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高密度光数据存储技术的发展 总被引:12,自引:1,他引:11
讨论了信息技术发展中信息数据存储的重要性,比较了磁存储和光存储的各自特点,介绍了光盘存储技术的发展趋势和高度光盘存储技术的关键问题,进一步讨论了超高密度光存储的发展可能。 相似文献
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信息存储的现状和未来发展 总被引:9,自引:0,他引:9
本文着重从磁存储出发讨论了磁光存储,硬磁盘存储的现状和未来发展。沿用传统的驱动器,它们的面存储密度的极限大致在10Gbits/in2的量级,这主要是由存储材料性能和信息存取模式(磁头或光头)的限制。为要进一步提高存储密度,需采取类似近场光学、原子力、磁力和扫描隧道显微镜这样的现代手段来进行信息的存储,但要实现,需要一段较长的时间。在磁存储获得发展的同时,非磁的光存储介质的应用得到了开发,主要是CD-ROM(只读式),CDR(写一次)和PD(相变型)。正是磁和光存储介质在信息存储中的应用,使当今信息技术中一重要领域——信息存储显得生气勃勃。 相似文献
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介绍了可用于可录、可擦除、全息光存储及超分辨掩膜层的氧化物、次氧化物薄膜材料的种类、制备方法、光存储特性和存储机制。这类薄膜材料由于具有种类多、应用范围广、制备方法多样、写入灵敏度高和记录稳定性好等优点 ,正受到各国研究者越来越多的关注。分析总结了这类材料的研究现状、存在的主要问题和未来发展方向 相似文献
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多阶游程存储是一种不改变光学系统而显著提高光存储容量和数据传输率的新方法.介绍了光致变色多阶游程存储原理和实验系统.提出了基于光致变色原理的多阶游程存储数学模型,该模型反映了记录符反射率与曝光功率、曝光时间之间的非线性关系,并在此基础上确定了光致变色多阶游程存储的写策略.基于650nm光致变色材料进行了4阶游程存储的动态实验.结果表明,实验中采用的650nm光致变色材料可用于多阶游程存储,采用的写策略能够有效地使记录信道线性化,利于采用适合线性系统的信号处理方法.
关键词:
多阶游程
光致变色
光存储
写策略 相似文献
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推拉型偶氮化合物的存储特性研究 总被引:5,自引:2,他引:3
合成了一种新的推拉型偶氮化合物并将其掺入聚甲基丙烯酸甲酯中制成光学薄膜器件,用其实现了非共振共的可见光长波段光存储,获得了良好的实时和长时存储的图象信息。存储功率密度小于0.1W/cm^2。文中还分析了这种在非共振吸收区的光存储机理。 相似文献
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本文对频域光存储中影响存储密度和读写速率的因素进行探讨,对实现高密度存储和高速数据传输所要求的材料特性和读写条件进行深入的分析,得到的最佳参量空间将为频域光存储的系统研究提供理论依据。 相似文献
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造纸术的发明使人们可以方便的记录信息,同时也使我国数千年的历史和众多优秀的传统文化得到了较为完整的保存.随着社会的不断进步、科技的高速发展,尤其是计算机和网络技术日新月异的发展,各种信息以不可阻挡的力量涌入人们的生活,人们几乎每天都要处理和存储大量的信息,用纸张来记录信息已远不能满足人们的需求,这就需要一种更为有效的信息存储技术来存储信息,而光存储技术是信存储技术中最有效的方法.本文对光存储技术的原理、应用和发展前景做一简要介绍. 相似文献
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双光子吸收三维数字光存储 总被引:6,自引:0,他引:6
双光子吸收三维数字光存储是实现超高密度光存储的一种重要方法,双光子吸收几率与作用光强的平方成正比,使得只有位于焦点小范围内的记录介质受到激发,双光子吸收激发的光致聚事作用,光致变色作用、光致荧光漂白、光折变等效应,引起这一小范围内记录介质的光学性质发生改变,结果能将信息写到亚微米尺度的体积单元中,实现三维数字光存储,这种双光子吸收三维数字光存储密度可达10^12Bits/cm^3。文章介绍了双光子吸收三维数字光存储的原理和进展。 相似文献
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为提高双光子三维光存储的深层存储信息的读出信号强度和存储容量,根据Torok的光在多层介质中传播理论,模拟了折射率失配情况下(介质折射率为1.48,数值孔径为NA=0.65)双光子写入光束在不同存储深度处会聚点的强度分布,分析得到了会聚点处最大光强平方与存储深度的关系;根据原子的光吸收基本理论,分析得到了等曝光量写入光强不变情况下曝光时间随存储深度增加的递增关系;根据上述结果和利用自制的双光子三维光存储系统在光致变色存储材料中实现了连续八层的信息存储对比实验,实验结果表明等曝光量时间递增存储方法可有效提高存储容量和深层存储信息的读出信号强度. 相似文献