探测光功率对半导体全光波长变换器性能的影响分析

根据半导体光放大器的高频滤波效应,利用动态载流子恢复时间的概念,分析了基于半导体光放大器交叉增益调制的全光波长变换器中变换信号的波形、啁啾与探测光功率的关系。理论计算表明,在保持变换信号消光比相同的情况下,在大的探测光功率下,变换信号的波形将变好,并且啁啾对变换信号码间干扰的影响会减小,理论很好地解释了文献中的实验结果。     

电场对半导体俄歇复合的影响

半导体的无辐射俄歇复合有时受电场的影响。不仅受外场而且也受内场(表面场,p-n结电场)的影响,因此我们计算了这种场(以均匀场处理)的影响。利用微扰理论,电场中Bloch电子是非微扰系统,而引起Auger跃迁的电子-电子相互作用被认     

频率对半导体器件热击穿影响的理论模型

针对半导体器件中的热击穿,通过分析已有的理论模型,把频率对器件热区热产生和热传导的影响引入理论模型.利用格林函数求解热传输方程,同时对余误差函数进行近似处理,求解得到热区温度以及器件烧毁功率与频率和脉冲宽度的表达式.通过数值分析,求解得到不同频率下器件烧毁功率随脉冲宽度的变化规律以及不同脉冲宽度下器件烧毁功率随频率的变化规律,同时给出了频率对器件烧毁功率影响的物理解释.     

烧结空洞对半导体激光器热分布的影响

在半导体激光器芯片与热沉的焊接过程中不可避免地会在焊料层产生一些空洞,而空洞会在铟的电迁移以及电热迁移作用下慢慢变大,使芯片局部温度迅速上升,进而影响半导体激光器的性能。针对10 W的808 nm单管焊装半导体激光器建立三维有限元模型,分别模拟计算了空洞面积、空洞厚度和空洞位置与结温的关系。芯片出光面边缘的有源区区域形成的空洞对芯片的结温影响更为显著,最后得到空洞面积与器件结温的关系,并表明对空洞率控制的重要性。     

阳极界面修饰对钙钛矿太阳能电池性能的影响

采用在聚(3,4-乙撑二氧噻吩)∶聚苯乙烯磺酸(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)∶Poly(styrenesulfonate),PEDOT∶PSS)阳极界面层上直接旋涂二甲基亚砜(Dimethyl Sulfoxide,DMSO)的方法,对PEDOT∶PSS薄膜进行修饰,以提高所制得的钙钛矿太阳能电池器件性能.在5000rpm转速条件下旋涂DMSO后,器件的能量转换效率达到11.43%,与PEDOT∶PSS阳极界面层未做任何修饰的器件相比,效率提高了29.15%.测试表征了修饰前后PEDOT∶PSS薄膜的透光性、表面形貌、电导率、器件的外量子效率曲线以及器件在光照和暗态下的J-V特性曲线,分析了器件性能提高的原因.结果表明:经过修饰的PEDOT∶PSS薄膜导电性显著增强,从而更加有利于器件阳极对空穴的抽取和收集;较未修饰时,器件的短路电流密度得到了大幅度提升,进而使得器件获得更高的能量转换效率.     

外腔反馈对半导体激光器振荡特性的影响

通过有效反射系数的引入，根据激光谐振腔的自再现条件和对腔内光子密度、载流子密度方程的求解，分析了外腔反馈对半导体激光器的阈值增益、振荡频率和输出功率等振荡特性的影响，并通过实验进行了验证.外腔反馈后，半导体激光器的阈值电流从420mA降为370mA，输出功率的斜率效率获得了提高，理论计算的输出功率曲线与实验结果符合的很好. 关键词： 半导体激光器 外腔反馈 振荡特性     

钯金属吸附对半导体性碳纳米管电输运的影响

利用物理蒸发技术,在半导体性的碳纳米管上沉积钯金属,利用导电原子力显微镜检测钯吸附对碳纳米管电输运的影响.结果表明:沉积的钯在碳纳米管上形成纳米颗粒,随着钯颗粒密度的增加,半导体性碳纳米管逐渐向金属性转变.利用第一性原理计算了吸附有钯原子的半导体性单壁碳纳米管的能带结构.研究发现,钯的覆盖率越高,其禁带宽度越窄,直至为零,定性说明了实验结果的合理性. 关键词： 单壁碳纳米管 钯纳米颗粒 导电原子力显微镜 第一性原理计算     

电磁脉冲对半导体器件的电流模式破坏

 利用时域有限差分（FDTD）方法,对电磁脉冲引起半导体器件的毁坏过程进行了数值模拟,得到了无负载半导体pn结器件在快前沿（ns量级）电磁脉冲作用下的瞬态行为,及由于电流引起的器件烧毁过程中器件参数的变化情况。     

电磁脉冲对半导体器件的电流模式破坏

利用时域有限差分（FDTD）方法,对电磁脉冲引起半导体器件的毁坏过程进行了数值模拟,得到了无负载半导体pn结器件在快前沿（ns量级）电磁脉冲作用下的瞬态行为,及由于电流引起的器件烧毁过程中器件参数的变化情况。     

对半导体pn结接触电势的一个讨论

讨论了半导体pn结内建电场和接触电势的形成与可测性，回答了在半导体物理学pn结内容教学中学生经常会提出的一个似是而非的问题．从热力学第一定律、金属-半导体接触等不同角度详细解释了热平衡(零偏下)时pn结不可能对外输出电压和电流的原因．     

太阳能电池基本特性研究

随着太阳能电池使用日益广泛，对太阳能电池特性的研究也越来越引起人们的重视。     

引力对真空状态的影响

本文通过一个简单模型的严格的宇宙学解说明:真空态的对称性破缺可能是一种宇宙学的效应。     

温度对直接甲醇燃料电池动态性能的影响

利用可计算机控制的电子负载单元,本文实验研究了电池温度对液态进料直接甲醇燃料电池单体电池的稳态和动态性能的影响,并考察了该电池对电池温度变化的动态响应。实验结果表明:电池稳态性能随着电池温度的升高而提升,电池对动态负载的响应随着电池的温度的升高而变得更快和更稳定,升温过程中电池对电池温度变化的响应值要高于降温过程中对应的响应值。     

铁电薄膜底电极对薄膜结构与电性能的影响

研究了电极材料（Ｐｔ／Ｔｉ）对铁电ＰＬＺＴ（７．５／６５／３５）陶瓷薄膜结构和性能的影响．认为在Ｐｔ层厚度一定时，Ｔｉ层的厚度对铁电薄膜的结构和性能有显著影响．当Ｔｉ层过厚或过薄时，铁电薄膜的结构较差；而当Ｔｉ层的厚度适中时，则铁电薄膜的显向下微结构均匀，电性能较好，典型的剩余极化强度和矫顽场分别为２７．８μＣ·ｃｍ^-2和６５．１ｋＶ·ｃｍ^-1． 关键词：     

掺杂对氧化铝粒子辐射特性的影响

本文分析了广杂质以及掺杂形态对固体发动机尾喷焰内Al2O3粒子辐射特性的影响.利用Bruggeman有效介质珲论研究了Al2O3粒子掺杂不同体积的炭黑后等效光学常数随温度的变化规律,考虑了粒子在熔点附近相态的变化,重点研究掺杂量对吸收指数的影响规律,发现随着含炭量增加,吸收指数逐渐增大.以米氏理论为基础研究了不同尺寸的含炭黑Al2O3粒子吸收因子的变化情况,发现在某一粒子尺寸参数(x=πD/λ)和复折射率组合下吸收因子的数值会出现峰值.     

杂质对两能带超导体性质的影响

本文中用一个简单的两能带模型讨论了费米面复连通性对超导体性质的影响。计算表明,它的效应与各向异性类似。利用Абрикосов和Горъков所发展的格林函数方法讨论了杂质散射的影响。有杂质时只有一个能隙,且大于纯超导体两个能隙中较小的一个。加杂后转变温度,临界磁场及其在T=0°K附近的温度系数下降,但转变点比热跳跃的相对值增加。低掺杂时在实验中同时测量这些量的变化可以定量地检验理论计算。高掺杂两能带超导体的性质与单能带情形完全相同。此外,利用本文的结果讨论了Pb膜的隧道效应实验和In-Sn,In-Pb系统中的转变温度反常。     

金属微粒对于隧道性质的影响

本文利用泛函积分方法研究了超导金属微粒准粒子态密度的量子尺寸效应及随温度的变化。并研究了当超导微粒嵌入隧道结后对于Josephson效应的影响,发现在Josephson临界电流中出现反常现象。此外,我们还计算了准粒子隧道电流,结论与实验结果一致。 关键词：     

GaN外延层中的缺陷对光学性质的影响

用金属有机化合物气相外延（ＭＯＶＥＰ）方法生长具有不同表面形貌的非掺杂ＧａＮ，并对部分样品的外延层表面进行镜面加工．用阴极射线发光、光散射和拉曼散射方法观察ＧａＮ中深能级发光、缺陷散射光分布和拉曼散射光频移．结果表明，缺陷不但影响ＧａＮ的发光和光散射，而且影响拉曼频移     

InAs量子点在肖特基势垒二极管输运特性中的影响

在77到292K的范围内,系统研究了含InAs自组装量子点的金属-半导体-金属双肖特基势垒二极管的输运特性.随着温度上升,量子点的存储效应引起的电流回路逐渐减小.在测试温度范围内,通过量子点的共振隧穿过程在电流电压(I-V)曲线中造成台阶结构,且使电流回路随温度的上升急剧减小.根据肖特基势垒的反向I-V曲线,计算了势垒的反向饱和电流密度和平均理想因子.发现共振随穿效应使肖特基势垒在更大的程度上偏离了理想情况,而量子点的电子存储效应主要改变了肖特基势垒的有效势垒高度,从而影响了势垒的反向饱和电流密度 关键词： 自组装量子点 肖特基势垒 电流-电压特性     

稀土元素对铝合金电学性质的影响

设计一种测量金属在不同温度下的电阻率的实验装置，并应用此装置研究了稀土元素对铝合金电学性质的影响