ACEL矩阵屏的拓扑与容抗特性

交流矩阵显示屏在直流脉冲驱动过程中存在“交叉效应”问题,其原因在子象元点之间电容互相耦合作用.分析并定量计算这种耦合作用,以及确定备象元上的电压分布关系,对于改善图象质量、降低电源功耗有着重大意义.本文提出一个三维拓扑结构来模拟交流矩阵屏.避过分折该拓扑中节点与支路关系,推导出直流脉冲驱动时各种情况下屏的等效电容计算公式和象元电压分布公式.文章所提出的公式简单、直观、严格,并给出了证明.这些公式对指导此类屏的驱动电路设计具有一定意义.     

有存贮性能的薄膜电致发光文字显示器(日本霞浦公司中心研究实验室在1976年信息显示会议上的报告摘要)

前言 作者需制成具有存贮功能的稳定的高亮度EL薄膜显示屏,可显示160×120mm大小的图象,具有320×240个象元。 随后又用上述显示屏制做了一种字母数字符号显示器,其优点是用将一个电感L与EL屏的有效电容C串连的方法降低脉冲驱动器的功耗,也即通过C.L和维持脉冲频率     

周边驱动电路加电感补偿改善粉末直流电致发光的交流电-光特性

本文主要讨论在周边驱动电路中由于加电感补偿可以显著改善粉末直流电致发光(DC-EL)的交流电-光特性.由于加电感补偿除了与AC-EL一样,在相同驱动电压下可以提高亮度及在相同亮度下可以降低驱动电压以外,还可以使DC-EL的亮度随驱动频率而改变.这样也可以使DC-EL实现调频的显示及显象应用(如不加L补偿,是不能实现调频应用的).     

光电子技术与器件 光显示与显示器件

TN873．3 2005053742 无源OLED显示屏亮度均匀性研究=Brightness uniformi- ty of passive matrix OLED[刊,中]／陈文彬(电子科技大学 光电信息学院．四川,成都(610054)),成建波∥半导体光 电．-2005,26(3)．-205-207,211 利用无源矩阵驱动原理,计算了有机发光二极管 (OLED)器件中阴极和阳极电阻上的电压降。结果表明, 恒压驱动条件下,电阻上的压降将产生严重的亮度不均匀 性,分析表明辅助电极可以改善亮度非均匀性。采用恒流 驱动及高效率的OLED可以进一步提高亮度均匀性,降低 功耗。计算及分析结果与实验现象一致。图6表1参7 (于晓光)     

PM-OLED带恒流源的驱动电路

一种带恒流源的驱动电路,能实现对小尺寸OLED屏(30 mm×38 mm)的驱动,该屏分辨率为64×56。OLED属电流型器件,对该屏采用恒流源驱动,即在每一列电极上接一个恒流源,只要保证流过每个OLED像素的电流为一常数,就能保证其亮度一致。从而可消除因ITO阳极电阻压降所引起的显示亮度不均匀性问题。其中恒流源的设计是整个驱动电路设计的重点。采用的晶体管恒流源,以晶体三极管为主要组成器件,同时采用一定的温度补偿和稳压措施,通过计算分析和实验测试改进完成设计。该恒流源驱动电路的设计较为简单、成本低、而且易于集成,在改进PM-OLED驱动电路方面作了相应的尝试。     

会务信息的电致发光矩阵大屏幕显示

本文概述了长春物理研究所为人民大会堂研制的交流(AC)、直流(DC)电致发光(EL)矩阵大屏幕会务信息显示的结果。其中,ACEL矩阵屏幕尺寸为2.5×3m2,由30块0.46×0.46m2的单元屏拼接而成。平均亮度20尼特,对比度10:1;DCEL矩阵屏幕为:1m2,行列数120×144,平均亮度45尼特,对比度大于10:1。在环境照度60lux条件下,观察距离分别为65m、20m。并从分析EL矩阵的显示特性出发,阐明了显示系统的设计要点,控制、匹配电路和亮度、对比度的关系;还给出了部分驱动电路结构和系统的应用结果。     

用电致发光屏制作文字、数字显示器

随着现代信息化社会的发展,连接人与信息的显示器件日益引人注目.显示器件包括阴极射线管(CRT)、等离子体显示屏(PDP)、液晶显示屏(LCD)、电致发光屏(EL屏)等.在这些显示器件中,CRT有以下几个缺点:(1)管身长;(2)真空器件易损坏;(3)难于克服扫描畸变;(4)电压高.然而CRT能用电子透镜系统把电子束聚焦偏转,使所需象元发光,并且方便,所以至今仍作为显示的主流而广泛使用着.     

稳定的高亮度薄膜场致发光屏

以前的场致发光屏,在实际应用中,一般有寿命短、亮度低的缺点。 最近,在我们的实验室中,研制成稳定的高亮度薄膜场致发光屏。此屏在250伏(有效值),5千赫电压下,亮度为1000呎朗伯,连续工作10000小时以上,没有变坏的任何表现。也研制出了用于显象的有矩阵结构的屏。     

ZnS:Mn,Cu粉末p-V-n结直流电致发光

对ZnS:Mn,Cu粉末DCEL屏的形成过程及光电特性作了研究.观测到经形成的EL屏具有整流特性及相位开关效应,发光局限于阳极附近,EL屏具有光生伏特效应.随着形成电压的提高与形成时间的延续,EL屏的电容量由大变小,局部发光区(结区)也从阳极附近向体内迁移.上述实验结果表明:经形成EL屏的阳极附近存在势垒-CuxS-ZnS:Mn,Cu异质结.文中采用p-v-n结模型分析发光屏的导电机构及激发机制,指出发光区的迁移是EL屏退化的重要因素之一.采用正弦电压(频率20Hz—20kHz)激励,观测EL屏的形成过程.初步认为,EL屏的形成与老化过程主要由热引起.因此,制备具有高度热稳定性的包铜ZnS粉末屏是十分重要的.     

基于垂直结构的有机光发射晶体管制备与性能研究

制备了一种有机垂直光发射晶体管, 兼具有机发光二极管的发光和晶体管的开关调节两个功能.其结构为一个有机发光单元垂直堆叠在一个电容单元上,两单元通过一个共有的源电极连在一起.当电容单元被充电时,积累在源电极的电荷能有效地调节源极与有机层之间的载流子注入势垒,从而达到控制源漏输出电流的大小,最终控制发光单元发光的强度.实验结果表明,器件可提供02 mA的输出电流,其大小可驱动发光单元发光,工作电压（开启电压）为6 V.这种垂直集成方案,实现了器件多功能化,为有机发光二极管有源矩阵驱动的实际应用提供了一种新的解决方法. 关键词： 有机光发射晶体管 垂直 电容     

多间隙气体开关的电场分布特性

为了寻求可用于快前沿直线型变压器驱动源最理想的多间隙气体开关结构,利用有限元分析软件模拟计算了几种不同电极结构气体开关内各间隙在开关触发前后的电场分布,并利用新型开关电路模型研究了气体开关触发导通前均压措施对开关内部各间隙电场分布均匀性的影响,以及触发后各中间电极对主电极杂散电容与气体开关内电场分布规律之间的关系。结果表明:圆形环状结构电极有利于形成稳定的多通道放电,降低开关的电感及抖动;在开关各个间隙之间并联相同阻值的电阻可以有效地改善开关直流耐压特性;在开关触发导通时,各间隙的电压分布主要与触发电压的上升时间、各个电阻及杂散电容值有关;触发电压的上升时间越短,杂散电容值对间隙电压分布的影响越明显。     

忆阻器单阻态下的记忆电容行为及多态特性

采用供体-受体类型的共聚物构建了Al/共聚物/ITO结构的有机记忆器件,并对其电流-电压(I-V)和电容-电压(C-V)特性进行了研究.结果表明:器件不仅表现出明显的记忆电阻特征,而且在单个电阻状态下还存在记忆电容行为,使器件呈现出两种电阻状态和与之对应的四种电容状态,具有电阻和电容的双参量记忆能力.在此基础上对器件的电容开关行为进行了电压幅值的调制,使器件出现了更多的电容状态,为多级存储的实现提供了一条有效途径.最后通过引入分子内部极化算符,建立了记忆电阻和记忆电容的关联性,给出了描述器件双参量多状态特征的矩阵模型.     

基于垂直结构的有机光发射晶体管制备与性能研究

制备了一种有机垂直光发射晶体管, 兼具有机发光二极管的发光和晶体管的开关调节两个功能.其结构为一个有机发光单元垂直堆叠在一个电容单元上,两单元通过一个共有的源电极连在一起.当电容单元被充电时,积累在源电极的电荷能有效地调节源极与有机层之间的载流子注入势垒,从而达到控制源漏输出电流的大小,最终控制发光单元发光的强度.实验结果表明,器件可提供02 mA的输出电流,其大小可驱动发光单元发光,工作电压（开启电压）为6 V.这种垂直集成方案,实现了器件多功能化,为有机发光二极管有源矩阵驱动的实际应用提供了一种新的解决方法.     

平台式和斜坡式表面放电辐射源放电特性的比较

 介绍了平台式和斜坡式两种结构的表面放电辐射源,研究了在1.0 μF和1.5 μF储能电容、15~30 kV充电电压等实验条件下两种辐射源的放电特性,并对实验结果进行了比较分析。得到如下结论：对于斜坡式辐射源,增加电极间距可导致放电回路面积增大,因此等效电阻和等效电感也将增加;在相同电压及电容值条件下,斜坡式辐射源的放电电流、平均沉积功率均小于平台式辐射源的相应值,但放电沉积效率略大;电压升高使放电周期、电流达到峰值时间及放电沉积效率呈减小趋势,对于同一种辐射源,使用1.5 μF电容时放电回路参数更加匹配,放电沉积效率得到提高。     

300 kV/3 ns脉冲电压源的研制

 研制了一台300 kV/3 ns快前沿脉冲电压源。为了得到快的前沿,设计了低电感的峰化电容和输出开关。其中峰化电容采用3个薄膜电容同轴串联设计,结构紧凑,分布电感小,电极端部的气隙结构使其能承受更高的脉冲高压,实验证明这种结构的峰化电容能承受前沿17 ns、峰值大于300 kV的脉冲高压。输出开关采用高气压小间隙SF₆开关,最高工作气压1 MPa,具有较小的分布电感和火花通道电感。经实验调试,由该峰化电容和输出开关组成的峰化回路在500 kV Marx发生器的驱动下,在150 Ω负载上可得到峰值电压大于300 kV、前沿小于3 ns的脉冲电压输出。     

显示36个字符的直流场致发光显示器

近来有人研制适用于大型更新式点阵显示的低占空系数电压脉冲驱动的直流场致发光屏[1]。这种屏用掺Cu,Mn的ZnS发射的5400A-6300A的黄光,在0.5％的占空系数下平均亮度为30～100呎朗伯,寿命性能良好(图1)。在本文中我们报道一种已研制成功的36个字符的更新式DCEL字符显示器,并进而探讨能显示1000个以上符号的大型更新式DCEL显示器的可能性。 36字符屏为层迭式结构,把一层40μm厚的ZnS磷光体涂在一排1 m m宽的SnO2平行电极上。SnO2的薄膜电阻为2Ω/每方,用光刻技术刻划成电极。在ZnS层上再蒸上一层铝膜,然后对这两层膜进行刻划,形成1 m m宽的Al-ZnS阵列,以实现显示器的X-Y寻址。最后将屏密封起来,以防止大气污染,用常规的形成工序使在ZnS-SnO2界面上产生光辐射势垒。     

ITO阳极电阻对有机电致发光器件性能的影响

以不同方块电阻的ITO作为阳极,利用真空热蒸发的方法制备了双层结构有机电致发光器件ITO/TPD/Alq3/LiF/Al,定量研究了ITO阳极电阻对器件光电性能的影响。实验结果表明,具有较大阳极电阻的器件在一定的驱动电压下表现出较低的电流密度和亮度,我们认为主要原因是阳极电阻的分压导致用于载流子注入的有效驱动电压减少。扣除阳极电阻以后,我们发现用于载流子注入的有效驱动电压并不受阳极电阻的影响。另外,我们没有观察到阳极电阻对器件发光效率的明显影响。     

复合绝缘层交流薄膜电致发光显示屏的综合设计

本文从交流薄膜电致发光(ACTFEL)显示屏的稳定性与可靠性角度出发,兼顾其发光亮度以及驱动电路对屏的RC响应的要求,对ACTFEL矩阵屏的结构进行了综合优化设计.从理论上分析了复合绝缘层SiO₂/Ta₂O₅击穿方式的转变条件并计算了其合理的厚度比例及ZnS:Mn发光层的厚度和衬底ITO方块电阻的取值范围.通过实验对理论结果进行了验证,并在理论设计的指导下研制了640×480(10英寸)ZnS:MnACTFEL单色计算机终端显示器.     

稀土硫氧化物固溶体在X射线激发下的发光与应用

本文用稀土氧化物高温硫化法合成了(Y1-xLax)2O2S:Tb(0.002)、(Y1-xGdx)2O2S:Tb(0.002)和(Gd1-xLax)2O2S:Tb(0.002)三个二元稀土硫氧化物固溶体体系.研究了在X射线下激发它们的发光亮度、发射光谱.研究了激活剂Tb3+离子浓度对体系发光的影响.在上述实验的基础上,选择了其中的几种发光材料,研制出X射线增感屏,测定了屏的技术参数。     

楔条形阳极收集器的参量设计与工艺优化

分析了楔条形阳极收集器各参量对探测器主要性能的影响,研究了圆形收集器的设计方法,制定并优化了相应的制作工艺.以此为基础,设计和制作了两块有效探测面积Φ48 mm、周期1.2 mm、绝缘沟道宽度30 μm、电极厚度分别为1 μm和2 μm的圆形收集器.通过对比和分析这两块收集器的电阻和电极电容值以及相应的成像实验,验证了上述研究方法的正确性和“先光刻腐蚀后电镀增厚”工艺方案的可行性.