共查询到19条相似文献,搜索用时 46 毫秒
1.
2.
3.
4.
5.
本文利用密度矩阵方法得到了加偏置电场的抛物量子阱中电光效应的解析表达式,并以典型的GaAs抛物量子阱为例进行了数值计算研究结果表明,电光效应随偏置电场和抛物势频率的增大而增强,同时也表明GaAs量子阱中的电光效应比体GaAs中的要强一个数量级以上。 相似文献
6.
本文提出了KDP和TGS单晶在静电场作用下中子衍射增强现象的物理机理。KDP和TGS都是质子导电晶体。外加直流电压后,晶体中电场有一空间分布。由于压电效应,相关的衍射晶面间距是空间坐标的函数,造成中子衍射增强。对衍射晶面间距为空间坐标函数的情况,导出了透射方式和反射方式的中子衍射强度公式,估计了非均匀的压电效应引起的中子衍射增强的量级,和实验相符。并对进一步验证上述机理提出了新的实验建议。顺便指出,对于α-LiIO3,在静电场作用下其中子衍射增强,非均匀压电效应不是主要因素。并提出其可能的微观机制是:在非均匀电场作用下,缺陷(包括杂质)在晶体中有一空间分布,引起中子衍射增强。
关键词: 相似文献
7.
8.
9.
10.
为探讨洞悉电场对有机发光二极管电致荧光量子效率的影响,通过激发-探测超快光谱技术研究了激子在电场下的瞬态行为.与单重态激子相应的激发态在230 μJ/cm2激发强度下,显示了快慢两个弛豫过程. 快慢组分的权重因子及快组分弛豫时间常数是电场相关的, 在6.4×105 V/cm的电场下,与无偏置电场相比,激子的快组分弛豫时间加速,快组分的权重因子由22%增加为72%,约50%的初始激子又通过电场而离解. 慢组分是电场无关的,其弛豫时间常数为890 ps. 实验结果还揭示了由激发光所产生的长程声学声子,其声速为17 /ps.
关键词:
聚对苯乙烯
超快光谱
激子
有机发光二极管 相似文献
11.
12.
13.
利用有限元法对勾形磁场环境下硅单晶Czochralski生长时炉内的传递过程进行了全局数值模拟,磁场强度范围为(0~2.0)T.结果表明:勾形磁场可有效抑制熔体内的流动;随着磁场强度增加,熔体内对流逐渐减弱,加热器功率增大,结晶界面温度梯度在磁场强度为0.05T时略有降低,之后增加;结晶界面形状在磁场强度为0.05T和0.1T时向熔体侧弯曲,之后随磁场的增加,变得平坦;同时,熔体内的传质机制逐渐转为以扩散为主;结晶界面平均氧浓度随磁场强度的增加而逐渐降低,当磁场强度高于1.0T时,结晶界面氧浓度会略有上升. 相似文献
14.
15.
我们测量了分子式为{Bi3-2xCa2x}[Fc2-yIny](Fe(3x)Vx)O12的铁石榴石单晶(简记为代In的BCVIG)在0.45—0.80μm内的饱和极向磁光克尔旋转谱。在0.47μm附近观察到一个强的旋转峰值。通过改变In,V(Bi)的替代量获得了室温下磁矩抵消点附近0.47μm磁光旋转值与成份的关系。发现当替代量的变化通过磁矩抵消点时,克尔旋转的符号突然由正变负,但其绝对值并不依替代量趋近磁矩抵消点(总4πMs下降)而逐渐下降。还发现In的代入使磁光旋转有所增强,在y≈0.15时增强最大。借助总磁光旋转为Bi增强了的次点阵磁光旋转迭加的模型解释了代In引起的旋转增强。按此拟合实验结果导出了0.47μm下四、八面体次晶格旋转系数之比为α4/α8≈1.5即单位Fe3+在四面体比在八面体对磁光旋转的贡献大。实验结果还表明,在x<1.0的配方区,并有小量In代入(y<0.15)时可望得到大磁光旋转材料。考虑到低而可变的4πMs,高的居里点和相当大的磁光旋转,该配方区的代In的BCVIG在磁光各种应用中将是强有力的竞争者。
关键词: 相似文献
16.
本文用X射线双晶衍射平行排列(n,-n)的方法,观察了α-LiIO3单晶体生长过程点阵常数a与c不规则的不均匀性以及在静电场作用下c的起伏现象。观测出在静电场作用下a与c的变化和沿电场方向晶体表面层存在点阵常数的梯度。从而,证明了l≠0的晶面在静电场作用下,中子衍射的增强是由于在z轴向点阵常数c存在梯度的观点。同时,(010)晶面中子衍射强度在同样静电场作用下不增强的实验事实,从本实验结果,可以认为是点阵常数a原有的不均匀性较大,掩盖了a的梯度所致。
关键词: 相似文献
17.
18.