光掩膜技术瞄准市场需求

在光掩膜领域,我们清楚地看到显示器市场和半导体市场的快速增长。与此同时电子封装市场也在不断地激励着技术革新。显示器市场平面显示器已广泛用于笔记本电脑、移动电话和电脑显示器等产品,而平面电视更成为生产设施投资的主要动力．以达到以更低的生产成本制造更大尺寸基板的目的。     

EUV掩膜版清洗--Intel的解决之道

对于极紫外（EUV）光刻技术而言，掩膜版相关的一系列问题是其发展道路上必须跨越的鸿沟．而在这些之中又以如何解决掩膜版表面多层抗反射膜的污染问题最为关键。自然界中普遍存在的碳和氧元素对于EUV光线具有极强的吸收能力，在Texas州Austin召开的表面预处理和清洗会议上，针对EUV掩膜版清洗方面遇到的问题和挑战，     

一种新式掩膜版制作工艺

无论是在半导体还是在微电子行业，掩膜版的制作都被视为一项非常重要的环节。随着科技及制造业的发展，掩膜版的制作技术也由一开始的手工刻红膜照相制版发展到现在的图形发生器直接绘图制版。不仅仅是效率，更重要的是在精度上得到质的飞跃和提高，为半导体和微电子行业的发展提供了坚实的基础和保证。本文回顾了制版技术的发展，并且结合中国大部分企业的现状，提出了一种独特的制版方法。     

掩膜版清洗和光刻胶去除面临的挑战

在65nm及以下节点,掩膜版的清洗变得更为关键,需要采用新的方法和技术。在传统的湿法工艺化学顺序中,首先用硫酸／双氧水混合液,然     

盛美 半导体清洗界新贵 寒冬中的一股暖流

很多人认为半导体装备工业的壁垒很高,我认为半导体设备并不是高不可攀,半导体设备发展最大难点是要求设备公司必须具备市场跟随能力,为客户端提供有效的解决方案并迅速产业化。而通常这样的一个周期不会超过3年,如果开发时间超过了该周期,就会没有任何竞争力可言。当然要开发出一个产品并成为行业主流真的很不容易,这里面甚至需要一点点的运气,要正好找到一个亮点并迅速产业化,而别人又不能轻易复制,这样才能形成一个良性循环的商业模式。在我的信念里,半导体设备公司要成功,就必须在自己的领域中做到第一。这就是我一直强调的,要有别人没有的并且不能轻易复制的制胜法宝。——盛美半导体设备(上海)有限公司首席执行官兼董事长王晖博士     

一种新型可重复利用荫罩掩膜技术

利用化学气相沉积、光刻和反应离子刻蚀等微细加工技术,可以制作柔性、低成本、结实耐用、生物科技和半导体技术兼容、可重复使用的聚对二甲苯-C荫罩掩膜。利用这种透明的惰性材料掩膜,可以制作出传统平面微加工技术难以实现的曲面微图形,同时在多次使用场合,可以实现其它柔性荫罩掩膜材料难以达到的微米级特征尺寸,并能保持很好的图形复制特性。     

晶圆清洗之挑战和展望

可靠的电缆解决方案 Gore公司的电缆应用于SMT生产设备和检测设备上的运动件，电缆直径小，重量轻，适用于中速到高速的往复运动件，也可满足清洁环境（无尘车间）要求。     

掩膜版寿命受到雾状缺陷的限制1

雾状缺陷（Haze defect）是残留在掩膜版上的有机物或无机物，它们在曝光时有可能会生长变大。在光刻波长为248nm时．这类缺陷尚不会引起太大的问题，大约只影响到5％的掩膜版。然而到了193nm光刻．受其影响的掩膜版高达20％左右，雾状缺陷已成为光刻业界的一个严重问题。KLA-Tencor掩膜检查部门的高级技术市场经理Kaustuve Bhattacharyya解释说：“由于光刻波长变短．每个光子携带的能量更大。所以发生光化学反应的几率大为增加。”     

微电子工业中清洗工艺的研究进展

简要介绍了硅片表面污染物杂质的类型,综述了传统湿法清洗及干法清洗对硅片表面质量的影响,以及近年来清洗技术和理论的研究发展及现状;同时,阐述了污染物检测方法的研究进展;最后,对今后微电子清洗工艺的发展方向进行了展望。     

硅片湿法清洗工艺缺陷控制研究

采用光学表面分析(OSA)方法,研究了硅片湿法清洗工艺中清洗液SC1的浓度配比和温度对硅片表面颗粒和缺陷的影响.研究结果表明,当NH4OH浓度较小,则硅片表面颗粒数增加,而缺陷减少;当SC1温度降低为45℃时,硅片表面颗粒增加数仅为60每片(颗粒尺寸大于等于0.2 μm),且无缺陷产生.优化工艺参数后,明显改善了硅片湿法清洗工艺的质量.     

一种简便的介质缺陷检测方法

本文介绍了一种简单实用的介质缺陷检测方法。采用这种方法可检测介质生长过程中形成的介质针孔,也可检测因介质应力发生改变所引起的缺陷(在本文中简称为“应变缺陷”)。它将为研究针孔密度低的介质生长工艺和应力匹配性能优良的工艺技术提供一种简便的检测诊断方法。     

德国建立32nm光刻掩膜研发项目

先进掩膜技术中心（AMTC）、半导体设备供货商Vistec和德国国家物理技术研究院（PTB）将共同完成研发下一代芯片生产技术和量测流程的开发项目。     

湿法清洗制程优化对焊盘表面再结晶缺陷抑制

芯片焊盘上的再结晶缺陷是引起半导体后段封测工艺中键合失效的主要原因之一.国际上已经对这一缺陷的形成有了一定的理论分析,也提出了可以通过湿法清洗来去除此缺陷.在此基础上,通过对湿法清洗这一制程的优化,可在抑制焊盘表面再结晶缺陷的同时,有效地避免随之产生的焊盘腐蚀的问题,并且通过更换晶盒的步骤进一步降低了再结晶缺陷出现的可能性.同时提出了氟浓度对再结晶缺陷的影响以及对此的监测方法,对于大生产过程中抑制焊盘表面再结晶缺陷形成有一定的参考价值.     

一种光电码盘缺陷检测方法的FPGA实现

光电码盘在实际研究和使用过程中遇到的质量问题,如码道有亮点或暗斑、码道间相位差误差过大等缺陷,会严重影响光电编码器的测量精度。提出一种新式码盘缺陷检测方法,通过FPGA仿真分析实现检测码道上亮点或暗斑位置以及各码道间的相位差,并确定相位差误差大小。通过实验仿真验证了所提出方法的有效性和可行性。     

涡流检测中缺陷形状可视化的一种新算法

涡流检测反演技术是一种非学重要的反演缺陷形状尺寸的无损检测方法，本文运用了Dirichlet边界条件下涡流检测反演的远场区域导数，构造了反演缺陷形状的一种新算法，并且给出了算例，数值反演的结果与实际缺陷吻合得较好。算法是可行、正确的。     

温湿度对制版图形缺陷的影响

介绍了制版工艺中常见的缺陷类型,分析了缺陷产生与温湿度的关系。通过实际工作应用,就缺陷控制的办法进行了有益的探讨,对光掩模版的制造有一定的指导意义。     

一种提高无掩膜光刻机图形质量的方法

针对无掩膜光刻技术在进行大面积图形曝光时会出现曝光质量差,精度低,程序繁等问题,该文提出了一种改善无掩膜光刻机图形质量的方法。通过设置“L”型定位标记将图形尺寸进行精确定位,再通过单场图像格式重命名系统,解决大面积图形切割过程中的乱序问题,最后提出了一种寻找最佳曝光位置的方法,以提高单场图形的曝光质量。该文提出了一种减小大面积图形拼接误差的方法,以提高整体图形的拼接质量;同时还提出了一种二次光刻的对准方法及对准误差校正方法,该方法与已有的套刻方法有区别。通过实验进行验证和分析,结果表明,该方法能有效地提高大面积图形的曝光质量,x、y方向的拼接误差距离均缩小到1 μm内,对准误差精度达到±0.3 μm。该研究为后续的光刻工艺及湿法腐蚀工艺奠定了理论基础。     

一种缺陷态半导体薄膜——CdIn2O4膜研究

CdIn_2O_4薄膜是一种三元氧化物宽带隙n型半导体材料.它有许多优异的光学和电学性质.在可见光范围内它有很高的光透射率,红外光附近有良好的反射率,但同时其电阻又十分低.与金属铜、金、银相比较,CdIn_2O_4薄膜的化学性质十分稳定和耐磨损.因而广泛应用于光电子器件、热镜、太阳能电池及航天器透