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《江苏大学学报(自然科学版)》2001,22(4):12-14
压电应变常数d33是表征压电元件压电性能的重要参数之一.本研究从d33的定义出发,利用压电元件的逆压电效应,给出一种测量d33常数的新方法——E-S法.文中通过实验对具体的压电陶瓷片的d33进行了测量,并将E-S法与准静态法的测试结果进行比较分析,结论表明这种方法具有较高的精度. 相似文献
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E—S法测量压电元件压电应变常数d33的研究 总被引：1，自引：0，他引：1
压电应变常数d33是表征压电元件压电性能的重要参数之一,本研究从d33的定义出发,利用压电元件的逆压电效应,给出一种测量d33常数的新方法－－E－S法,文中通过实验对具体的压电陶瓷片的d33进行了测量,并将E－S法与准静态法的测试结果进行比较分析,结论表明这种方法具有较高的精度。 相似文献
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压电应变常数d33是表征压电元件压电性能的重要参数之一 本研究从d33的定义出发 ,利用压电元件的逆压电效应 ,给出一种测量d33常数的新方法———E -S法 文中通过实验对具体的压电陶瓷片的d33进行了测量 ,并将E -S法与准静态法的测试结果进行比较分析 ,结论表明这种方法具有较高的精度 相似文献
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采用两类切型的晶片,利用动态法对用缓慢升温法生长的新型非铁电性二元系压电晶体Ga_(0.12)Al_(0.88)PO_4电弹常数进行了测量。 相似文献
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用干涉法测量了 THAMP 晶体的全部压电系数。结果为:d_(21)=6.6,d_(22)=-4.1,d_(23)=1.3,d_(25)=-1.7,d_(14)=3.2,d_(16)=-1.2,d_(34)=2.6,d_(36)=4.0×10~(-12)C/N. 相似文献
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γ—甘氨酸(γ—NH_2CH_2COOH)晶体是一种比较新的强压电体。我们用准静态方法测量了它的压电应变常数 d_(33)和 d_(11)(=dz_(22)),并利用动态法测量了d_(33)、机电耦合系数 k_(33)等,研究了13MHz 以下的介电谱,并对介电常数ε_(33)和压电应变常数 d_(33)、d_(11)等进行了比较和讨论。 相似文献
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基于压电双晶片的测量薄膜应变的膨胀仪 总被引：3，自引：0，他引：3
研制了一种基于压电双晶片的高灵敏度膨胀仪,它能够在较宽的频率范围内,可靠、方便地测量自由状态下又薄又软的共聚物薄膜最度方向的电场致应变,测试结果证明这种新型的膨胀仪在频率为１００Ｈｚ时能探测低于０．１ｎｍ的位移,最后测量了一种共聚物薄膜的电场致应变。 相似文献
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用复函数的Faber级数展开方法 ,通过求解Hilbert问题研究了含任意曲线裂纹的压电材料反平面应变问题 ,获得了问题的解析解和场强度因子。结果表明 ,当边界上仅受应力和电位移载荷作用时 ,应力场与电位移载荷无关 ,电位移场与应力载荷无关。算例中分别给出了圆弧裂纹的强度因子和椭圆弧裂纹问题的无量纲强度因子。 相似文献
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用复变函数解析延展原理，研究了集中载荷作用下的不同压电材料反平面应变状态的共圆弧电渗透型界面裂纹的耦合场；对单个圆弧裂纹，给出了封闭形式的复函数解和场强度因子．结呆表明，在裂尖处耦会场有（1／2）阶的奇异性． 相似文献
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本文采用液体双相法分离苏云金杆菌以色变种187菌株产生的伴孢晶体,然后碱解提取具体物活性的晶体毒素蛋白作为抗原,以ELISA间接法测定,最低检测阀值为1ng/ml。最敏感的检测区间为10~(-6)—10~(-9)g/ml。此区间内,抗原浓度的负对数值与ELISA的吸光值呈直线关系,其直线回归方程为(?)=6.457-0.3x。 相似文献
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在室温及恒定的离子强度条件下,用pH电位法首次测定了单宁酸和木麻黄单宁的加质子常数,并分别求出各单宁配体的分布系数。还测定了它们的若干金属配合物的稳定常数。用同样方法还对苯酚、邻苯二酚及没食子酸三个模型化合物的加质子常数和有关金属配合物的稳定常数进行了测定。 相似文献
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给出Sobolev常数与Nash常数之间的关系式，进而得到负曲率流形上这2个常数的显式估计。 相似文献
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首次测定了属于点群2的极性晶体三羟甲基氨基甲烷砷酸盐(THAMAs)的全部介电、压电及弹性常数,并研究了其低温热释电性。热释电系数在低温时呈现两个峰,其机理有待进一步研究。 相似文献