的研究

研究了Fe₃₆Co₃₆Nb₄Si_4.8B_19.2合金薄带为磁芯的螺线管(FeCo基磁芯螺线管)的巨磁阻抗效应与磁芯长度之间的关系.研究结果表明,磁芯长度是影响FeCo基磁芯螺线管巨磁阻抗效应的重要因素.当磁芯长度小于螺线管长度时,磁芯螺线管巨磁阻抗的最大值(ΔZ/Z)_max与磁芯长度呈线性关系,其线性相关系数可以根据电磁学理论推导得到;当磁芯的长度大于螺线管的长度时,由于漏磁作用,(ΔZ/Z)_max与磁芯长度的关系偏离了线性关系,(ΔZ/Z)_max与磁芯长度的关系曲线中有一个极值点,(ΔZ/Z)_max在极值点达到最大.磁芯螺线管巨磁阻抗效应曲线的尖刺部分高度(ΔZ/Z)_T与磁芯长度的关系也有类似的极值点,(ΔZ/Z)_T在极值点达到最大值.磁芯螺线管巨磁阻抗效应曲线的尖刺部分对弱磁场敏感,受磁芯退磁场的影响明显,磁芯的退磁场与磁芯长度呈负指数关系. 关键词： 磁芯螺线管 FeCo基合金薄带 巨磁阻抗效应 磁芯长度     

Effect of magnetic field annealing and size on the giant magnetoimpedance in micro-patterned Co-based ribbon with a meander structure

Micro-patterned Co-based amorphous ribbons (Metglas^® 2714A) with a meander structure are fabricated by MEMS technology and the giant magnetoimpedance (GMI) effects are measured at different magnetic fields and frequencies. The effect of magnetic field annealing and size (line width and line length) on the GMI effect is investigated. It is found that the GMI effect in the transverse magnetic field-annealed state is larger than that in longitudinal magnetic field-annealed state and nonfield-annealed state. The maximum GMI effect increases from 82 % for the sample with 5 mm length to 150 % for the sample with 10 mm length, and the maximum GMI effect decreases with the increase of the line width.     

Giant magnetoimpedance in amorphous (Co0.93Fe0.7)63Ni10Si11B16 glass-coated microwire

Giant magnetoimpedance (GMI) effect has been measured in a glass-coated amorphous (Co_0.93Fe_0.7)₆₃Ni₁₀Si₁₁B₁₆ microwire as a function of DC magnetic field and up to the frequency of 11 MHz. The sample shows single peak GMI characteristics within the whole range of frequency. The domain structure of the above sample has been changed by applying tensile stresses up to 603 MPa and current annealing with a DC current of 50 mA for various time durations, and the corresponding effect on GMI has been studied in detail. A maximum change of 8.85% in MI of the as-quenched sample has been observed around a frequency of 5.05 MHz. Application of an external tensile stress reduces the GMI value by increasing the inner core domain, whereas heat treatment of the sample enhances the same. The square-shaped magnetic hysteresis loop of the as-quenched sample helps us understanding the MI results.