YBa2Cu3O7／PBa2Cu3O7多层膜微结构的高分辨电镜研究

ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７／ＰＢａ２Ｃｕ３Ｏ７多层膜微结构的高分辨电镜研究刘维张云孙吉军＊赵柏儒＊李林＊（中国科学院物理研究所，＊国家超导实验室，北京１０００８０）通过改变非超导层的厚度，可以有效地调节超导薄膜的各向异性，所以多层膜的制备和研究能够加深对层状...     

激光在无电金属沉积中的应用

从激光诱导沉积机理、激光对基底表面性质及金属沉积物性能的影响介绍近年来激光在无电金属沉积中的应用,同时简要说明这一沉技术的实验装置与特点。     

NiCu/Cu多层纳米线微、纳结构及成份研究

采用双脉冲电化学沉积法,以多孔阳极氧化铝(AAO)为模板制备了NiCu/Cu多层纳米线。利用透射电子显微术研究其微/纳结构和成分。研究结果表明,单根NiCu/Cu纳米线尺寸均匀,平均直径为53 nm,系多晶面心立方(fcc)结构。STEM模式下EDS线扫描和EDS面分布显示多层纳米线呈现NiCu和Cu交替排列组成的多层结构,其NiCu层和Cu层的平均沉积速率分别为5 nm/s和2 nm/s。化学组分测量测定NiCu层原子比为Ni∶Cu=51∶49,Cu层为纯铜。并通过NiCu合金和Cu纳米线元素测定分析、验证了Ni和Cu的含量比例关系。利用HRTEM和CBED深入表征分析了非磁性层尺度小于10 nm的NiCu/Cu纳米线的磁性层、非磁性层和过渡层结构。     

多层印制板生产中的电镀锡保护技术

对多层印制板生产中的电镀锡保护技术进行了详细阐述,对电镀钝锡的工艺过程、工序过程的质量控制、产品质量问题的产生原因及所采取的相应措施进行了简单介绍。     

相变光盘的多层膜结构

实用的相变光盘膜应由包含相变介质膜和匹配膜的多层膜结构绍成。本文根据膜系特征导纳矩阵,匹配设计了相变光盘的多层膜结构。设计结果表明:(1)λ=8300 处多层膜结构较单层膜结构(只有相变记录介质膜)对写入激光吸收提高一倍左右;(2)反射率对比度有较大提高,R_c∶R_a可达4∶1。最后对设计结果给出了实验证实。     

多层陶瓷电容器银电极电镀锡铅失效原因分析

针对多层陶瓷电容器在电镀过程电镀锡铅效果差的问题,利用扫描电子显微镜和能谱仪分析了正常和变差样品银层的微观结构,其结果表明：电镀效果差的样品端电极银层表面出现较大面积的缺损,部分内部介质裸露,影响了后期电镀时银层的导电性,导致电镀效果变差。     

多层膜结构和界面分析应用中的高分辨率透射电镜剖面分析

介绍了利用高倍放大的超薄多层膜的剖面图，经ＦＣ数字化图像处理系统进行数字化处理后，给出详细的定量结构参数的详细过程。并给出了对利用平面磁控溅射淀积的１０个周期数的Ｍｏ／Ｓｉ周期多层膜的实际处理结果，获得了界面上的渗透层厚度和粗糙度值，并与小角Ｘ光衍射法测得的结果进行了比较。     

多层陶瓷电容器银电极电镀锡铅失效原因分析

针对多层陶瓷电容器在电镀过程电镀锡铅效果差的问题,利用扫描电子显微镜和能谱仪分析了正常和变差样品银层的微观结构,其结果表明:电镀效果差的样品端电极银层表面出现较大面积的缺损,部分内部介质裸露,影响了后期电镀时银层的导电性,导致电镀效果变差.找出变差的原因.     

VLSI／ULSI集成电路多层金属互连技术

随着半导体微电子器件制造技术迅速发展，多层金属互连技术对于提高器件集成度、速度和可靠性更为重要，需要不断发展新型多层金属互连结构、材料和工艺，本文介绍近年正在发展的一些多层金属互连新技术，如多层复合金属化体系、Ｃｕ等新型薄膜互连材料，ＴｉＮ在互连技术中的多种用途，新的介质薄膜材料及工艺、平坦化技术等。     

多层印制板生产中的电镀锡保护技术

对多层印制板生产中的电久远锡保护技术进行了详细阐述。对电镀纯锡的工艺过程、工序过程的质量控制、产品质量问题的产生原因及所采取的相应措施进行了简单介绍。     

自旋阀多层膜[NiFe／Cu／Co／Cu]n的GMR效应研究

巨磁电阻（ＧＭＲ）硬盘磁头由于具有灵敏度高,稳定性好,巴克豪森噪音小等重大优点,使它在信息存储领域引起了一场新的革命。本文报道了一种自旋阀型多层膜「ＮｉＦｅ／Ｃｕ／Ｃｏ／Ｃｕ」ｎ的实验研究和理论分析。研究了工艺条件和多层膜结构对巨磁电阻疚的影响,勇于通过对制备条件的优化选择,在常温下得到巨磁阻系数为８％,饱和场强２６０Ｏｅ的优质自旋阀多层膜材料。     

直流和脉冲电镀Cu互连线的性能比较

针对先进纳米Cu互连技术的要求,比较了直流和脉冲两种电镀条件下Cu互连线的性能以及电阻率、织构系数、晶粒大小和表面粗糙度的变化.实验结果表明,在相同电流密度条件下,脉冲电镀所得Cu镀层电阻率较低,表面粗糙度较小,表面晶粒尺寸和晶粒密度较大,而直流电镀所得镀层(111)晶面的择优程度优于脉冲.在超大规模集成电路Cu互连技术中,脉冲电镀将有良好的研究应用前景.     

铁电多层畴结构中铁电畴层波振动模式的频谱分析

本文首次对多层畴结构中的振动模式进行了实验研究,观察到了一系列大小相当的中心峰,这对应于不同中心同步频率下激发的不同的振动模。通过频谱分析,获得了3,4,5层畴层结构的色散曲线。     

硫化锌薄膜的原子层沉积生长及表征

为满足硫化锌(ZnS)薄膜在光学薄膜领域进一步应用的要求,基于原子层沉积(Atomic Layer Deposition, ALD)技术在130℃温度下以二乙基锌(DEZ)和硫化氢(H2S)为反应源,在砷化镓(GaAs)衬底表面沉积了ZnS薄膜。用扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscope, SEM)分析了样品的表面形貌和膜界面特性,用X射线衍射仪(X-ray Diffraction, XRD)分析了薄膜的结构特性,并通过X射线光电子能谱(X-ray Photoelectron Spectroscopy, XPS)分析了薄膜的化学成分。研究了厚度对薄膜结构和形貌的影响。结果表明,得到的ZnS薄膜为多晶结构,薄膜的厚度随循环数线性增加,速率为1.45 ?/cycle。对在75℃温度下烘烤48 h后的薄膜进行了XPS分析,得出的Zn/S比为1.07:1,表明烘烤除去了薄膜中残存的H2S。以较短生长时间得到的较薄的薄膜具有更好的表面平整度和更致密的结构。     

多层复合电沉积磁屏蔽薄膜屏蔽效能

利用电沉积法制备磁屏蔽薄膜,不仅可以精确控制沉积膜的化学成分和厚度,而且可以在复杂几何形状的表面上形成薄膜。通过电沉积装置制备了铁镍-铜-铁镍多层复合磁屏蔽薄膜,并探究了磁场强度、厚度、高温环境对磁屏蔽薄膜屏蔽效能的影响。实验结果表明,50 μm和100 μm样品的屏蔽效能随磁场强度的增大而增大,200 μm的屏蔽效能则是先增大后降低;在4~16 Oe磁场中,厚度越大,薄膜屏蔽效果越好;100 ℃的温度会降低所有厚度的磁屏蔽薄膜的屏蔽效能。     

多层陶瓷外壳电镀层起泡的成因和解决措施探讨

本文对多层陶瓷外壳电镀层起泡的成因进行了探讨和分析。在实际工作的基础上,提出了解决起泡应采取的措施。     

溅射气压对Si／Ge多层膜结构光学常数的影响

采用可变入射角全自动椭圆偏振光谱仪，测量了用磁控溅射法制备的Si/Ge异质多层膜结构的光学常数，测量能量范围为1．5－4．5eV，分析了不同氩气压强对磁控溅射制备的Si/Ge异质多层膜结构的光学常数的影响，实验结果表明，在低能区域，随压强的增加，多层膜结构的所有光学常数均有不同程度的增加，但在高能区域，溅射气压对光学常数的影响不再明显，多层膜结构的复介电常数的实部和虚部及折射率n的峰位随压强增大而向低能方向位移，多层膜结构的消光系数k的峰位随压强的变化很小，但其峰值随压强的增加而增加。     

脉冲激光沉积低内应力多层类金刚石膜

为解决类金刚石膜内应力极大的问题,利用很薄的岛状结构锗层与较厚的类金刚石层循环,设计并制备了具有低内应力的多层类金刚石膜。其中,类金刚石层为主要功能膜层,起到硬质保护和光学增透的作用;而锗层作为缓冲层,起到缓解纯类金刚石膜内应力过大的问题,同时由于锗层很薄,对整个膜层的机械性能和红外特性的影响很小。测试表明,制备的多层类金刚石膜内应力为2.14 GPa,比纯类金刚石膜降低了39%,通过了GJB2485-95《光学膜层通用规范》中的重摩擦测试;同时,其纳米硬度仍保持在47 GPa的高水平。该多层类金刚石膜可以作为实际应用的红外窗口保护膜。