一种合成量子点的新方法

由于在光计算、光学信息处理等方词的潜在应用前景,半导体材料的光学非线性性质始终受到广泛关注。量子尺寸效应对半导体性能的影响引起了人们极大的兴趣。除了量子阱和超晶格结构外,在半导体的超微粒方面也进行了大量的研究。有关超微粒材料的四波混频,吸收谱带兰移、载流子弛豫及光学双稳态的实验结果已有报道。     

n模二次型哈密顿量对角化的一种简单方法

利用线性量子变换理论，对ｎ模Ｂｏｓｅ（Ｆｅｒｍｉ）体系给出了一种简单的对角化方法。     

在点正则变换下双原子分子的广义Hulthn势映射至Pschl-TellerⅠ势(英文)

利用在点正则变换下形状不变势的映射方法 ,找出了该问题需要的点正则变换 ,建立了双原子分子的广义Hulth啨ｎ势和Ｐ schl TellerⅠ势之间的关系 ,并由P schl TellerⅠ势的束缚态能级和波函数 ,方便地求得了广义Hulth啨ｎ势的束缚态能级和波函数     

在点正则变换下双原子分子的广义Hulthén势映射至P(o)schl-Teller Ⅰ势

利用在点正则变换下形状不变势的映射方法,找出了该问题需要的点正则变换,建立了双原子分子的广义Hulthén势和Pschl-Teller Ⅰ势之间的关系,并由Pschl-Teller Ⅰ势的束缚态能级和波函数,方便地求得了广义Hulthén势的束缚态能级和波函数.     

内嵌InAs量子点的δ掺杂GaAs/AlxGa1-xAs二维电子气特性分析

采用分子束外延技术对δ掺杂GaAs/Al_xGa_1-xAs二维电子气(2DEG)样品进行了生长. 在样品生长过程中, 分别改变掺杂浓度(N_d)、空间隔离层厚度(W_d) 和Al_xGa_1-xAs中Al组分(x_Al)的大小, 并在双温(300 K, 78 K)条件下对生长的样品进行了霍尔测量; 结合测试结果, 分别对N_d, W_d及x_Al与GaAs/Al_xGa_1-xAs 2DEG的载流子浓度和迁移率之间的关系规律进行了细致的分析讨论. 生长了包含有低密度InAs量子点层的δ掺杂GaAs/Al_xGa_1-xAs 2DEG 样品, 采用梯度生长法得到了不同密度的InAs量子点. 霍尔测量结果表明, 随着InAs量子点密度的增加, GaAs/Al_xGa_1-xAs 2DEG的迁移率大幅度减小, 实验中获得了密度最低为16×10⁸/cm²的InAs量子点样品. 实验结果为内嵌InAs量子点的δ掺杂GaAs/Al_xGa_1-xAs 2DEG的研究和应用提供了依据和参考. 关键词： 二维电子气 InAs量子点 载流子浓度 迁移率     

硒化镉发光量子点的制备及其在有机发光器件中的应用

硒化镉量子点具有随粒径尺寸改变,而产生发光波长调变的特性,目前已被广泛研究。本研究是由化学溶胶法合成不同粒径尺寸的核壳型CdSe／ZnS硒化镉量子点,其表面包覆十六烷基胺,避免分子团聚现象。在由硒化镉成核温度的控制,成功地制备一系列具有各种尺寸粒径的核壳型硒化镉量子点(2—6nm)。本研究也合成了含有纳米金粒子于核壳型硒化镉量子点,实验结果发现：硒化镉发光效率明显的提高。在有机发光器件的应用方面,将发光波长为505nm核壳型CdSe／ZnS量子点掺入溶有发光波长为570nm铱化合物的氯仿溶液时,其溶液的光致发光光谱表明,原量子点的发光特性消失,只有铱化合物的发光依然存在,且其发光强度呈现明显增强趋势,我们推测此现象源自于量子点到铱化合物能量转移的机制。我们也以含有核壳型硒化镉量子点的铱化合物与PVK混合材料为发光层,成功的制作发光二极管器件,器件的发光效率因核壳型硒化镉的掺杂,明显提高2倍多。     

一种有效的簇集主干点P2P网络结构模型

P2P计算近年来已经日趋普遍。它提供很多吸引人的特性。比如自主性、负载平衡、有效性、容错冗余和匿名。但它同样面临一些严峻的挑战。在本论文中，提出一种有效的簇集主干点层级P2P结构模型（ECGP）。该模型提供了一种半结构化的层次结构（类似混合P2P系统），克服了现存的非结构化P2P系统中存在的扩展性不好和效率不高的问题。     

高聚物P（EO）n—CuBr2薄膜在流体静高压下离子电导率和介电常数的提高（I）——发现三种不同相的压力效应

用混溶蒸发法制备出一系列高聚物P（EO）n-CuBr2(n=4,8,12,16,24)薄膜，并详细测量它们在0．1－350MPa静水压范围内的复阻抗谱、在0．1－2400MPa静水压范围内的交流电导率以及介电常数。结果表明：离子电导率对压力的依赖关系（σ-ρ曲线）是条折线，可分解为四条直线相迭加。进一步做X射衍射物相分析，它们分别归于PEO非晶相的压力效应、PEO结晶相的压力效应和析出CuBr2新相的压力效应。由此计算出上述三种不同相所对应的激活体积、截止压力各自随高物P（EO)n-CuBr薄膜组分的变化。为减小离子电导率的压力效应提供了物理基础。     

掺杂石墨烯量子点对P3HT:PCBM太阳能电池性能的影响

为研究掺杂石墨烯量子点(GQDs)对聚合物电池的影响,采用溶剂热法制备了GQDs,掺杂到聚3-己基噻吩和富勒烯衍生物(P3HT∶PCBM)中作光敏层制备了聚合物太阳能电池。掺杂不同浓度的GQDs后,聚合物电池的开路电压和填充因子都比未掺杂器件高。GQDs掺杂质量分数为0.15%时,形成的掺杂薄膜平整、均匀,填充因子提高了17.42%。GQDs经还原后,随还原时间的延长,填充因子FF增大。到45 min时,电池的FF基本稳定,从31.57%提高至40.80%,提高了29.24%。退火后,获得了最佳的掺杂GQDs的聚合物太阳能电池,开路电压Voc为0.54 V,填充因子FF为55.56%,光电转换效率为0.75%。     

一种新型的高频半导体量子点单电子泵

除了直流负电压外,还在浅法刻蚀出的GaAs/AlGaAs量子线上的两个金属指形门上分别叠加两个相位相差π的正弦信号,从而对形成量子点的两个势垒作不等幅调制.在无源漏偏压的情况下,通过周期形成的量子点实现了单电子的搬运.由于新的半导体量子点单电子泵不是依赖库仑阻塞效应通过隧穿进行单电子输运,因此,该器件就不会受到固定隧穿时间引起的低工作频率限制.在1.7K温度下,频率达到3GHz仍然可以观测到量子化电流平台,对应的电流值达到0.5nA量级.这种新器件提供了实现高速度、高精度搬运单电子的另一种可能途径. 关键词： 单电子输运 单电子旋转门 单电子泵 量子化电流平台     

制备水溶性CdS量子点的一种物理方法：飞秒激光烧蚀法

用Ti/sapphire飞秒激光系统产生的100fs、800nm激光对置于水中的CdS体相材料进行烧蚀,得到了水溶性CdS纳米粒子。这种纯物理过程保证了无污染的制备环境,从而保证了所合成材料的纯洁性。通过透射电子显微镜、紫外/可见/近红外吸收光谱、室温光致发光谱的方法对CdS量子点的形貌及其光学性质进行了表征。结果表明:利用飞秒激光烧蚀法所制备的CdS量子点可直接分散在水中而且具有粒径小、分布均匀的特点;同时具有较好的胶体稳定性,可在空气中稳定存放6个月以上。飞秒激光烧蚀法所制备的CdS量子点所具有的这些性质使其在生物标记领域引起极大的兴趣,而且也为纳米材料的制备提供了新的思路。     

一种新的量子点形成机制:表面原子的向上扩散运动

在Al(110)表面的同质外延生长中，实验上观察到许多由特殊小面围成的较大的量子点．这些长方盒形的量子点要比外延膜的平均厚度至少高十倍以上，密度泛函理论的研究发现，动力学过程是导致形成具有特定小面量子点的主要原因，其关键机制是表面原子的向上扩散运动。     

电子波在量子阱势垒上方的局域的束缚：一种法布里—珀罗电子滤波器

最近，电子态在量子阱垒上方的局域和束缚已为实验证实，这是电子的波动性和干波效应的一种直接实验证，试图介绍这种所谓“正能量”束缚态的形成机制，以引起我国学者注意。     

外加条件及两种电子传输对量子点红外探测器噪声的影响

基于外加电场对电子漂移速度的影响,考虑激发能对微米尺度和纳米尺度电子传输的依赖,通过计算仿真研究了外加条件及两种电子传输对量子点红外探测器噪声的影响.结果表明:在2545kV/cm外加电场下,噪声模型和实验数据吻合;噪声随着外加电场和温度的增加而增加,当温度小于80K时噪声增加迅速,而当温度大于80K时噪声增加缓慢,并且温度越低噪声随外加电场变化越明显;噪声不随微米尺度电子传输激发能的变化而变化,随着纳米尺度电子传输激发能的增加而减小,随着纳米尺度电子传输激发能变化速度的增加而增加.该研究可为量子点红外探测器的优化设计和性能提高提供理论参考.     

一种用于偏扫电流校正的特征点参数采集装置

电子束快速成型设备偏扫系统工作频率高,磁偏扫装置的铁损、涡流等损耗导致偏扫轨迹产生偏差。通过获取偏扫区域内特征点基准偏扫参数并由插补算法计算区域内任意一点偏扫参数,能够较好地抑制动态偏差;但由光学观察系统判断电子束斑点位置所获得的基准偏扫参数精确性较低。为提高偏扫轨迹精度,在现有电子束快速成型机上加装一种特征点参数采集装置,收集产生的二次反射电子,通过二次反射电子信号判断特征点通孔中心与电子束斑点中心的对中性。实验表明：当电子束斑点位于特征点中心且聚焦于上表面时,二次反射电子信号最小,此时获得的基准偏扫参数精确性高,能够提高电子束偏扫加工的精度。     

一种用于偏扫电流校正的特征点参数采集装置

电子束快速成型设备偏扫系统工作频率高,磁偏扫装置的铁损、涡流等损耗导致偏扫轨迹产生偏差。通过获取偏扫区域内特征点基准偏扫参数并由插补算法计算区域内任意一点偏扫参数,能够较好地抑制动态偏差;但由光学观察系统判断电子束斑点位置所获得的基准偏扫参数精确性较低。为提高偏扫轨迹精度,在现有电子束快速成型机上加装一种特征点参数采集装置,收集产生的二次反射电子,通过二次反射电子信号判断特征点通孔中心与电子束斑点中心的对中性。实验表明:当电子束斑点位于特征点中心且聚焦于上表面时,二次反射电子信号最小,此时获得的基准偏扫参数精确性高,能够提高电子束偏扫加工的精度。