与量子尺寸和几何相关的PbSe/CdSe/ZnSe量子点量子阱的自发辐射

本文研究了双壳层核壳结构量子点带间自发辐射特性,采用有效质量近似理论计算了球形和圆柱形PbSe/CdSe/ZnSe核壳结构量子点的本征能量和本征波函数以及系统能级Ec1和Ev1之间的自发辐射.进一步讨论了球形PbSe/CdSe/ZnSe量子点中,CdSe壳层厚度对自发辐射谱的影响以及柱形PbSe/CdSe/ZnSe量子点中,CdSe壳层厚度和圆柱体的高度变化对自发辐射谱的影响.分析结果表明,球形量子点的壳层厚度增加对导带和价带最低能级间的自发辐射率没有太大的影响.而圆柱形量子点的壳层厚度和高度的增加都会导致量子点系统导带和价带最低能级间的自发辐射率谱的蓝移.     

采用B样条计算量子点量子阱中氢原子能谱

介绍了一种被称为量子点量子阱 (Quantum- dot quantum wells简称 QDQWs)的新型半导体材料 ,并为其建立了合适的计算模型 .再以 B样条为展开基函数 ,采用变分法对其进行了计算 ,得到了量子点量子阱中氢原子能谱 .计算结果表明 ,当 QDQW的半径 (或核半径 )增大时 ,给体能级随之减小并逐步陷入小阱深度内 .因此只要适当地改变这种新材料的周期性 ,则施主粒子的波函数、能量等性质就可以人为控制 ,从而可进一步控制半导体材料的光学性能 .同时 ,B样条基函数对于计算局限在有限范围内量子体系的波函数和能量是十分有效的     

基于原子系综和线性光学器件的量子中继

有噪信道上的量子通信出错率随着信道长度呈指数式增长, 量子中继是应对此问题的一种有效方法. 提出一种具有实验可行性的量子中继方案, 利用原子系综来制备量子纠缠, 利用偏振分束器来完成量子纠缠的纯化和交换, 为实现远程量子通信提供了一种有效方法.     

以混合态为初态实现Deutsch-Josza量子算法

给出了一种以混合态为初态实现Deutsch-Josza（D-J）量子算法的方法。根据这种方法,需要引入一个辅助量子比特,而且不必制备纯态就可以实现D-J算法,并且读出结果时只需对辅助量子比特进行测量,这样其结果的读出过程比一般的D-J量子算法的读出过程简单,因此这种方法更容易在实验上实现。     

侧向耦合量子点的量子线的自旋输运

提出了理想量子线通过量子点与铁磁导线侧向耦合系统，可实现电子自旋极化输运．并通过格林函数法计算表明：量子线上的电导产生自旋极化；电导极化率在反共振区有2个峰值，且与非共振区的极化方向相反；调整量子点和铁磁导线的耦合强度参数可使电导极化率达到极值．     

物理系吴惠桢课题组在半导体量子结构的光、电特性研究中取得的新进展

<正>半导体量子点是半导体照明工程、太阳能电池、量子通信等领域的重要基础材料.最近,物理系博士生胡炼等在导师吴惠桢教授的指导下完成了对半导体量子点-金属纳米结构等离激元耦合态的精确调控,应用该耦合态可实现单一尺寸半导体量子点的白光发光,并可应用于LED器件中[Small,DOI:10.1002/smll.201400094].     

用B样条方法计算球冠状量子点内的电子结构

在有效质量理论的框架内,使用B样条方法,分别计算得到了球冠状InAs自组织量子点的高度和底面半径对电子能级的影响关系,且与实验结果和其他理论方法计算的结果进行了比较.结果表明：当量子点高度增大时（从1 nm到10 nm）,其能级降低,能级间距减小.与底面半径对电子能级的影响相比,量子点高度是影响电子能级的关键因素,尤其是对基态能级几乎有决定性作用.同时,计算过程及结果也证明B样条方法在计算球冠状量子点电子能级方面是行之有效的.     

非均匀磁场对XY模型三量子比特热纠缠度的影响

利用海森堡XY模型,通过密度矩阵的方法研究了三量子比特在外加磁场下的热纠缠,计算了纠缠的度量--并协度,给出了有限温度条件下不同外加磁场下的纠缠行为.在此基础上,可以通过对外加磁场的调节对量子比特进行有效的控制,实现量子计算和得到最有利的纠缠.     

硫量子点的光稳定性研究

以聚乙二醇-400为钝化剂,以过氧化氢辅助刻蚀的自上而下法合成了分散性良好、荧光性质稳定的硫量子点(SQDs),采用氙灯照射的方式系统研究了硫量子点在不同光照时间和pH条件下的光稳定性.结果表明:随着光照时间的延长,硫量子点的荧光强度逐渐降低;与pH 7.4及11.0相比,硫量子点在pH 3.0条件下荧光强度下降较缓慢...     

量子点显示——中国显示行业“换道超车”的曙光

用量子点进行显示具有高性能、低成本等优势.作为一项“颠覆性技术”,量子点显示将在显示行业掀起一场技术革命,为我国显示产业突破国外技术和专利封锁,占据产业科技制高点,实现“换道超车”提供了良好的契机.主要介绍了量子点发光显示关键材料与器件研究的相关进展,以及其在中国显示行业的应用现状与前景.     

kagome晶格中无序和自旋交换作用对量子霍尔电导率的影响

数值计算了kagome晶格中无序和海森堡交换相互作用下的量子霍尔效应, 其中无序包括非磁性杂质和磁性杂质, 相互作用包括近邻的铁磁和反铁磁海森堡交换相互作用. 计算结果表明, 非磁性和磁性无序增强将导致量子化的霍尔电导平台从高朗道能级到低朗道能级逐步被破坏. 除了破坏霍尔电导平台, 磁性杂质还可以解除自旋简并, 使系统发生从非常规量子霍尔效应到常规量子霍尔效应的转变. 对于自旋交换作用影响下的霍尔电导, 铁磁相互作用同样会使系统发生从非常规量子霍尔效应到常规量子霍尔效应的转变, 而反铁磁相互作用却对系统的量子霍尔电导没有影响. 这暗示着在S=1/2的反铁磁kagome体系中形成的量子自旋液体仍然保有零能隙的特征.     

InGaN／GaN量子阱动力学特征分析

采用单最子阱近似模型,对InGaN/GaN量子阱中的激子和电子在带子带间跃的光吸收效应进行了理论分析和数值计算。结果表明,In是含量对激子的能量影响较大,而量子阱宽度的变化也对激子的能量有着微调作用,导带中电子从基态至第一激发态跃迁的吸收峰比较明显,随着In的含量增加,量子阱中的激子能量间隔增大,吸收谱线的峰值位置会发生蓝移。     

相空间中对称的纠缠相干态的纠缠量

讨论了相空间中对称的两类纠缠相干态的纠缠与相干态的强度及两个双模相干态间的相对位相的关系，导出了计算纠缠量的解析表达式，进而分析了提高纠缠相干态的纠缠量的可能途径。     

两类纠缠相干态的非局域性研究

利用Horodecki提出的违背Bell-CHSH不等式的判据研究了两类纠缠相干态的量子非局域性，导出了计算最大Bell-CHSH算符期望值的解析公式。研究表明，纠缠相干态的非局域度与相干态的强度及相干态的位相相关，在一定的强度一位相关系下纠缠相干态会失去非局域性。     

射频溅射法制备Pb_(1-x)Co_xSe薄膜及物性研究

利用复合靶共溅射法制备了半磁性半导体 Ｐｂ１－ ｘ Ｃｏｘ Ｓｅ 薄膜．研究了薄膜的成分结构以及电阻率温度特性和磁化率温度特性间的关系．结果表明：由于 Ｃｏ 离子介入, Ｐｂ１－ ｘ Ｃｏｘ Ｓｅ 发生了由金属特性向半导体特性的转变,在充分低的温度下,并伴有磁相转变．磁相转变温度与磁性离子浓度相关,磁化率的相对变化幅度与磁性离子浓度有关     

关于量子光学中的非平衡相变问题

本文以激光器为例,说明采用突变论(Catastrophe theory)中不完全分岔理论求解非平衡相变问题的具体步骤。     

氨对硅基铁纳米薄膜高温重凝核的影响

采用弧过滤离子沉积系统（arc filtered deposition,AFD）在纯硅表面制备铁纳米薄膜。研究了750℃下铁纳米薄膜在氢气氛围以及氨气氛围中重凝核的规律。研究表明,在氢气氛围中,铁纳米薄膜重凝核以后形成的铁纳米颗粒随薄膜的厚度增加以及保温时间的延长而增大;但在氨气氛围中,铁纳米薄膜重凝核后形成的纳米颗粒的尺寸随保温时间的变化更为复杂：在氨气作用的初始阶段,铁颗粒的尺寸随氨气作用时间的延长而逐渐变大,但一段时间以后,铁颗粒的尺寸又随氨气作用时间的延长而变小,直到铁颗粒平均直径达到一个最小值（大约在氨气介入后的12min）,随后铁颗粒的尺寸又逐渐变大,并最终达到一稳定值。     

稀土超磁致伸缩材料在热处理过程中的传质和组织转变

研究了稀土超磁致伸缩材料在高温退火过程中的传质和组织转变,对退火后出现的蘑菇状生长物进行了分析。指出,在退火时进行着相辅相成的两个重要过程：富稀土相熔化后通过晶界管道被挤出,基相树枝晶则转变为粗大的柱状晶。充分进行这两个过程是获得具有高磁致伸缩性能GMM棒的必要条件,而“蘑菇”的出现是其重要标志。     

相位倾斜对L-G光束焦开关的影响

研究了相位倾斜L—G光束通过光阑——透镜分离系统的焦开关现象。着重研究相位倾斜对焦开关现象的影响。研究结果表明,相位倾斜影响了相对焦移量、相对跃变量和焦开关发生的位置,同时也影响焦开关出现时截断参数的取值范围。另外,截断参数也会影响焦开关发生的位置。     

从线性非平衡态到混沌

定性地描述了开放系统当环境约束与其内部非线性作用相协同时，从近平衡态突变到耗散结构乃至混沌结构的相变过程． 在耗散结构论、协同论和自组织理论基本原理的基础上，对这类相变提出了统一的诠释，并对两类混沌及其应用前景作了初步的探讨．