C60薄膜双光子光学非线性与双光子跃迁

我们用Ｚ－扫描方法测量了Ｃ６０薄膜在６３３ｎｍ处大的双光子吸收系数β≈５．４ｃｍ／Ｗ，并由此计算了Ｃ６０薄膜双光子共振三阶非线性极化系数的实部和虚部。与计算的Ｃ６０分子能级进行比较，讨论了它的共振双光子光学跃迁。     

C_（60）／PMMA的光子开关器件

研究了Ｃ６０／ＰＭＭＡ的三重态吸收无腔光子开关特性．理论分析结果与实验结果基本符合。     

[110]晶向近本征硅单晶双光子吸收各向异性

以沿[110]晶向切割的近本征硅单晶为样品,通过研究样品对连续波固体激光器所产生的1.3μm的近红外光的双光子吸收所诱导的光电流对入射光偏振方向的依赖关系,研究了双光子吸收的各向异性.测得了硅单晶对该波长的光的三阶极化率张量χ(3)的各向异性系数为-0.25,两个独立分量的比值χxxxx/χxxyy的幅度为2.4,并基于前期工作所得的χxxyy的结果,进而确定了另一分量χxxxx的值大约为1.49×10-19m2/V2.     

C60薄膜的制备

本文首先简要叙述了Ｃ＿（６０）分子的结构以及Ｃ＿（６０）固体的结构和物性，然后较详细地讨论了目前采用的几种气相生长Ｃ＿（６０）。薄膜的方法，以及不同的衬底上Ｃ＿（６０）薄膜的生长特性，最后提出了目前Ｃ＿（６０）薄膜生长研究中存在的几个问题。     

C_（60）－有机半导体异质结

讨论了Ｃ６０作为一种有机半导体材料，与聚合物半导体和有机化合物半导体构成的异质结的一些基本特性，分析了这种结构在半导体光电器件中的潜在应用价值。     

C_（60）对ps光脉冲的限幅效应

研究了Ｃ６０甲苯溶液对ｐｓ光脉冲的限幅效应，证明了光限幅效应是单重态激发态吸收的结果；同三重态激发态吸收光限幅效应相比，单重态激发态吸收光限幅具有限幅能量低、响应速度快等优点。实验结果与理论拟合结果基本符合。     

Ni(mpo)2的近双光子共振光学非线性特性的研究

采用脉冲宽度为7ns、波长为532nm的激光束，首次利用Z-扫描技术测量了新型功能配合物材料Ni（mpo）2[分子式C10H8N2NiO2S2]的非线性吸收系数和非线性折射系数。用粒子数重新布居模型，合理地解释了非线性吸收和非线性折射的产生机理：非线性吸收来自于近共振双光子吸收，而非线性折射是由于近共振双光子吸收造成的折射加强。非线性吸收系数和非线性折射系数随光强的增大而线性减少是近共振双光子吸收引起粒子斯雷斯布屠的结果。     

n-InSb的磁双光子带间吸收研究

通过测量光电导和调制光电导,观察到了15K温度下的n-InSb在CW CO_2激光照射产生的磁双光子吸收(TPMA).实验取Voigt位形,磁场沿[111]晶向且最大为4.2T.实验的结果表明,“一次带内,一次带间”跃迁理论可以相当好地解释InSb中的TPMA过程,且大部分吸收为“球对称跃迁”,而其余为较弱的空间反演不对称、斜项和k_H跃迁.通过计算三阶非线性系数虚部得到的TPMA吸收系数与实验测得的双光子光电导之比较亦表明,现有的此方面的理论解释是成立的.     

ZnSe红光和近红外波段双光子吸收的研究

利用一个简化的二能级模型的速率方程来计算双光子吸收系数,讨论了ZnSe的双光子吸收特征,并用此模型计算了ZnSe在600 nm和900 nm的双光子吸收系数.     

用THG法测量液体三阶非线性极化率X^（3）

本文首次提出了一种测量液体三阶极化率的实验方法。它克服了以往测量方法中实验装置复杂的缺点，消除了空气和容器的三次谐波信号测量结构的影响，从而排除了实验中的系统误差。     

红外光学薄膜技术

介绍了红外光学薄膜在红外光学系统中的作用.详细阐述了红外光学材料的选择、相应薄膜材料的选取以及红外增透保护膜的几种设计方法,并重点介绍了类金刚石(DLC)、碳化锗(GexCl-x)、磷化物(GaP)、金刚石(Diamond)等几种薄膜材料光学性能及其应用,最后对红外增透保护膜未来的发展进行了展望.     

含C60聚合物薄膜的制备及其光电特性

采用ＰＥＣＶＤ技术，分别在不同衬底上淀积了含Ｃ７０聚合物薄膜材料，对所淀积的薄膜材料进行了紫外可见光谱，质谱和表面光电压谱的分析，对异质结光伏性和薄膜表面横向光电压进行了测量，得到了具有应用前景的可喜效果。     

新型光通信薄膜器件

综述了用于城域网的x-skip-0滤光片、可调谐滤光片已及无源光网络的波分复用器,并给出了8-skip-0滤光片和无源光网络波分复用器的第一块滤光片的设计光谱图。     

氟金云母衬底上C60薄膜的光学性质

用热壁外延法在氟金云母衬底上生长出了高质量C60薄膜,用原子力显微镜观察了样品的表面形貌．测量并分析了不同厚度C60薄膜的紫外-可见吸收光谱．由测量的透射及反射光谱,经计算得到了吸收系数与入射光子能量的关系．利用结晶半导体的带间跃迁理论,对禁戒的带间直接跃迁hu→t1u和电偶极允许的带间直接跃迁hu→t1g的带隙分别进行了计算．     

Al/C60/Cu薄膜结构的电学性质

将C60薄膜沉积在Al上,制成了Al/C60结构的薄膜二极管。对Al/C60结构的肖特基结构与金属-绝缘层-半导体(MIS)结构的电学特性做了研究。Al/C60肖特基结构在偏压±2 V时的整流比为30,而Al/C60的MIS结构在偏压±2 V时整流比为100。在MIS结构中,AlOx的形成起着关键的作用。研究还发现,刚沉积好的薄膜二极管,其整流效应并不理想,在真空中经退火处理后,其性能得到增强。此二极管在空气中无封装情况下表现出高稳定性。     

C60聚氨酯胺薄膜的非线性光学特性的研究

利用Z扫描技术，分别测量了五种C60聚氨酯胺薄膜（C60含量分别为0％、0．16％、0．30％、0．42％、0．52％，厚度均为0．3mm）的非线性光学吸收系数和折射系数，并研究了该薄膜的光限幅特性。实验表明：随着样品中C60的含量由0增加到0．52％，薄膜的透射率可由70％逐渐减小到10％，且透射光功率可限制在25mJ／cm^2以下。薄膜的透射率或透射功率可以随C60含量不同而改变，即薄膜的光限幅性能可以通过调节C60含量的方式加以控制。最后，基于C60分子的五能级模型，采用激发态吸收（反饱和吸收）物理机理解释了薄膜的非线性光学特性及光限幅性能。     

C60聚氨酯胺薄膜的非线性光学特性的研究

利用Z扫描技术,分别测量了五种C60聚氨酯胺薄膜(C60含量分别为0％、0．16％、0．30％、 0．42％、0．52％,厚度均为0．3 mm)的非线性光学吸收系数和折射系数,并研究了该薄膜的光限幅特性。实验表明:随着样品中C60的含量由0增加到0．52％,薄膜的透射率可由70％逐渐减小到10％,且透射光功率可限制在25 mJ／cm2以下。薄膜的透射率或透射功率可以随C60含量不同而改变,即薄膜的光限幅性能可以通过调节C60含量的方式加以控制。最后,基于C60分子的五能级模型,采用激发态吸收(反饱和吸收)物理机理解释了薄膜的非线性光学特性及光限幅性能。     

激光与红外技术中应用的光学薄膜

本文介绍了当前在激光与红外应用中的光学薄膜动态,并给出其环境试验要求     

光学薄膜元件的激光预处理技术

激光预处理技术作为一种提高激光约束核聚变装置中光学元件损伤阈值的有效方法,有重要的使用价值和学术价值。介绍了激光预处理的研究现状,重点介绍了小光斑光栅扫描预处理的方法及其应用,以及应注意的问题。讨论了几种被广泛认可的预处理增强机理,并对激光预处理技术进行了展望。     

铟镓氮薄膜的光电特性

用金属有机物气相外延设备,在氮化镓/蓝宝石复合衬底上快速外延生长铟镓氮薄膜,并对其进行了X射线三晶衍射、光致发光、反射光谱及霍尔测量等实验测试.确定该薄膜为单晶,其中In组分可以从0增加到0.26;在光致激发下发光光谱为单峰,且峰值波长在360～555nm范围内可调;其发光机理被证实为膜内载流子经带隙跃迁而直接复合;并具有很高的电子浓度.但InGaN薄膜的结晶质量却随着In含量的增加而变差.