湿化学法合成PZT微粉的工艺研究

通过湿化学法合成ＰＺＴ陶瓷微粉实现粉料的高经、超细、粒度均匀及化学成分的精确控制。综述了湿化学法制备ＰＺＴ陶瓷粉料的常用方法及其基本原理和生产工艺条件，并对溶胶－凝胶法、共沉淀－煅烧法和水热法制备ＰＺＴ微粉的优越性及不足进行了评价。     

湿化学法合成CLSNT微波介质陶瓷粉体

用改进的 Pechini 法合成 Ca_(0.28)Li_(0.15)Sm_(0.28)Nd_(0.15)TiO_3(CLSNT)陶瓷粉体。采用 TG、DTA、XRD 和 SEM等技术对 CLSNT 陶瓷粉体进行分析。在 600℃预烧 3 h 后,钙钛矿结构的 CLSNT 相形成,但有少量 Sm_2Ti_2O_7、TiO_(1.49)、Ti_3O_5、Ti_4O_7 相。预烧温度升高到 1 000℃,只有钙钛矿结构的 CLSNT 相。用这一方法能在相对低的温度下制备出性能优良的微波介质陶瓷。在 1 230℃下烧结 3 h,εr为 98,Q·f 为 6 360 GHz,τf 为 8×10–6℃–1。     

氮化硼纤维显微结构的电镜研究

氮化硼纤维是一种新型的无机纤维。它的制备是以氧化硼纤维为前躯体,在氨气氛中加热形成部分氮化的一次氮化硼纤维,再经热处理过程转化成主要成分为氮化硼的二次氮化硼纤维。本文应用透射电镜和扫描电镜深入研究了氮化硼纤维的晶体结构、晶粒形貌与大小、结晶度、取向性以及纤维的内部缺隐与表面缺陷。首先应用透射电镜的选区电子衍射技术对几种不同工艺条件下制备的一次氮化硼纤维、二次氮化硼纤维试样与六方晶系氮化硼制品试样进行了晶体结构的对比分析。结果表明,本研究的氮化硼纤维是一种取     

先驱体合成法在钙钛矿型铁电陶瓷材料制备中的应用

先驱体合成法是一种专门用于Ｂ位复合钙钛矿［Ａ（Ｂ１ｘＢ２（１－ｘ））Ｏ３］化合物的新方法。结合国外文献及作者的实践，阐述了近年来引起关注的复合钙钛矿化合物先驱体合成法的基本原理。先将Ｂ１和Ｂ２氧化物复合成先驱体（Ｂ１ｘＢ２（１－ｘ））Ｏ２或（Ｂ１Ｂ２）Ｏ４，然后将先驱体与Ａ氧化物合成为单相Ａ（Ｂ１ｘＢ２（１－ｘ））Ｏ３钙钛矿化合物。该方法能避免焦绿石相的出现，大幅度提高了钙钛矿陶瓷的单相性，其工艺简单，且能制备亚微米粉料。这些优点使它在铁电压电陶瓷工业生产中具有广阔的应用前景     

用FeCl_3作催化剂先体制备碳纳米结构

以不同浓度的FeCl3溶液作为催化剂先体,利用乙醇催化燃烧法,在铜片上生长出了碳纳米管和碳纳米纤维。讨论了不同浓度的FeCl3催化剂先体对生长碳纳米材料产物和形貌的影响。利用扫描电镜,透射电镜和喇曼光谱对样品的形貌和结构进行了表征。实验结果表明,随着催化剂先体浓度增大,碳纳米材料产量增大,直径呈现增大趋势,其直径范围也逐渐变大。当催化剂先体浓度为0.01mol/L时,可以制备出直径较小的碳纳米管;当催化剂先体浓度为0.1mol/L时,可以制备出直径分布均匀的碳纳米管与碳纳米纤维的混合物;当催化剂先体浓度为1mol/L时,可以制备出直径分布不均匀的碳纳米纤维。     

用FeCl3作催化剂先体制备碳纳米结构

以不同浓度的FeCl3溶液作为催化剂先体,利用乙醇催化燃烧法,在铜片上生长出了碳纳米管和碳纳米纤维.讨论了不同浓度的FeCl3催化剂先体对生长碳纳米材料产物和形貌的影响.利用扫描电镜,透射电镜和喇曼光谱对样品的形貌和结构进行了表征.实验结果表明,随着催化剂先体浓度增大,碳纳米材料产量增大,直径呈现增大趋势,其直径范围也逐渐变大.当催化剂先体浓度为0.01 mol/L时,可以制备出直径较小的碳纳米管;当催化剂先体浓度为0.1 mol/L时,可以制备出直径分布均匀的碳纳米管与碳纳米纤维的混合物;当催化剂先体浓度为1 mol/L时,可以制备出直径分布不均匀的碳纳米纤维.     

浅谈体育教育中学法指导的研究

学法指导已经成为当今世界教育、教学研究的一个重要课题。作者以当今世界倡导的主体性教育思想和当前素质教育方针为指导,就学法指导的意义,体育教学中学法知道的方法以及需要的方面进行初步探讨。     

异质外延立方氮化硼薄膜的微结构研究

利用离子束辅助沉积技术在金刚石薄膜衬底上制备立方氮化硼薄膜,傅立叶变换红外谱的结果表明,在高度(001)织构金刚石薄膜衬底上沉积的立方氮化硼薄膜是纯的立方相,而在多晶金刚石薄膜衬底上制备的立方氮化硼薄膜中还含少量的六角氮化硼。高分辨透射电镜的分析表明,在金刚石晶粒上异质外延的c-BN直接成核于金刚石衬底,界面没有六角氮化硼过渡层;而在含有大量缺陷的晶粒边界,存在六角氮化硼的成核与生长。     

非晶氮化硼薄膜的场致电子发射研究

利用脉冲激光沉积 (PLD)技术在镀钛的陶瓷衬底上制备出了非晶态氮化硼薄膜 ,借助于X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜 (SEM )及Raman光谱分析了该薄膜的结构 ,并研究了薄膜场致电子发射特性 ,阈值电场为4 6V μm ,当电场为 9V μm时 ,电流密度为 5 0 μA cm2 。     

纳米铁掺杂先驱体转化SiC多孔陶瓷的电磁吸波性能研究

先驱体转化法中,由于材料的分子具有可设计、成型方便、低温裂解转化为陶瓷的特点,在陶瓷材料的制备中表现出极大的优势。文中运用功率超声将平均粒径30 nm的超细金属铁粉均匀分散到聚碳硅烷中,通过先驱体转化工艺制备了一种多孔介电陶瓷。采用SEM分析了陶瓷的微观形貌,用XRD研究了陶瓷中铁元素的存在状态;表征了陶瓷材料的电磁吸波性能,并考察了纳米铁粉含量对材料电磁性能的影响。     

氧化锌压敏电阻的湿式化学合成法

综述了氧化锌压敏电阻的特性、用途及国内外用各种湿式化学合成技术制备氧化锌压敏电阻的原理及方法。     

通过添加表面活性剂和螯合剂改进硅片化学清洗工艺的研究

通过在传统RCA清洗法所用的SC-1液中,添加表面活性剂四甲基氢氧化铵(TMAH)和/或螯合剂乙二胺四乙酸(EDTA),实验比较了不同清洗方法对颗粒粘污、金属粘污的去除效率;并测试了其对硅片表面粗糙度的影响。用MOS电容结构的击穿电场强度Weibull分布,评价了不同清洗方法所得氧化层的质量。结果表明,上述改进能够显著提高对颗粒粘污和金属粘污的去除效果,同时能省去RCA的SC-2清洗步骤,具有节省工时、化学试剂消耗量小的优势。     

湿法化学腐蚀法估算GaN外延层中位错密度

研究了采用熔融NaOH对MOCVD生长的GaN外延层的湿法腐蚀结果,结合原子力显微镜表征其腐蚀坑形貌及腐蚀坑密度,得出了优化的腐蚀条件.通过与熔融KOH腐蚀结果对比分析发现,熔融NaOH腐蚀速率平缓,表面更平整,腐蚀坑更规则且密度更大.结合两种腐蚀结果,可以初步得出,熔融NaOH对GaN中刃型分量位错敏感,而熔融KOH对螺型分量位错更敏感,两种腐蚀剂相结合能够更完整地揭示GaN内部位错.     

两种湿化学法制备PZT陶瓷的成分和结构研究

用两种湿化学法(水热法和溶胶-凝胶法)制备了PZT纳米粉体，并经烧结得到PZT微晶陶瓷。对两种方法所得的陶瓷进行介电测量。分析表明：水热法制粉后经烧结所得陶瓷的锆钛比(Zr／Ti)与原料的理论配比有较大的偏离，而溶胶-凝胶法制粉所得陶瓷的锆钛比(Zr／Ti)能较好地反映原料的锆钛配比。     

溶胶 凝胶法制备钛酸钡陶瓷纤维

用溶胶-凝胶法制备钛酸钡纤维,研究了原料种类对前驱体溶胶制备的影响。研究发现,用钡和钛的无机盐不能制备溶胶;以钛酸四丁酯和醋酸钡为原料,制备了钛酸钡陶瓷纤维。凝胶纤维在900 ℃煅烧1 h后,物相为立方BaTiO3相,纤维直径为40 μm。     

湿法化学腐蚀在GaN基材料中的应用

文中计算了AlGaN材料在不同温度KOH水溶液中的湿法腐蚀速率，并研究了湿法化学腐蚀GaN基材料对消除干法刻蚀所引入损伤的作用。为了对比湿法化学腐蚀消除干法刻蚀损伤的效果，分别利用扫描电子显微镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）和俄歇电子能谱（AES）对比Ar^＋干法刻蚀后经湿法化学腐蚀处理和未经处理的表面形貌及组分，并制作了单元可见盲器件，测试其反向漏电流，发现在干法刻蚀后引入湿法化学腐蚀工艺可使器件的反向漏电流得到较大程度的减小。     

湿法化学腐蚀在GaN基材料中的应用

文中计算了AlGaN材料在不同温度KOH水溶液中的湿法腐蚀速率，并研究了湿法化学腐蚀GaN基材料对消除干法刻蚀所引入损伤的作用。为了对比湿法化学腐蚀消除干法刻蚀损伤的效果，分别利用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和俄歇电子能谱(AES)对比Ar+干法刻蚀后经湿法化学腐蚀处理和未经处理的表面形貌及组分，并制作了单元可见盲器件，测试其反向漏电流，发现在干法刻蚀后引入湿法化学腐蚀工艺可使器件的反向漏电流得到较大程度的减小。     

碳热还原法合成AlN纤维

研究了碳热还原法合成AlN纤维过程中原料配比、合成温度、保温时间、氮气压力、氮气流量等因素对氮化率的影响,实验结果获得了较佳的工艺参数,研制出直径为4～6 μm、长径比为20～30、氮含量大于31%的氮化铝纤维。     

湿法表面粗化提高倒装AlGaInP LED外量子效率

介绍了一种利用盐酸、磷酸混合液对不同Al组分(AlxGa1-x)0.5In0.5P的选择性腐蚀特性对倒装AlGaInP红光LED进行表面粗化的方法。通过向粗化层GaInP加入适量的Al,在Al组分为0.4时,利用体积比为1∶10的HCl∶H3PO4可以得到横向尺寸约为60nm,纵向尺寸约为150nm的最有利于出光的类三角圆锥型表面结构。器件测试结果表明,在20mA注入电流下,器件外量子效率比粗化前提高了80%。