光电探测器原理及应用

介绍了光电与系统的组成，阐述了光电二极管和雪崩光电二极管的工作原理及噪声问题，对雪崩光电二极管ＡＰＤ和光电倍增管ＰＭＴ进行了比较，并以四象限探测器为例说明了光电探测器的应用问题。     

GaN紫外光探测器

评述了近年来在ＧａＮ紫外光探测器方面的研究进展。介绍了ＧａＮ光电导探测器、ｐ－ｎ结二极管探测器、肖特基势垒探测器以及ＭＳＭ结构探测器的制备方法、光电参数及研究现状。     

光电检测系统的带宽选择

本文分析光电检测系统的带宽与系统响应时间及信噪比之间的关系。提出在方案设计时根据所要求的响应时间和最佳信噪比初步确定带宽的方法。     

激光辐照InSb（PV）型探测器的温升计算

用一维热传导模型计算得出了激光辐照下InSb(PV)型探测器p-n结处的温升变化。计算和讨论了胶层的热传导率、厚度对激光破坏阈值及热恢复时间的影响。指出选用大热导率的胶并使胶层尽可能薄是提高探测器抗激光性能的有效方法。     

光电探测器相对光谱灵敏度测试方法的研究

本文在全面比较了各类光电器件相对光谱灵敏度S(λ)_r的基础上,设计了用热释电探测器作参考基准,用积分球作单色光辐射接收系统的S(λ)_r测量系统.由于设计上的优点,这一系统大大减少了入射辐射的偏振性,不均匀性,探测器的温漂和杂散辐射等因素带来的误差.     

PIN光电二极管探测器响应特性测试

介绍了PIN光电二极管探测器的工作原理及基本结构,设计了探测器的测试系统,说明了测试系统中各个组成部分的结构和功能.利用该系统对PIN管光探测器电路的电特性进行了测试,测试结果表明PIN光电二极管探测器的响应特性符合技术要求.     

红外探测器的进展

红外探测器的发展基础是物理学和技术科学的进展。HgCdTeFPA和非制冷平面列阵，军事装备和广阔的民用市场需求驱动探测器技术进一步发展。     

光电探测器直线性检测及数据处理

本文介绍了利用汉光阑法测量半导体光电探测器直线性的方法、装置,并着重介绍了用于抑制光源功率波动影响的数据处理技术和用于参考.点选择的数据处理方法.这些技术有效地提高了系统的测量重复性和准确度.     

激光武器反卫星技术研究

针对激光武器反卫星的机理进行分析和研究,得出两个结论:激光武器摧毁空间目标具有速度快、攻击空域广的特点,利用激光的光效应和高能热效应,直接照射卫星可以破坏其光电探测器,从而破坏敌方的卫星装置;建立了卫星探测器的一维热模型,在对探测器材料的破坏阈值进行理论计算的基础上,利用CW COIL辐照PV型InSb探测器对破坏阈值进行实验研究,二者数据吻合较好。     

基于石墨烯的半导体光电器件研究进展

石墨烯自从被发现以来,由于其零带隙、低电导率、常温下的高电子迁移率及量子霍尔效应和独特的光吸收等优良特性,引发了世界各国科研人员的重视,研究人员对其物理性质及应用的研究越来越多并且进展迅速．本文以光纤通信用光电器件中的探测器、调制器为主,综述了石墨烯在光电探测器、调制器以及超快锁模激光器和用于发光二级管、触摸屏透明导电薄膜等方面的应用．     

Performance Improvement of GaN Based Schottky Barrier Ultraviolet Photodetector by Adding a Thin A1GaN Window Layer

We propose a new structure of GaN based Schottky barrier ultraviolet photodetector, in which a thin n-type A1GaN window layer is added on the conventional n^--GaN/n^＋-GaN device structure. The performance of the Schottky barrier ultraviolet photodetector is found to be improved by the new structure. The simulation result shows that the new structure can reduce the negative effect of surface states on the performance of Schottky barrier GaN photodetectors, improving the quantum efficiency and decreasing the dark current. The investigations suggest that the new photodetector can exhibit a better responsivity by choosing a suitably high carrier concentration and thin thickness for the A1GaN window layer.     

掺铁InP肖特基势垒增强InGaAs MSM光电探测器

采用ＬＰ－ＭＯＶＰＥ方法及常规器件工艺制成了ＩｎＰ：Ｆｅ肖特基势垒增强ＩｎＧａＡｓＭＳＭ光电探测器。用自建测试系统对其直流和瞬态特性进行了测试，测试结果表明，器件的击穿电压大于１０Ｖ，２Ｖ偏压下暗电流为１７０ｎＡ，对应的暗电流密度约为３ｍＡ／ｃｍ２；瞬态响应中上升时间ｔｒ为２１ｐｓ，半高宽ＦＷＨＭ为７５ｐｓ。     

硅基波导与GeSi／Si超晶格探测器之间光电集成器件的研制

用分子束外延法将ＧｅＳｉ／Ｓｉ超晶格结构生长在ｎ＾＋／ｎ Ｓｉ材料上，先后用反应离子刻蚀法形成探测器波志和硅脊波导，经适当工艺实现硅波导与ＰＩＮ探测器之间的光电集成，５Ｖ偏压下ＰＩＮ控制器的最小暗电流为０．８μＡ，最大光响应电流为２．７μＡ，最大总量子效率为１４％，工作波长为λ＝１．３μｍ。     

远场光电探测器系统受激光干扰与损伤效果估计

空间光电探测器与地面距离较远 ,用脉冲或连续式激光直接损伤远场探测器非常困难。但光电探测器的光学接收系统对激光照射而言具有巨大的光学天线增益 ,实现激光对光电探测器的干扰与损伤是有可能的。通过计算 ,比较了脉冲激光与连续激光对远场光电探测器的作用效果 ,并在实验中验证了激光轴外干扰光电探测器系统的可行性     

掺铁InP肖特基势垒增强InGaAs MSM光电探测器

采用LP-MOVPE方法及常规器件工艺制成了InP:Fe肖特基势垒增强InGaAsMSM光电探测器。用自建测试系统对其直流和瞬态特性进行了测试,测试结果表明,器件的击穿电压大于10V,2V偏压下暗电流为170nA,对应的暗电流密度约为3mA/cm²;瞬态响应中上升时间tr为21ps,半高宽FWHM为75ps.     

一种光电探测器电路的设计

简介一种以锗雪崩光电二极管(APD)为光电转换器件的探测器电路的工作原理,详细介绍电路各组成部分的设计要求和设计要点.该电路可用于光学测距和微弱光的探测装置.     

X射线像增强器及其应用

综述了Ｘ射线像增强器的结构、工作原理和性能，简要介绍了它的可能的应用．     

细菌视紫红质生物膜光电探测器

细菌视紫红质是一种光能存储与能量转换的生物膜蛋白质分子在光作用下，参产生极为迅速的电荷分离和蛋白质电响应信号，这种光电信号不同于一般无机光电材料的光电响应特征。用电泳法在ＩＴＯ导电玻璃上沉积出定向细菌视紫红质薄膜，与铜电极构成夹细菌视紫红薄膜和导电凝胶结构的光电探测器。     

A New Resonant Tunnelling Structure of Integrated InGaAs/GaAs Very-Long-Wavelength Quantum-Well Infrared Photodetector

We perform a theoretical study on a low dark current InGaAs/GaAs very-long-wavelength （〉 12 μm） quantum well infrared photodetector （VLW-QWIP）, based on a double barrier resonant tunnelling structure （DBRTS）. The ground tunnelling state of the central quantum well （QW） of the DBRTS can resonate with the first excited bound state of the doped InGaAs QW by adjusting the structure parameters of the DBRTS. Investigation of the carrier transport performance of this device is carried out based on quantum wave transport theory. It has been shown that the dark current in this device can be significantly reduced by two orders compared to conventional InGaAs/GaAs VLW-QWIPs, while the photocurrent is almost the same as those in conventional VLW-QWIPs. This DBRTS integrated VLW-QWIP structure may stimulate the experimental investigation for VLW-QWIPs at high operation temperatures.