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在静电场中,零电势点位置的确定,对电势计算的方便与否起着致关重要的作用.下面就4种情况,简述零电势点位置的确定及相应电势的计算公式.1 点电荷电场中各点电势的计算 例1 设一带电量为Q的点电荷,放在相对电容率为εT的无限大均匀电介质中,求空间各点的电势. 相似文献
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电势是相对量,选取不同的电势零点,电势值不同,参考点的选取对电势的计算和表述非常重要.本文就电势零点选取作一探讨.1选无穷远处为电势零点的条件选无穷远处为电势零点是电学初学者的思维惯性,不少问题选无穷远处为电势零点使电势的表达式和计算十分简便.但是,只有当带 相似文献
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在一个包括p\++-n-n\++结构的光生电势物理模型基础上导出 了光生电势的一般方程.在三种光生电势发生的特定条件下,它可简化出结场光生电势,丹 倍电势和横向光生电势的函数关系式.该方程统一了各种光生电势的行为机理.依据一般方 程理论导出的横向光生电势与光点位置的函数关系研制了光电位置传感器,该器件的光电位 置特性优越,从应用实践角度说明了该理论的正确性.
关键词: 相似文献
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利用点电荷的电势和电势叠加原理, 得到了均匀带电矩形线圈空间电势分布的表达式; 再根据场强与
电势梯度的关系, 推导出均匀带电矩形线圈空间电场分布的表达式 相似文献
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采用二维粒子模拟方法研究了霍尔推进器通道中电子温度对等离子体鞘层特性的影响, 讨论了不同电子温度下电子数密度、鞘层电势、电场及二次电子发射系数的变化规律. 结果表明: 当电子温度较低时, 鞘层中电子数密度沿径向方向呈指数下降, 在近壁处达到最小值, 鞘层电势降和电场径向分量变化均较大, 壁面电势维持一稳定值不变, 鞘层稳定性好; 当电子温度较高时, 鞘层区内与鞘层边界处电子数密度基本相等, 而在近壁面窄区域内迅速增加, 壁面处达到最大值, 鞘层电势变化缓慢, 电势降和电场径向分量变化均较小, 壁面电势近似维持等幅振荡, 鞘层稳定性降低; 电子温度对电场轴向分量影响较小; 随电子温度的增大, 壁面二次电子发射系数先增大后减少.
关键词:
霍尔推进器
等离子体鞘层
电子温度
粒子模拟 相似文献
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