Pr替代YPBCO超导单晶的峰效应研究

采用TSSG法在1 atm氧气氛下生长出Y1-xPrxBa2Cu3O7(x=0.07215)超导单晶样品;测量了该单晶样品在不同温度下的磁特性;根据Bean临界态模型,计算出不同温度下的临界电流密度Jc对磁场H的依赖关系;在对该样品的直流磁化研究中观测到了峰效应。随着温度的降低,样品的临界电流密度明显增加。     

Bean模型与不同几何形状样品中的临界电流密度

我们依据 Bean 临界态模型通过计算给出了不同几何形状超导样品的临界电流密度在各向同性情形下与样品尺寸,剩余磁化强度的诸关系式,给出了利用测量样品磁滞回线求临界电流密度诸公式一个简单统一的方法,为测量磁临界电流密度提供了较全面的参考依据.     

Bi2Sr2CaCu2O8掺杂MgB2的磁通钉扎特性

为了研究超导材料中高温超导相颗粒的钉扎行为,在Ar气保护条件下,采用固相反应法制备了质量百分比为0,3,5和10%Bi2Sr2CaCu2O8含量的MgB2块状样品.用X射线衍射和扫描电子显微镜对样品进行了显微结构分析;用物理性能综合测试系统振动样品磁强计(最大磁场9T)测量了所有样品在不同磁场下的直流M(T)曲线,并测量了不同温度下的准静态磁化曲线,通过Bean临界态模型分析出Jc(H)曲线.随着掺杂量的增大掺杂后Tc基本不变,转变宽度略为增大;相比于未掺杂样品,掺杂量为3 wt%样品抗磁信号和临界电流密度有较大提高.显微结构分析结果表明,部分Bi2Sr2CaCu2O8分解为Cu2O和其它杂相,有部分Bi2Sr2CaCu2O8颗粒保留在样品内部,成为有效的钉扎中心.最后本文对超导体中的高温超导相颗粒的钉扎行为进行了分析.     

Bi2Sr2CaCu2O8掺杂MgB2的磁通钉扎特性

为了研究超导材料中高温超导相颗粒的钉扎行为，在Ar气保护条件下，采用固相反应法制备了质量百分比为0，3，5和10％BizSr2CaCu2O8含量的MgB2块状样品．用X射线衍射和扫描电子显微镜对样品进行了显微结构分析；用物理性能综合测试系统振动样品磁强计（最大磁场9T）测量了所有样品在不同磁场下的直流M（T）曲线，并测量了不同温度下的准静态磁化曲线，通过Bean临界态模型分析出Jc（H）曲线．随着掺杂量的增大掺杂后Tc基本不变，转变宽度略为增大；相比于未掺杂样品，掺杂量为3wt％样品抗磁信号和临界电流密度有较大提高．显微结构分析结果表明，部分Bi2Sr2CaCu2O8分解为Cu2O和其它杂相，有部分Bi2Sr2CaCu2O8颗粒保留在样品内部，成为有效的钉扎中心．最后本文对超导体中的高温超导相颗粒的钉扎行为进行了分析．     

YBa2Cu3O7-xc轴方向临界电流的测定

本文测量了熔化织构法生长(MTG)的和通常烧结法制备的YBa₂Cu₃O_7-x块状样品的传输临界电流密度T_c以及磁场-样品不同取向的磁滞回线。MTG样品的J_c在78K和零场时达到3.5×10⁴A/cm²,实验提供了有力的证据表明如此高的J_c主要是由于块状样品内弱连接的消除,因为MTG块状样品的整体J_c与烧结样品颗 关键词：     

含不同211相颗粒的区域熔炼YBa2Cu3O6＋x样品的临界电流

在５５－７８Ｋ的温度范围内，最大磁场为２．３Ｔ下，用ＶＳＭ测量了含Ｙ２ＢａＣｕＯ５颗粒的区域熔炼ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ６＋ｘ的磁滞回线。利用Ｂｅａｎ模型计算了磁临界电流密度，发现Ｊｃ与外加磁场Ｈ有一普适关系。实验结果能用集体钉扎理论解释。我们同时发现Ｙ２ＢａＣｕＯ５（２１１）颗粒在磁通钉扎中有很大作用，在较高增场下，随２１１相颗粒含量的增加，样品的Ｊｃ下降越缓慢。     

高温超导磁体临界电流计算方法研究

根据超导带材的临界特性确定超导磁体的临界电流是磁体设计中非常关键的一部分,目前计算超导磁体临界电流的常用方法主要是基于H方程的有限元方法。自洽模型是其中之一,该模型在计算单线圈的临界电流时表现出良好的精度。但是随着磁体规模的增大,传统的自洽模型由于计算效率低下不再适用。介绍了一种用于大型磁体临界电流计算的改进自洽模型。该模型在建模中使用了均质化的思想,大大减少了计算量,从而提高了计算速度。实验表明,改进后的模型具有较高的精度,满足实际需要。该模型将在大型磁体临界电流计算中得到较好的应用。     

颗粒超导体临界电流密度的尺寸效应

假设颗粒超导体内某点临界电流密度是该处磁场强度平均值的某种函数,计算了其实测临界电流密度与样品尺寸的关系.发现对目前实验中所用的烧结样品,实验测得的 YBaCuo超导体的临界电流密度有显著的尺寸效应.     

顺磁性对单晶GdBa2Cu3O6＋y监界电流密度的影响

由于单晶ＧｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ６＋ｙ样品中Ｇｄ＾３＋离子本身固有磁矩对样品有顺磁贡献，使得样品的磁滞回线有所倾斜并使磁滞回线的宽度增大，因而使根据Ｂｅａｎ模型得到的临界电流密度偏离了其真正的值，在温度Ｔ＝４．２Ｋ时，偏离达到８％，因而在对ＹＢＣＯ和ＧＢＣＯ进行比较研究时，对ＧＢＣＯ临界电流密度的修正是必要的。这一顺磁磁化强度的磁场依赖关系可以用反铁磁的分子场理论给以很好的描述。     

Bi(2223)/Ag带超导电流的特性

介绍了关于Bi(2223)/Ag带超导电流的特性,包括本征钉扎,Ic与Lorentz力大小的关系,Ic的磁滞。也就是说,Ic的大小不仅与磁场的历史有关,而且与样品在磁场中取向的历史也有关。提出了Ic磁滞的物理解释。评述了Bi(2223)/Ag带中导电的各种模型,包括砖墙模型、铁路道岔模型和自由流通模型。最后指出提高超导电流密度的可能途径。     

Kondo晶格中超导热力学临界场的研究

本文在两带准粒子模型下研究了Kondo晶格中超导热力学临界场的行为。我们唯象地引入了准粒子之间的有效吸引相互作用,由系统的两个超导序参量所满足的自洽方程出发计算了超导态与正常态热力学函数之差,由此得到了Kondo晶格中超导热力学临界场的表达式,并结合重费米子超导体CeCu_2Si_2、UBe_(13)和UPt_3的有关实验对所得理论结果进行了讨论。     

中子辐照对GdBa2Cu3O7-单畴超导性能的影响

研究了中子辐照对GdBa2Cu3O7-±单畴超导性能的影响，使用的辐照剂量为1015 n/cm2．通过高分辨电镜观察发现中子辐照产生球形的缺陷和小的点缺陷，这些球形缺陷的尺寸在4?7 nm，与高温超导相干长度相当，并且在退火过程中稳定存在，而小的点缺陷在退火过程中消失．磁测量结果显示中子辐照使样品的超导电性严重退化，临界电流密度下降并且鱼尾峰效应几乎消失．然而对辐照的样品退火处理后，其超导电性明显改善，临界电流密度显著提高并超过了未经辐照的样品，鱼尾峰也向高场移动．这些结果表明中子辐照和退火处理使GdBa2Cu3O7-±单畴样品中引入了有效的磁通钉扎中心(即球型的缺陷)从而导致其临界电流密度大幅提高．     

Bi1.8Pb0.4Sr2Ca2.2Cu3Oy的磁通运动与临界电流特征

制备了银包套的Bi_1.8Pb_0.4Sr₂Ca_2.2Cu₃O_y带材。微结构观察证明样品是高度织构化的Bi2223单相。输运测量发现J_c(T,B,θ,φ)和R(T,B,θ,φ)均与θ有关,与φ无关(T=77K,B<1T),式中的θ和φ分别表示磁场与ab面和电流的夹角。求得了磁通运动的激活能。提出了热激活磁通弯结的形成与运动模型,并用London理论计算了弯结 关键词：     

纳米ZrO2掺杂对烧结DyBaCuO块材微观结构及其超导电性的影响

研究了纳米ZrO2掺杂及其掺杂浓度对烧结DyBa2Cu3Oy超导体的转变温度Tc和临界电流Ic在零磁场和磁场中的行为,在磁场中发现掺杂样品的临界电流密度明显高于纯DyBaCuO样品.这种磁场行为可能与掺杂样品粒子分布更加均匀,富纳米粒子区明显增加,从而形成有效钉扎中心有关.     

垂直泵的结构对YIG单晶薄膜的第二级自旋波不稳定性临界场的影响

本文采用Schl?mann和Patton方法,进一步讨论铁氧体椭球样品的第二级自旋波不稳定性过程,给出薄膜样品的第二级自旋波不稳定性临界场的表示式,它与Anderson-Suhl公式有所不同。对YIG单晶薄膜样品在3种不同垂直泵结构下临界场的计算表明:对于3种结构计算的临界场与实验结果一致,而且理论上和实验上给出的临界场值与线性极化微波磁场的取向有密切关系。 关键词：     

利用交流磁测量测定高温超导体临界电流密度的问题

本对交流磁测量测定高温超导体的临界电流密度中的问题进行了较详细的讨论，结出了由接收信号实部与励磁电流开始发生非线线性变化的临界点来计算样品的临界电流密度的方法。并讨论了发生这一非线性变化的物理原因，同时对大面积高温超导膜均匀性测量装置中临界电流密度测量的可靠性给出了实验证据。     

BiSrCaCuO体系中的临界电流特性

我们在低磁场下测量了 BiSrCaCuO 样品的临界电流和磁化曲线,发现 BiSrCaCuO 多相样品的临界电流比 YBaCuO 小一至二个数量级.从磁化曲线估计的晶粒区域的临界电流为10~3A/cm~2(77K),说明 BiSrCaCuO 体系中钉扎力相当小,有些样品的磁化曲线接近理想的第二类超导体.     

各向异性样品临界电流密度的自场效应

本采用Ｎｅｗｔｏｎ迭代法解决了无限长各向异性ＨＴＳＣ导线临界电流密度的自场效应，设临界电流密度平行于ｘ轴，外场与ｙ轴成θ角。我们给出了零外场下，临界电流密度及其自场的空间分布，计算了平均临界电流密度与θ角和外场数值的关系，发现并讨论了自场尺寸效应中的极值问题。我们的方法将可以有效地推广到其他更复杂形状和性质的样品中。     

葡萄糖掺杂MgB_2块材超导电性研究

本文采用化学溶液法制备了在不同热处理条件下葡萄糖掺杂的MgB2块材样品.并对样品的晶体结构及超导电性进行了系统分析.X射线衍射结果表明掺杂样品a轴方向上的晶格参数减小,说明MgB2晶格中部分硼原子被葡萄糖分解后的活性碳原子所替代.此外,在两种不同烧结温度下,5wt%C6H12O6掺杂量对Tc都有较小的抑制,但不可逆场和高场下的载流能力得到了提高.在10K,5T下,掺杂样品的临界电流密度可达104A/cm2,比纯样Jc值大2～3倍,这表明掺杂样品的磁通钉扎性能得到了有效改善.     

预处理柠檬酸对MgB2块材掺杂的影响

本文介绍了预处理柠檬酸(C6H8O7)掺杂对MgB2超导体的影响.通过该实验我们将柠檬酸中的一部分氧元素除去,降低了样品中MgO的含量,从而有效减轻了杂质相对超导转变温度(Tc)的抑制.另外,还发现样品的临界电流密度(Jc)在处理温度为200℃时达到最优值.在10K,4T条件下,200℃预处理的样品的Jc达到1.4×1...