高T_c超导π环的自发磁化

分析和计算了Tsuei三晶实验中有一个结是π结的三结π环的自发磁化 ,发现与单结π环明显不同 ,当 β =2πLIc 0 趋于零时 ,环中仍有自发磁化 .详细计算表明随温度下降 ,β值增大 ,自发磁化磁矩很快上升并趋于0 2 .很好地说明了Tsuei的自发磁化温度曲线 .     

高Tc超导π环的自发磁化

分析和计算了Tsuei三晶实验中有一个结是π结的三结π环的自发磁化,发现与单结π环明显不同,当β=2πLI_c/φ₀趋于零时,环中仍有自发磁化.详细计算表明随温度下降,β值增大,自发磁化磁矩很快上升并趋于φ₀/2.很好地说明了Tsuei的自发磁化温度曲线. 关键词： 自发磁化 π结 自由能     

自发磁化的超导π环在电触发下的行为

运用Runge-Kutta四步积分法分析了一个双结π环电路在输入脉冲电流触发下自发磁化电流的翻转过程.发现在适当的参数条件下，输入周期性脉冲，π环环流会产生周期性翻转现象，由正到负和由负到正的翻转将产生不同的输出脉冲.以此可检验π环自发磁化电流的方向和电触发下的翻转现象. 关键词： π结 自发磁化 Runge-Kutta四步积分法     

双结π环自发磁化的研究

研究了超导双结π环的自发磁化现象.讨论了双结π环可能发生自发磁化的条件，指出了自发磁化条件不仅与电感参数β有关，而且与两结临界电流之比有关.并通过分析自由能证明自发磁化是稳定的状态.最后给出了讨论结果和渐进行为. 关键词： 双结π环 自发磁化 自由能     

耦合双π环的自发磁化

分析和计算了耦合双π环的自由能，结果表明当两个π环自发磁化方向相反时系统的能量较低，还证明了反向自发磁化是来自量子效应. 关键词： 耦合双π环 反向自发磁化 自由能     

环自发磁化的几个物理问题的研究

本文总结了我们对π环自发磁化的几个相关物理问题的研究结果.首先分析计算了有一个结是π结的三结π环的自发磁化,发现与单结π环明显不同,当β=2πLIc/φ0趋于零时,环中仍有自发磁化.详细计算表明随温度下降,β增大,自发磁化磁矩很快上升并趋于φ0/2,能和实验很好的符合.继而运用Runge-Kutta四步积分法分析了一个双结π环电路在输入脉冲电流触发下自发磁化电流的翻转过程.并在此基础上计算了电感系数,输入脉冲电流的峰值和峰宽等因素对翻转过程的影响,获得了自发磁化电流在电触发下翻转的一般规律.最后分析和计算了耦合双π环的自由能,结果表明当两个π环自发磁化方向相反时系统的能量较低,还证明了互感为0时的反向自发磁化是来自量子效应.     

自发磁化渗流模型的可视化演示实验

经过多年的发展,统计物理对自发磁化进行了深入研究并取得丰硕成果。但是对该理论,很多学生难以建立相应物理图像。借助自发磁化的渗流模型和Java语言,我们将自发磁化过程中铁磁物质磁性有无与系统微观形貌上所定义集团连通与否这一定量关系动态直观地展示给学生,从而达到增加感性认识,提高教学效果的目的。     

超导环电流的研究

以修正的含时金兹堡-朗道理论去研究超导环的超流特性；计算了涡旋运动方程，理论上得到超导环电流是超流量子的整数倍，并且具有多涡旋跳跃；从理论上得到超导环的磁场是量子化的.一定条件下，超流的符号可以发生反转，并且理论上得到了它的表达式.认为超导环是具有对势的对称. 关键词： 超导环 电流 超导电性     

均匀磁场中超导球的准静态磁化

在普通物理知识范围内,根据超导体的迈纳斯效应和磁场边值条件的唯一性,计算出了均匀外磁场中超导球表面的超导电流和磁场分布.     

圆对称环域Josephson结中的零场台阶

对计及干涉项的描述圆对称环域Josephson结扰动sine-Gordon方程数值研究表明:在无外磁场时,对于内外半径分别为7.5λ_j和12.5λ_j的结,在它的Ⅰ-V特性曲线上呈现两支零场台阶,它们分别对应于单孤子和三孤子激发,双孤子的激发是不稳定的,它仅存在于暂态过程之中,三孤子激发相当于一维结中三孤子的对称模式,且伴随着包括不同振荡周期等的运动不规则性。 关键词：     

近零介电常数区超导薄层的Goos-H?nchen位移

Goos-H?nchen(GH)位移是一种特殊的光学现象,具有广泛的应用.构造材料光学性质的差异对同一结构的GH位移有很大影响.在近零介电常数区,本文比较研究了不同偏振态的光波入射到超导薄层上的GH位移.当以大于临界角的入射角入射时,s偏振光的GH位移始终保持为正值,而p偏振光的GH位移的正负与超导材料的介电常数为零时的波长相关联.当入射光波长大于该波长时,GH位移会出现负值.相关参数对不同偏振态下的GH位移的影响存在较大差异.相对于p偏振光,GH位移在s偏振光入射时随相关参数的变化规律较为简单.超导材料在光子学领域具有广泛的应用,计算结果为基于超导材料的新型光子学器件研究开发提供了参考.     

具有超导环向场磁体的HT－7装置

本文概述了建造具有超导环向场线圈的ＨＴ－７装置进展情况，对装置各部分的特点及主要参数作了详细介绍．     

用超导环探测磁单极子的原理

早在1931年,狄拉克从理论上就预言了磁单极子的存在.那么,怎样寻找磁单极子呢?科学家根据磁单极子的性质设计了各种探测方法.人教版全日制普通高级中学物理教材中有一篇阅读材料:寻找     

侧基对π-π耦合双分子结电输运性质的影响

从第一性原理出发，利用杂化密度泛函理论，结合弹性散射格林函数方法，我们研究了侧基对OPE（Oligophenyleneethynylene）双分子结电输运性质以及两分子间的π-π耦合作用的影响。研究表明，苯环上的侧基影响了两分子间的π-π耦合强度。当侧基为氧甲基时，侧基提高了分子间的π-π耦合作用，促进了分子间电荷的传输。当侧基为叔丁基时，侧基降低了π-π耦合作用，不利于分子间电荷的传输。理论计算结果解释了实验结果。     

侧基对π-π耦合双分子结电输运性质的影响

从第一性原理出发，利用杂化密度泛函理论，结合弹性散射格林函数方法，我们研究了侧基对OPE（Oligophenyleneethynylene）双分子结电输运性质以及两分子间的π-π耦合作用的影响。研究表明，苯环上的侧基影响了两分子间的π-π耦合强度。当侧基为氧甲基时，侧基提高了分子间的π-π耦合作用，促进了分子间电荷的传输。当侧基为叔丁基时，侧基降低了π-π耦合作用，不利于分子间电荷的传输。理论计算结果解释了实验结果。     

W(110)基底上的铁纳米岛初始自发磁化态的微磁学模拟

用微磁学模拟研究W(110)基底上铁纳米岛的初始自发磁化态的磁畴结构,确定了不规则形状、椭圆形和矩形岛中不同磁畴态之间的各向异性常数的临界点,得到了纳米岛的磁化态作为各向异性常数和厚度函数的完整相图,相图中存在一较宽的过渡区,把双畴态与涡旋态和菱形态分开,过渡区两侧的边界是不确定的.计算结果表明,初始自发磁化态的磁畴结构主要由各向异性及岛的厚度决定,而且岛的边沿形状对涡旋态和菱形态的磁畴结构有重要影响.准确的铁纳米岛的各向异性常数仍有待于进一步确定. 关键词： 初始自发磁化磁畴结构 铁纳米岛 微磁学模拟 各向异性     

Ground state of a superconducting π ring array under external magnetic fields

The ground state of a two-dimensional square superconducting π ring array has been investigated. The circulating currents of the π ring array will spontaneously magnetize to the `antiferromagnetic' arrangement with directions of the nearest-neighbouring currents circulating oppositely in the absence of an external magnetic field. It is found that the external magnetic field could destroy the anti-parallel configuration effectively. The external magnetic field needed to destroy the anti-parallel configuration is related to the superconducting \pi ring's inductance parameter β=2\pi L I_c/\phi₀. For a small β the anti-parallel configuration, which is the lowest-energy ground state of the system, will be fully destroyed and changed to the configuration that the circulating currents have the same direction and parallel to the external magnetic field when the magnetic flux reaches \phi₀/4 in each ring. Moreover, the magnetic field needed to destroy the anti-parallel configuration will be very small when β is large enough.     

不同截面几何形状超导带材的磁化损耗

针对不同截面几何形状带材,基于高温超导体非线性特性,假设超导体处于横向交变磁场作用下,研究其截面上磁化电流密度的分布,以及磁场穿透超导体过程的特征。结果显示同样面积大小时,椭圆矩形较之圆形方形更易穿透,电流密度分布更加不均,交流损耗的值也随之增大。     

电流激励下两带单结超导环的电磁性质研究

在两带Ginzburg-Landau理论基础上,我们研究了在电流激励情形下两带单结超导环的电磁性质.两带超导环中可引入的两个超导序参量的相位差满足sine-Gordon方程,由该方程的孤立子解我们得到了单个超导结(微桥结构)两端相位差与总磁通之间的线性关系.通过微桥中电流与超导结两端相位差满足的非线性Josephson方程,建立了在电流激励下环内磁通与外加电流之间的依赖关系.我们的分析表明两带超导环中可能产生的孤立子解及分数磁通量子化现象可以通过测量单结超导环中的电磁性质加以验证.