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1.
采用传统无压烧结工艺制备Cr:Al2O3透明多晶陶瓷.测定了其退火前后的吸收光谱和荧光光谱,发现在Al2O3六配位的八面体结构中,Cr4+的荧光发射也处在1100—1600nm波段的红外区间,荧光发射峰位于1223nm附近,类似Cr4+在四面体中的发光行为.同时由于氧化铝晶格常数较小,晶体场强较强,使Cr4+:Al2O3<
关键词:
4+')" href="#">Cr4+
2O3透明陶瓷')" href="#">Cr:Al2O3透明陶瓷
光谱性质
八面体 相似文献
2.
利用量子化学从头计算方法MRCI+Q在AVQZ级别上对BS+离子进行了研究. 通过计算得到了与BS+离解极限B+(1Sg)+S(3Pg)和B+(1Sg)+S(1D)对应的5个Λ-S态,确认了BS+离子的基态为X3∏电子态,而第一激发态1∑+的激发能Te仅仅为564.53 cm-1. 首次纳入的旋轨耦合效应(SOC)使得BS+的5个Λ-S态分裂成为9个Ω态,原有的两个离解极限分裂为B+(1S0)+S(3P2),B+(1S0)+S(3P1),B+(1S0)+(3P1)以及B+(1S0)+S(1D2). 在考虑自旋轨道耦合效应之后,Ω态的基态为X2态. 通过势能曲线(PECs)可以发现所得到的Λ-S态和Ω态均为束缚态,利用LEVEL8.0程序拟合得到了对应电子态的光谱常数,这些结果可以为实验和理论方面进一步研究BS+的光谱性质提供准确的电子结构信息.
关键词:
势能曲线
光谱参数
多参考组态相互作用方法
Q)')" href="#">Davidson修正(+Q) 相似文献
3.
利用铝电极放电产生的Al原子与O2反应生成AlO自由基,在超声射流冷却下在43 0—480nm波长范围观测到AlO自由基B—X跃迁的激光诱导荧光激发谱.光谱振动结构分析表明 所有的谱带属于V′-V″=1,2,3跃迁,并获得基态和激发态的振动频率与非谐性常数.另外还 对其中(1,4)谱带的转动结构进行标识,并得到相应的转动常数和离心畸变系数.对从基态 振动能级V″=5向上跃迁的谱带强度增强进行了讨论.
关键词:
光谱
AlO 相似文献
4.
推导了S2分子B″3Πu态的合理离解极限.用Gaussian 94 QCISD(T)方法和6-311++G**基组计算了S2分子B″3Πu以及X3Σ-g态的势能曲线.给出了S2分子B″3Πu态的Murrell-Sorbie势能函数和光谱常数.B″3Πu与B3Σ-u态在排斥支重叠范围大;同时,B″3Πu与X3Σ-g态有相同离解极限,因而,在吸引支有重叠.讨论了B″3Πu与B3Σ-u和X3Σ-g态相互作用的特征.
关键词: 相似文献
5.
基于相关一致极化4zeta(aug-cc-pVQZ)基组, 应用量子化学从头计算中高水平的多参考组态相互作用方法计算了BCl+ 两个离解极限B+(1Sg)+Cl(2Pu)和B (2Pu)+Cl+ (3Pg)的14个Λ-S态势能曲线. 在计算中考虑了Davidson修正(+Q)和标量相对论效应, 并首次在计算中考虑了BCl+ 的旋轨耦合效应, 获得了由能量最低的4个Λ-S态分裂出的7个Ω 态. 计算结果表明相同对称性的Ω 态的势能曲线存在着非常明显的避免交叉. 通过分析Λ-S态的电子结构, 得到了各态的电子跃迁特性, 并确认了电子态的多组态性质. 使用LEVEL程序通过求解径向的Schrödinger方程得到了束缚Λ-S 和Ω态的光谱参数De, Re, Te, ωe, ωeχe和Be. 通过和已有的Λ-S态X2∑+ 的实验数据进行对比发现, 本文所得的计算结果与实验结果非常一致. 而文中其他电子态的光谱参数均为首次报道.
关键词:
势能曲线
光谱参数
多参考组态相互作用方法
旋轨耦合 相似文献
6.
采用传统无压烧结工艺制备了Nd3+掺杂的Y2-2xLa2xO3(x=0.08)透明陶瓷并对其光谱性能进行了研究. 结果表明:Nd3+:Y1.84La0.16O3透明陶瓷在780—850 nm的波长范围内有较宽的吸收带. 当Nd3+掺杂量为1.5at%时,在820 nm和激光二极管抽运的808 nm处的吸收截面分别为σabs(820 nm)=1.81×10-20 cm2,σabs(808 nm)=1.54×10-20 cm2. 最强的发射峰位于1078 nm处,并具有荧光寿命长、发射带宽宽、量子效率高等特点. 加入La2O3后,基质的光谱品质参数XNd由1.6减小到0.46,因此和4F3/2—4I11/2跃迁相对应的荧光分支比βJ,11/2增大为56.82%. Nd3+:Y1.84La0.16O3透明陶瓷的这些性质有利于高效率的激光输出和超短锁模激光脉冲的实现.
关键词:
氧化镧钇透明陶瓷
光谱性能
3+')" href="#">Nd3+ 相似文献
7.
研究了高位振动态RbH(X1∑+,v″=15~21)与CO2碰撞转移过程.脉冲激光激发RbH至高位态,利用激光感应荧光光谱(LIF)得到RbH(X1∑+,v″)与CO2的猝灭速率系数kv″(CO2),kv″=21(CO2)=2.7kvn=15(CO2).利用激光泛频光谱技术,测量了CO2(000,J)高转动态分布,得到了转动温度,从而获得了平均转动能rot>和转动能的变化<△Erot>,发现<△Erot>v″=21≈2.9<△Erot>v″=15.对于v″=16,证实了振动—振动能量转移的4-1近共振过程.在一次碰撞条件下,通过速率方程分析,得到RH(v″)-CO2振转速率系数.对于v″=15,J=32-48,速率系数在1.25-0.33×10-13cm3s-1.之间;对于v″=21,速率系数在2.47-1.53×10-13cm3s-1之间,其能量相关性是明显的. 相似文献
8.
对透光性良好的Cr3+:Al2O3透明多晶陶瓷的光谱性能 进行了研究,其吸收光谱中吸收峰与单晶红宝石相一致,按吸收光谱和Tanabe-Sugano能级 图,算出其晶场强度参数Dq及Racah参数B分别为1792cm-1, 689cm -1,Dq/B=2.6,陶瓷中Cr3+离子所处格位的晶体场强 比单晶弱一些,但Cr3+:Al2O3透明陶瓷仍属于强场晶 体材料;当Cr3+掺杂浓度到达0.8wt%时,陶瓷的发射谱仍保持较好的R线发射 ;随Cr3+掺杂浓度的增大,激发峰位发生“红移”.在Cr3+:Al2O3透明多晶陶瓷的荧光谱上,发现一个波长为670nm的发射峰,经激发 谱确认为Cr3+的发射峰.
关键词:
氧化铝
透明陶瓷
离子格位
光谱性质 相似文献
9.
采用自蔓延燃烧法制备了不同Sm3+掺杂浓度的12CaO·7Al2O3(C12A7:x%Sm3+)荧光粉。在404 nm近紫外光激发下,观察到了位于565,599,648 nm附近的3个光发射峰,分别归属于Sm3+的4G5/2→6HJ/2(J=5,7,9)能级跃迁。随着Sm3+掺杂浓度增加,红光发射强度呈现了先增大后减小的规律,优化的Sm3+掺杂摩尔分数为1.5%,发光的浓度猝灭效应可归因于Sm3+之间发生了交叉弛豫过程。采取混相策略,通过降低初始粉体的煅烧温度至900℃获得了12CaO·7Al2O3/5CaO·3Al2O3:1.5%Sm3+(C12A7/C5A3:Sm3+)混相荧光粉,进一步提高了红光发射强度。利用变温光致发光谱计算得到混相样品的热激活能约为200 meV,结果表明该混相荧光粉具有良好的热稳定性。 相似文献
10.
采用原子分子静力学的基本原理分析了BrF基态X1∑+的离解极限,采用Herzberg同位素理论分析了BrF基态X1∑+光谱数据的同位素效应,并以此为基础,分析了光谱数据的同住素效应对振动能级和分子势能函数(Murrell-Sorbie势即MS势)的影响.结果表明,79BrF和81BrF基态X1∑+的光谱数据的同住素效应是一种弱效应,与Herzberg同住素理论符合得很好,低振动能态的能级对理论预计的偏离很小,高阶力常数f4和高阶展开系数a3与实验结果有较大偏差,但由于a3本身比a1和a2小很多,结果对势能函数整体影响不大. 相似文献
11.
利用考虑Davidson修正的内收缩多参考组态相互作用(icMRCI+Q)方法结合相关一致基组aug-ccpV6Z计算了AlH~+离子前两个离解极限对应的5个Λ-S态和10个?态的势能曲线.为了提高势能曲线的可靠性和精确性,计算中考虑了自旋轨道耦合效应、芯电子价电子相关和标量相对论修正以及将势能外推至完全基组极限.基于得到的势能曲线,获得了束缚和准束缚的4个Λ-S态和8个?态的光谱常数和振动能级,与已有的实验结果符合.计算了2(1/2)→X~2Σ_(1/2)~+和A~2Π_(3/2)→X~2Σ_(1/2)~+跃迁的跃迁偶极距.利用计算的精确的势能曲线和跃迁偶极矩,获得了2(1/2)~(第一势阱)(υ′=0, 1)→X~2Σ_(1/2)~+(υ′′)和A~2Π_(3/2)(υ′=0, 1)→X~2Σ_(1/2)~+(υ′′)跃迁的高度对角化分布的Franck-Condon因子(f_(00)和f_(11))和大的振动分支比;预测了2(1/2)~(第一势阱)(υ′=0, 1)和A~2Π_(3/2)(υ′=0, 1)态短的自发辐射寿命和窄的辐射宽度,这适合于AlH~+离子的快速激光致冷.所需的3束激光冷却波长都在紫外区域.这些结果表明了激光冷却AlH~+离子的可行性.此外,评估了自旋轨道耦合效应对光谱常数、振动能级和激光冷却AlH~+离子的影响. 相似文献
12.
在aug-cc-pV5Z/CASSCF/MRCI水平上讨论了~6Li~(32)S双原子分子的9个较低能量电子态(X~2∏,a~4△,B~2△,b~4△,A~2∑~+,C~2∏,F~2∑~-,E~2∑~+和D~2∏)的势能函数和光谱常数;其中基态平衡核间距、谐振频率、转动常数等均与实验值相符;b~4∏,C~2∏,D~2∏态的平衡核间距均超过了0.4 nm,并且离解能较小,不稳定.D~2∏态是离子对态,离解极限为Li~+(~1S_g)+S~-(~1S_g).预测了最低激发态A~2∑~+跃迁到基态X~2∏的电子跃迁偶极矩、爱因斯坦自发发射系数、弗兰克-康登因子和辐射寿命. 相似文献
13.
利用高精度的多组态相互作用及Davidson修正方法 (MRCI+Q),采用ACV5Z-DK全电子基组计算了BH~+离子的前4个离解通道B~+(~1S_g)+H(~2S_g),B~+(~3Pu)+H(~2S_g),B(~2P_u)+H~+(~1Sg)和B~+(~1Pu)+H(~2Sg)的9个Λ—S态的势能曲线.X~2Σ~+,A~2Π和B~2Σ~+态的光谱常数和已有实验值符合得很好,其中b~4Σ~+,3~2Σ~+,3~2Π和4~2Σ~+态的光谱常数为首次报道,3~2Π和4~2Σ~+态具有双势阱结构.预测了A~2Π和B~2Σ~+态的辐射寿命:τ(A~2Π)=239.2 ns和τ(B~2Σ~+)=431.2 ns.最后在考虑自旋轨道耦合效应下讨论了B~2Σ~+与A~2Π态的势能曲线的相交对激光冷却BH~+离子的影响. 相似文献
14.
用345 keV的Kr15+和340 keV的Kr17+离子以45fi角入射n型GaAs单晶(100)面,测量了表面形貌的变化和发射的375—500 nm Ga I和Kr II的特征光谱线.Krq+(q=15,17)离子轰击后表面形貌的变化主要取决于入射离子的电荷态q.离子沉积到靶表面的能量引起Ga原子激发,其辐射光谱为Ga I 403.2 nm和Ga I 417.0 nm.入射离子中性化过程中俘获GaAs导带电子形成高激发态原子,通过级联退激填充3p,4d等空穴,P壳层电子跃迁发射谱线为Kr II 410.0 nm,Kr II 430.4 nm,Kr II 434.0 nm和Kr II 486.0 nm,Kr II486.0 nm为较强谱线.实验结果表明,入射离子与GaAs单晶相互作用发射的可见光产额与入射离子的电荷态密切相关,较高电荷态Kr17+离子入射产生的光辐射产额大约为Kr15+离子的两倍. 相似文献
15.
Absorption spectra and isotope shifts of the(2, 0),(3, 1), and(8, 5) bands of the A~2Π_u-X~2Σ_g~+ system of ~(15)N_2~+ in near infrared
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The high-resolution absorption spectra of the(2, 0),(3, 1), and(8, 5) bands of the A~2Π_u–X~2Σ_g~+system of~(15) N_2~+ have been recorded by using velocity modulation spectroscopy technique in the near infrared region. The rotational constants of the X~2Σ_g~+and A~2Π_u states of~(15) N_2~+ were derived from the spectroscopic data. The isotope shifts of these bands of the A~2Π_u–X~2Σ_g~+system of~(14) N_2~+ and~(15) N_2~+ were also analyzed and discussed. 相似文献
16.
按照50Nb2O5-(46-x)Y2O3-4Yb2O3-xTm2O3(x=0.1,0.2,0.5,1,2)的配比方式,采用高温固相法制备出了掺杂Tm3+/Yb3+的YNbO4晶体粉末。在980 nm红外光激发下,观测到波长为478,645,707 nm的上转换荧光,分别对应于Tm3+离子的1G4→3H6、1G4→3F4、3F3→3H6能级跃迁过程。利用上转换发射功率与980 nm激光器工作电流关系估算出跃迁过程吸收光子数目为2.72,2.69,2.01,从而确定出前两者为三光子吸收过程,最后一个对应于双光子吸收过程。运用Judd-Ofelt理论研究样品光谱特性,根据样品的吸收谱得到样品的谱线强度参数Ωt(t=2,4,6),进而得出理论振子强度及实验振子强度,二者均方根偏差δrms=1.299×10-7。计算了Tm3+离子向下能级跃迁的跃迁几率、跃迁分支比等参数。最后得出结论:(1)3F4能级寿命较长,适合作为上转换中间能级;(2)3H5能级寿命较长,且3H5→3H6跃迁分支比(96.46%)接近100%,可用于产生1 216 nm激光。 相似文献
17.
B~3Σ_u~-态是O_2的最强的三重跃迁(B~3Σ_u~-←XΣ_g~-)Schumann-Runge(SR)带的上态,SR吸收带在保护地球、阻止紫外辐射等方面起着关键作用.SR连续带的光解离是平流层O原子及O_3的主要来源,掌握详细准确的O_2分子的电子态势能曲线,有助于对这些光谱现象的深入理解.本文通过MOLPRO软件,采用包含Davison修正的内收缩的多参考组态相互作用(ic MRCI+Q)方法,对O2的B~3Σ_u~-态的势能曲线进行了计算,采用的多参考组态函数来自完全活性空间自洽场计算.首先,采用共价组态构成多参考组态,对和B~3Σ_u~-态对称性相同的四个态进行了态平均计算,发现B3Σ_u~-态不存在双势阱结构,文献(Spectrochimica Acta Part A:Molecular and Biomolecular Spectroscopy 2014 124 216)中双势阱的产生是根的振荡(root flipping)造成的,即B~3Σ_u~-态的势能曲线在核间距约为0.2 nm处跳变到能量相近的23?态的势能曲线上.本文中的态平均计算避免了这种根的振荡.接着,采用完全活性空间组态相互作用的方法计算B~3Σ_u~-态的势能曲线,通过改变活性空间的轨道组成,发现带有2π_u轨道电子布居的里德伯组态对B~3Σ_u~-态的束缚态的特征的出现是必不可少的.最后,通过将2π_u轨道加入到活性空间中,实现将相关的里德伯组态加入到多参考组态,对B~3Σ_u~-态的势能曲线进行了icMRCI+Q计算,得到相较于以往的理论计算与实验值更加相近的势能曲线以及光谱常数.本文探讨里德伯组态贡献的过程为如何确定多参考组态相互作用计算中的参考组态、提高理论计算的准确度提供了可以借鉴的途径. 相似文献
18.
采用高温固相法制备了SrZn2(PO4)2:Sn2+(SZ2P:Sn2+), SrZn2(PO4)2:Mn2+(SZ2P:Mn2+), SrZn2 (PO4)2:Sn2+, Mn2+(SZ2P:Sn2+, Mn2+) 荧光粉. 通过X射线衍射、激发和发射光谱详细研究了荧光粉的物相和发光性质. 在SrZn2(PO4)2 基质中, Sn2+离子发射光谱是峰值位于461 nm宽带谱, 归属于Sn2+离子的3P1→1S0能级跃迁, SZ2P:Mn2+激发光谱由基质吸收带(200–300 nm)和位于352, 373, 419, 431和466 nm的一系列激发峰组成, 分别对应Mn2+离子的6A1(6S)→4E(4D), 6A1(6S)→4T2(4D), 6A1(6S)→[4A1(4G), 4E(4G)], 6A1(6S)→4T2(4G)和6A1(6S)→4T1(4G)能级跃迁, 因此, SZ2P:Sn2+ 的发射光谱与SZ2P:Mn2+的激发光谱有较大范围的重叠. 结果表明Sn2+对Mn2+发光有明显的敏化作用. 基于Dexter电多极相互作用能量传递公式和Reisfeld近似原理分析, 荧光粉SZ2P:Sn2+, Mn2+中Sn2+-Mn2+离子之间的能量传递机理属于电四极-电四极相互作用引起的共振能量传递, 并计算出Sn2+-Mn2+离子之间能量传递临界距离Rc ≈ 1.78 nm. 通过改变Sn2+, Mn2+离子掺杂浓度, 实现了荧光粉发光颜色的调节, 在254 nm短波紫外激发下荧光粉发出较强的蓝白光. 研究结果表明SZ2P:Sn2+, Mn2+荧光粉有望应用于紧凑型节能灯照明领域, 随着半导体紫外芯片技术的发展, 有潜力应用于未来的白光发光二极管照明领域. 相似文献
19.
基于相关一致基组aug-cc-pV5Z,采用内收缩多参考组态相互作用方法计算了BD~+离子两个最低解离极限B~+(~1Sg)+D(~2Sg)和B+(~3Pu)+D(~2Sg)对应的5个Λ—S态(X~2Σ~+,A~2Π,B~2Σ+,a~4Π和b~4Σ~+)的势能曲线和跃迁偶极矩.根据计算结果,求解核运动的径向薛定谔方程得到相应电子态的振-转光谱常数、Franck-Condon(F-C)因子和振动能级辐射寿命.其中A~2Π—X~2Σ~+的F-C因子(f_(00)=0.923)、辐射寿命(τ=235 ns)满足激光直接冷却的条件.因此,我们基于分子转动跃迁提出了一个可实现Doppler激光冷却的光循环方案:A~2Π_(1/2)(υ′=0)—X~2Σ+(υ′′=0,1),其中υ′=0中包含2个转动能级,υ′′=0和υ′′=1中分别包含6个和4个转动能级.根据方案,模拟了激光冷却过程中的分子布居数动力学变化过程,并计算了初速度为100 m/s的BD~+,历经5.4 ms散射1150个光子可减速到4.6 m/s、温度为13 mK. 相似文献