AM—OLED显示器件制程解析

OLED显示技术被称为是第三代显示技术,正是基于这种说法,中国大陆的OLED产业才得以蓬勃发展,不少公司都在争先恐后的投入巨资建设OLED显示器件生产线,原因很简单,那就是我们在CRT和LCD时代均落后于人,希望能在OLED时代迎头赶上,起码和世界同步,力争走在前列,这种精神难能可贵。     

大尺寸高分辨率AM OLED的激光热转印技术

激光热转印(Laser Induced'rhermal Imaging,LITI)是1种新型全彩色AM oLED像素图形制造技术.LITI技术有很多独特的优点,如转印的薄膜厚度均匀,具有多层薄膜叠加转印能力,分辨率高以及易于在大尺寸基板上生产等.韩国三星SDI研究开发中心的研究人员研发并优化了LITI技术制备小分子OLED的各项工艺.所制得的器件具有优异的稳定性.采用LITI技术制造的2.0"QVGA OLED显示器在150 cd/m2白光亮度下,工作寿命超过了20 000 h.研究人员还建立了1条基于第4代基板的LITI OLED中试生产线,为大规模生产LITI OLED做先导研究.     

卡西欧利用非晶硅开发成功OLED面板

卡西欧计算机日前开发成功了利用非晶硅TFT驱动OLED面板的技术,并试制出2.1英寸、160×128象素的产品。该公司首次开发有机EL面板,并通过自主开发的驱动电路,提高了开口率。OLED面板的驱动一般使用电子迁移率较大的低温多晶硅TFT。不过,低温多晶硅TFT目前因底板尺寸的限制,难以实现超过20英寸以上大尺寸的设计。如果将非晶硅TFT用于OLED面板,那么不仅易于扩大尺寸,而且没有低温多晶硅TFT制造设备的厂商也能够涉足OLED面板业务。目前日本国际显示技术(IDTech)和台湾友达光电等公司正在进行这方面的开发。卡西欧计算机着手开发…     

OLED有源驱动TFT阵列的一种测试方法

提出了一种检测有源驱动OLED TFT阵列的方法,这种电流检测方法是结合TFT的制作工艺进行的.在只增加一块光刻版的情况下,有效地解决了在含有2个TFT的单元像素电路中,检测驱动管困难的难题.这种检测方法能够进行快速的全屏检测,具有精度高,对TFT阵列无损伤的特点.     

AM—LCD用TFT有源矩阵的性能研究

ＴＦＴ有源矩阵赋予ＡＭ－ＬＣＤ以所有平板显示器（ＦＰＤ）的最佳性能，使其性能已能够等于或好于最为流行的ＣＲＴ显示器件。本文讨论了ＴＦＴ有源矩阵的性能，描述了在像素电极上充电或放电的电压精度要求，介绍了ＴＦＴ－ＬＣＤ的最新进展。     

OLED有源驱动TFT阵列的一种测试方法

提出了一种检测有源驱动OLED TFT阵列的方法,这种电流检测方法是结合TFT的制作工艺进行的. 在只增加一块光刻版的情况下,有效地解决了在含有2个TFT的单元像素电路中,检测驱动管困难的难题. 这种检测方法能够进行快速的全屏检测,具有精度高,对TFT阵列无损伤的特点.     

OLED最新动态

一、我国全线打通AMOLEDfN造工艺技术日前．从有关方面获悉．昆山工研院新型平板显示技术中心（简称昆山平板显示中心）和维信诺公司在国内率先全线打通了LTPS—TFT背板和OLED显示屏制造工艺技术．     

高效OLED显示用有源矩阵技术

有机电致发光显示技术在用于平板显示(FPD)时显示出优异的性格和价格特性。美国的宇宙显示公司(UDC)与普林斯顿大学及南加州大学的合作者合作，开发出了以三重态发射为基础的磷光OLED显示器件。这些显示系统表现出了良好的寿命特性。适用于作商业化的低功耗全色有源矩阵OLED显示器件。该材料系统的转换效率较高，可以采用非晶硅背板驱动。本文考察了将非晶硅象素由于阈值电压变化造成的显示非均匀性减至最小的设计指导。     

用于OLED的a-Si TFT有源驱动阵列保护电路的分析

在模拟与仿真的基础上．根据MOS器件的源漏击穿特性．分析了用于a-Si TFT有源驱动阵列的外围保护电路的工作原理;同时根据所采用的有源OLED单元像素驱动电路的特点,确定了电源线、数据线、信号线上的相应保护电路形式。该保护电路可应用于OLED的有源驱动TFT阵列。     

OLED:显示器换代技术

在继等离子(PDP)和液晶显示(LCD)之后，显示领域又杀出一匹黑马：OLED电视。有机电致发光已经在一些产品中展示出先导作用，其优异的性能甚至令等离子和液晶显示望尘莫及。     

AMOLED电流镜像像素电路的稳定性分析

a—Si：HTFT在长时间施加直流栅偏压下将导致晶体管闽值电压漂移,造成OLED的发光亮度下降,影响其使用寿命。而多管的像素电路设计可以补偿或消除阂值电压的漂移。本文分析了电流控制电流镜像像素电路的工作原理。结合a—Si：HTFT阈值漂移模型仿真了电路在长时间工作下阈值漂移对驱动电流稳定性的影响,并提出了相应的解决办法。研究结果表明合理的像素电路设计可以有效改善驱动电流的稳定性。     

基于HD66773的TFT OLED驱动电路的设计

介绍了用驱动TFT LCD的HD66773芯片驱动5cm(2in)TFT OLED的电路设计．通过对芯片做出合理的特殊设置,最终可以显示出8种颜色,达到初步点亮TFT OLED的目的．并给出了初始化软件流程和MCU接口。     

a-Si:H-TFT阈值电压漂移机理及其在驱动OLED显示中的补偿设计

分析了a—Si：H—TFT阈值电压漂移的机理，即分析了栅偏应力下电荷注入到SiNx：H栅绝缘层和a—Si：H中亚稳态的产生对TFT阈值电压漂移的影响。根据非晶硅中亚稳态产生的特点，并针对驱动OLED的两管a—Si：H—TFT像素电路，提出了一种通过对数据信号时序的重新设计来补偿周值电压漂移的方法，即在数据信号间加插一个与数据信号极性相反的补偿信号。通过这种正负交替的信号，使驱动管TFT中由亚稳态造成的阈值电压漂移始终保持在一个动态平衡的过程，来实现驱动OLED电流稳定的目的。     

OLED技术及面临的技术问题探讨

OLED作为平板显示技术的新一代宠儿,成为近年来平板显示技术研究的主要方向之一。本文从OLED技术发展历史开始,介绍了OLED技术分类、技术原理和技术特点并对OLED面临的技术问题进行了探讨,并对OLED市场前景进行了展望。     

a-Si TFT OLED有源驱动阵列参数的优化与布图设计

主要介绍了用于有源驱动有机发光二极管显示屏的非晶硅薄膜晶体管阵列中各种电子器件参数的设计依据，通过理论计算，确定了单元像素中的各种器件参数；利用Aim-spice进行模拟仿真，对器件的参数进行了优化；利用L-Edit进行布图设计，完成了阵列像素的版图。该设计对小尺寸非晶硅有源驱动OLED的研究开发有一定的意义。     

薄膜a-Si PIN/OLED图像传感显示器的设计与模拟

设计了一种将薄膜a-SiPIN光敏传感单元与OLED有机发光显示单元合二为一的新型图像传感显示器件;通过对每个单元的分别建模以及叠层器件的串联结构特点,对器件单元像素的电流电压特性进行了模拟.结果表明:器件驱动电压的降低主要通过增大OLED的幂指数因子实现;薄膜a-Si PIN的灵敏度对器件灵敏度有决定性的影响;降低a-Si PIN隙态密度能有效地展宽器件的线性响应区域;器件应用领域的不同,对a-SiPIN的并联等效电阻的大小有不同的要求.     

OLED技术及柔性OLED性能、缺陷的研究

OLED凭借其在厚度、视角以及在发光效率等方面的优势成为目前平板显示技术开发的重点。首先简单介绍了OLED的结构、发光原理、驱动电路、发光材料等基本概念。重点针对柔性OLED,阐述了它的优点、缺陷,并进一步对其性能的改善做了相关研究。     

OLED技术的颠覆性创新突破

有源有机发光二极管显示器（AMOLED）在显示和照明领域的潜在颠覆性创新优势已经逐渐被人们所认识。预计AMOLED将带来一次产业创新革命。     

电流模式Poly-Si TFT AM-OLED像素单元的模拟设计

模拟和分析了作为电流模式多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFT)有源矩阵有机发光二极管(AM-LOED)像素单元的poly-Si TFT／OLED耦合对的J-V特性和poly-Si TFT电流镜的I-V特性。使用Mathcad数学计算软件和AIM-SPICE电路模拟工具,分别对OLED和TFT耦合对和TFT电流镜进行了模拟计算。理论上,采用电流模式的poly-Si TFT AM-OLED可以解决器件间的不一致性问题。无论迁移率的不一致还是阈值电压Vth的差异都可以被补偿,从而使灰度的一致性得以改善。因为采用了倒置的OLED结构,可以用N型poly-Si TFT作为电流阱来驱动OLED,所以像素的性能进一步优化。结果表明,poly -Si TFT／OLED耦合对的驱动电压低,在200A／m^2下不超过8V;而TFT电流镜的跟随能力很好,在0．0～2．5μA时饱和电压只有1．5～2．5V。     

OLED技术与市场展望

OLED属于一种崭新的显示器件，它将会对未来的图象显示技术带来无法估量的冲击力！OLED是最有发展前景的显示器件之一，并且将会成为平板显示领域中的一种主流技术，本文阐述OLED诉应用领域、市场前景及发展趋势。