稀释晶场对纳米管上Blume-Capel模型磁化性质的研究

利用有效场理论研究了纳米管上稀释晶场中Blume-Capel模型格点的磁化强度、内能、比热和自由能,得到了系统格点的磁化强度、内能、比热和自由能与温度和稀释晶场的关系.结果表明:稀释晶场取值概率和晶场强度等诸多因素相互竞争,使系统表现出比含恒定晶场作用的Blume-Capel模型更为丰富的磁学特性;稀释晶场会抑制系统格点的磁化强度,导致其基态饱和值小于1;温度较低时,系统格点的磁化强度表现出复杂性;晶场较强时,系统的内能、比热和自由能也呈现出不同的磁学性质.     

双模随机同向晶场对spin-1和spin-1/2混合自旋纳米管中Blume-Capel模型平均磁化强度的影响

利用有效场理论研究了纳米管上双模随机同向晶场中混合自旋Blume-Capel模型格点的平均磁化强度,得到了系统格点的平均磁化强度与双模随机晶场的取值概率、外磁场、晶场参数和晶场强度比值的关系。结果表明：取值概率、外磁场、交换相互作用、晶场强度比值和晶场强度等诸多因素相互竞争,使系统表现出比恒定晶场作用的Blume-Capel模型更为丰富的磁化现象;双模随机同向晶场会抑制系统的平均磁化强度,使其基态饱和值小于5/6;外磁场导致系统的二级相变消失;一定条件下系统发生一级相变;系统的平均磁化强度呈现部分缺失和负值现象。     

双模随机交错晶场对spin-1和spin-1/2混合自旋纳米管中Blume-Capel模型磁化强度的影响

利用有效场理论研究了纳米管上双模随机交错晶场中混合自旋Blume-Capel模型格点的平均磁化强度,得到了系统格点的平均磁化强度与双模随机晶场的取值概率、外磁场、晶场参数和晶场强度比值的关系.结果表明:取值概率、外磁场、交换相互作用、晶场强度比值和晶场强度等诸多因素相互竞争,使系统表现出比恒定晶场作用的Blume-Capel模型更为丰富的磁化现象;双模随机交错晶场会抑制系统的平均磁化强度,使其基态饱和值小于5/6;外磁场导致系统的二级相变消失;一定条件下系统发生一级相变;系统的平均磁化强度呈现部分缺失和负值现象.     

稀释晶场对spin-1和spin-1/2混合自旋纳米管中 Blume-Capel模型磁化强度的研究

利用有效场理论研究了纳米管上稀释晶场中混合自旋Blume-Capel模型格点的磁化强度,得到了系统格点的磁化强度与稀释晶场取值概率、外磁场和晶场的关系.结果表明:取值概率、外磁场、交换相互作用和晶场强度等诸多因素相互竞争,使系统表现出比恒定晶场作用的Blume-Capel模型更为丰富的磁学特性;外磁场能够增大系统格点的磁化强度,导致系统的二级相变消失;负晶场的作用使系统发生一级相变;稀释晶场会抑制系统的磁化强度,导致其基态饱和值小于1.     

近邻相互作用对混合自旋Blume-Capel模型磁化强度的影响

利用有效场论研究了最近邻原子间的相互作用对纳米管晶格点磁化强度的影响。结果表明,最近邻交换相互作用和晶体场强度相互竞争,使系统表现出丰富的磁化特性。当负晶体场作用于系统时,系统发生一阶相变。当晶体场的参数和交换相互作用不同时,系统的磁化强度有显著差异。     

外磁场对纳米管上Blume-Capel模型磁热性能的研究

利用有效场理论研究了纳米管上外磁场中Blume-Capel模型格点的磁化强度、磁化率、内能、比热和自由能,得到了系统格点的磁化强度、磁化率、内能、比热和自由能与外磁场和晶场的关系.结果表明:外磁场强度、交换相互作用和晶场强度等诸多因素相互竞争,使系统表现出比没有外磁场作用的Blume-Capel模型更为丰富的磁学特性;外磁场能够增大系统格点的磁化强度,导致系统的二级相变消失;负晶场作用系统时,系统会发生一级相变;晶场强度、外磁场强度不同时,系统的磁化率、内能、比热和自由能也呈现出复杂性.     

双模随机交错晶场中最近邻弱交换相互作用对重入现象的影响

利用有效场理论研究了双模随机交错晶场中混合自旋Blume-Capel模型纳米管系统的重入现象,发现了系统的重入现象与晶场取值概率、晶场强度和外壳层与内壳层格点间最近邻交换相互作用的关系.结果表明:取值概率、交换相互作用、晶场强度和温度等诸多因素相互竞争,使系统表现出丰富的磁化现象:正(负)晶场较弱时,系统只发生二级相变;随着正(负)晶场增强,系统的二级相变消失,呈现一级相变;一定条件下,系统会出现重入现象.     

最近邻原子间交换相互作用对纳米管上Blume-Capel模型磁热性质的影响

利用有效场理论研究了纳米管上最近邻原子间交换相互作用对Blume-Capel模型格点的磁化强度、内能、比热和自由能的影响,得到了系统格点的磁化强度、内能、比热和自由能与交换相互作用和晶场强度的关系.结果表明:最近邻交换相互作用和晶场强度等诸多因素相互竞争,使系统表现出丰富的磁学特性;正晶场对系统磁化强度具有促进作用;负晶场对系统磁化强度具有抑制作用;负晶场作用下,系统发生一级相变;晶场强度参数和交换相互作用不同时,系统的内能、比热和自由能也呈现出奇异性.     

外壳层最近邻交换相互作用对Blume-Capel模型相变行为的影响

利用有效场理论研究了纳米管上双模随机晶场中混合自旋Blume-Capel模型的相变行为。结果表明,系统相变行为与取值概率、晶场强度比值、晶场参数、温度以及外壳层最近邻交换相互作用密切相关。取值概率、晶场强度比值、晶场参数和外壳层最近邻交换相互作用等诸多因素相互竞争,影响系统的一级和二级相变以及临界点。     

最近邻弱交换相互作用对纳米管中Blume-Capel模型热学性质的研究

利用有效场理论研究了纳米管上最近邻弱交换相互作用下spin-1纳米管中Blume-Capel模型的内能、比热和自由能,得到了系统的内能、比热和自由能与最近邻弱交换相互作用和晶场的关系。结果表明：最近邻弱交换相互作用和晶场强度等诸多因素相互竞争,使系统表现出比 = = =1时的BC模型更为复杂的热学性质;系统内能随温度的变化曲线表现出不连续性;比热随温度的变化出现奇异性;高温对自由能的影响更加明显。     

最近邻弱交换相互作用对spin-1纳米管磁化强度的影响

利用有效场理论研究了纳米管上最近邻原子间弱交换相互作用对Blume-Capel模型磁化强度的影响,得到了系统格点的磁化强度与最近邻弱交换相互作用和晶场强度的关系。结果表明：最近邻弱交换相互作用和晶场强度等诸多因素相互竞争,使系统表现出丰富的磁学特性。正晶场促进系统的磁化强度,而负晶场对其有抑制作用;负晶场作用下,磁化强度基态饱和值小于1,且系统发生一级相变;不同位置的弱交换相互作用对系统的磁化强度影响程度不同。     

横向随机晶场Ising模型的相图和磁化行为研究

在有效场理论和切断近似框架内，选择自旋S=1的二维方格子，研究横向随机晶场Ising模型的相图和磁化行为，重点是横向随机晶场浓度和晶场比率对相图和磁化的影响.给出了i>T-D_x空间的相图和m-T空间的磁化图.在晶场稀疏情况下，负晶场方向存在临界温度的峰值，正方向可出现重入现象.晶场比率取+0.5和-0.5时，磁有序相范围缩小，特别是晶场比率取-0.5时，随晶场浓度的降低，临界温度峰值从横向晶场负方向渡越到正方向.固定某一负晶场值，不同晶场比率的磁化行为有明显差异.同时与纵向稀疏晶场Ising模型结果进行有意义的比较. 关键词： 横向随机晶场Ising模型 相图 磁化行为