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镝掺杂硫镓铅(Dy:PbGa2S4,Dy:PGS)晶体是一种性能优良、具有潜在应用价值的中红外激光介质材料.为推动该晶体的实用化研究,迫切需要制备出大尺寸高品质Dy:PGS单晶.本研究采用自制的双温区管式炉成功合成Dy:PbGa2S4多晶,单次合成量达到230 g;首次采用竖直梯度冷凝法制备该晶体并成功生长出大尺寸高质量Dy:PbGa2S4单晶,尺寸达到φ27 mm×100 mm;通过切割和抛光等处理工艺,成功加工出Dy:PbGa2S4晶体器件,为下一步的激光应用研究打下了坚实基础. 相似文献
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钡镓锗硒(BaGa2GeSe6,BGGSe)晶体是由中国科学家发明的一种性能优异的新型红外非线性光学材料.目前国内未见到关于该晶体的大尺寸制备报道.本研究采用自制的双温区管式炉成功合成出BGGSe多晶,单次合成量达到400 g;采用坩埚下降法生长出大尺寸高质量BGGSe单晶,尺寸为φ30 mm×90 mm,为国内首次;通过定向、切割和抛光等处理工艺,成功制备出BGGSe晶体器件,为该晶体下一步的应用研究打下了坚实基础. 相似文献
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硒铟锂(LiInSe2,LISe)晶体在长波红外激光领域有重要应用价值.目前高质量、大尺寸LISe晶体的稳定生长仍然面临挑战,通过气氛退火后处理工艺能够有效提高晶体光学质量.本文采用定向籽晶垂直布里奇曼法,通过精确控制籽晶熔接,实现大尺寸(φ40 mm×60 mm)LISe晶体的批量稳定制备,为目前国际上报道的最大尺寸LISe晶体.另外,系统探索了LISe晶体的退火工艺,研究表明在740℃、LISe本征气氛下退火150 h,可以明显提高LISe晶体器件光学质量. 相似文献
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本文报道了不同溶剂对DCNP晶体生长的影响,发现二甲基甲酰胺是一种好溶剂。利用降温法已生长出DCNP透明单晶。 相似文献
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本文首次报告使用KF助熔剂生长大尺寸优质β-BaB2O4(BBO)晶体的研究结果。适合的生长条件为;熔质与熔剂摩尔百分比为BaB2O4:KF在66:34到70:30范围内,籽晶方向平行c轴;晶体转速0-15r/min;生长周期为120天。 相似文献
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溶液循环流动法生长大尺寸KDP晶体 总被引:4,自引:3,他引:4
本文研究了溶液循环流动法生长大截面KDP晶体的工艺条件。发现影响晶体生长的关键因素是溶液的充分过热,流动系体的流量和生长槽的温场。测定了不同条件下生长槽的温场,确定了最佳晶体生长区域。用循环流动法能提高溶液的过饱和度,加快晶体生长速度。 相似文献
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根据晶体自发成核几何淘汰规律,结合ZnGeP2晶体的结晶习性,研究设计出生长完整ZnGeP2单晶体的双层镀碳石英安瓿,其关键技术参数为:安瓿长径比6~7,籽晶袋长度≥25 mm,安瓿主体与籽晶袋之间的放肩角在25°左右.在上述生长安瓿中,采用改进的垂直布里奇曼法,分段控制下降速率,成功生长出尺寸为22 mm×40 mm的ZnGeP2单晶.对晶体进行X射线分析,获得(204)面单晶衍射谱和回摆谱,衍射峰峰形尖锐无劈裂,回摆谱对称性好,半峰宽为0.063 °;晶片在2~12 μm波段范围内的红外透过率达50;以上.实验结果表明,研究设计的生长安瓿适合于磷锗锌单晶生长,能够获得较高质量的单晶体. 相似文献
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在高纯ZnGeP2多晶批量合成基础上,采用垂直布里奇曼法生长出尺寸φ(40~50) mm× 140 mm的高品质单晶.切割出多种6mm×6mm×(16~30) mm规格的晶体元件,元件o偏振光2.05 μm吸收系数为0.01~0.03cm-1,通过光参量振荡技术实现中波(3~5μm)40W和远波(8~10 μmn)3W的激光输出. 相似文献
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快速生长大尺寸KDP单晶 总被引:3,自引:2,他引:1
WANG Bo 许心光 WANG Sheng-lai 孙洵 GU Qing-tian 李毅平 FANG Chang-shui 梁晓亮 FENG Yu 《人工晶体学报》2008,37(4):1042-1043
用传统降温法生长了大尺寸KDP单晶,生长速度一般在1~2 mm/d,周期长,风险大.本文采用"点籽晶"快速生长法多次成功生长出了200 mm级的大尺寸KDP单晶,晶体生长速度达到20 mm/d,晶体生长正常.同时,摇摆曲线表明快速生长的晶体有着很好的结构完整性. 相似文献
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采用改进垂直布里奇曼法生长出的磷锗锌(ZnGeP2,ZGP)晶体中存在各种缺陷,导致其红外透过率较低,刚生长的晶体不能直接用于制备红外非线性光学器件.分别采用真空、同成分粉末包裹和真空-同成分粉末包裹的复合退火工艺对生长的ZGP晶体进行了退火热处理研究.应用傅立叶红外光谱仪(FTIR)、高阻仪(HRM)、X射线能谱仪(EDS)等对退火前后的晶体性能和成分进行了测试分析.结果表明,三种方法退火后晶体的红外透过率和电阻率都得到改善,其中复合退火工艺的改善效果最为显著,晶体红外透过率由41;提高到60;,电阻率由2.5×108 Ω·cm提高到7.2 ×108 Ω·cm,晶体成分接近ZGP理想化学配比,退火后晶体的光学和电学性能得到显著改善,可用于ZGP-OPO器件制作. 相似文献
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本综述分析了微波等离子化学气相沉积(MPCVD)单晶金刚石生长及其电子器件近年来的研究进展,并对其进行展望.详细介绍了金刚石宽禁带半导体特性、生长原理、生长设备、衬底处理.研究了影响MPCVD单晶金刚石生长的关键因素,为获得最优生长条件提供指导.分析了横向外延、拼接生长、三维生长等关键性生长技术,逐步提高单晶金刚石的质量和面积.在金刚石掺杂的研究中,详细介绍了n型和p型掺杂的研究进展.通过对金刚石肖特基二极管、氢终端金刚石场效应晶体管、紫外探测器的研究,展现了金刚石在电子器件领域的成果和进展.最后总结了MPCVD单晶金刚石生长及其电子应用过程中面临的挑战,展望了金刚石在电子器件领域的巨大应用前景. 相似文献
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G. Ajithkumar M. A. Ittyachen S. K. Chaudhary N. V. Unnikrishnan 《Crystal Research and Technology》1997,32(5):737-741
Single crystals of CdI2 were grown by employing the horizontal zone refining method. Emission spectra of these crystals were recorded at room temperature and liquid nitrogen temperature. Various emission parameters such as optical gain coefficient, lifetime, gain, stimulated emission cross section were evaluated for the various emission components. The results show high gain at low temperature whereas very low value at rmm temperature. This has been explained by invoking the existence of self trapped excitons in the crystal. 相似文献
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单晶材料的新发展及其对生长技术的挑战 总被引:5,自引:5,他引:0
近年来,宽带隙半导体GaN、SiC、ZnO,弛豫铁电体PZNT,热电半导体β-FeSi2,超导体MgB2等功能晶体材料引起了人们的广泛关注.这些材料大多具有非常优异的性能和巨大的应用前景,但生长工业应用的体单晶非常困难.本文从晶体生长技术角度综述了这些晶体的研究进展,结合其物理化学特性探讨了单晶生长中遇到的一些关键问题.通观这些热点单晶材料的研究现状,一方面我们可以把晶体膜的制备技术看作是传统晶体生长技术的延伸,另一方面,膜技术的发展和单晶生长中存在的问题,也是对传统生长工艺的挑战. 相似文献