n~ InSb/PHg_(1-x)Cd_xTe异质结的液相外延生长及红外探测器

本文报道用水平滑舟系统液相外延制备n~ InSb/PHg_(1-x)Cd_(?)Te异质结.该异质结外延层厚度在15～25μm之间,由电镜扫描分析出外延层和衬底之间的介面平直,组分过渡很徒.采用该异质结能制备3～5μm(x=0.3)、8～14μm(x=0.2)两波段的红外探测器,从介绍的单元器件的性能来看,该材料是红外焦平面列阵研究方面极有希望的膺选对象.     

GaP:N液相外延材料发光区域的荧光测量

通过磨斜角,用光致发光法测量了ＧａＰ：Ｎ液相外延（ＬＰＥ）材料中ｎ区和ｐ区的发光强度。从被测 荧光谱中可以看出,ｎ区和ｐ区均为发光区域,但是在ｐ－ｎ结两侧氮（Ｎ）浓度大致相同的情况下,ｐ区的发光强度明显高于ｎ区的发光强度,约为ｎ区发光强度的３～５倍,此实验结果表明,在ｐ、ｎ结附近杂质浓度较低情况下,ＧａＰ：Ｎ绿色发光外延材料中的发光区域主要是在ｐ区。     

真空沉积法制备InSb纳米颗粒

采用真空沉积的方法在SiO₂基片上制备出了纳米InSb颗粒薄膜.利用原子力显微镜对4片样品表面进行分析,从其表面形貌图和三维图中可以观察到有粒径均匀的纳米InSb颗粒形成并且均匀地分布在SiO₂基片表面.实验表明,通过改变镀膜时间可以得到具有不同颗粒尺寸的InSb纳米颗粒,并且颗粒直径与沉积时间和厚度成正比.     

气体中蒸发法制备InSb纳米颗粒

用气体中蒸发的方法在蓝宝石基片上制备了纳米InSb颗粒膜．通过透射电镜分析显示，该方法可以制得多晶的InSb纳米颗粒，且颗粒均匀地分布在蓝宝石基片表面上；用X射线能谱仪分析样品得到两种元素的百分比接近1：1．实验结果表明，通过改变设备的工作条件，可以得到具有不同颗粒尺寸的InSb纳米颗粒．     

氨分压对液相外延GaP材料的影响

GaP是间接能隙的半导体材料,发光效率低.在GaP中掺氮可以提高发光效率,但掺氮量过高会导致外延层表面高低不平和增加光吸收,而降低发光效率.国外报导的最佳掺氮量不一,一般为8×1017～4×1018/厘米3[1][2][3].多数是采用通氨掺氮的方法.本文也是以氨做为氮的掺杂源.先用干冰收集成液体氨然后用氢气携带液体氨,实现氮的掺杂.在其它外延条件相同的情况下,只改变氢气中的氨分压,进行液相外延生长,发现所生长的GaP外延片的氮峰强度,外延片表面平整度,外延片所制发光管的总光通量,功率效率和氨分压有关.     

球形阴极射线发光材料—(Zn,Cd)S的制备和特性

在粉末荧光材料的生产中要特别注意粒度大小的分布,只要用适当的方法就能制备出非常均匀的ZnS和(Zn,Cd)S球形颗粒,这种材料是从水溶液中均相沉淀出来的.在合成过程中要严格保持体系温度的恒定和反应物浓度的均匀一致.下面将讨论(Zn,Cd)S的制备方法和颗粒的物理特性.     

制备绿色磷化镓发光二极管的液相外延生长法

用液相外延法可以制备出绿色场致发光磷化镓二极管。在密闭坩埚中装入Ga-GaP熔体,再将它放入垂直炉中。将GaP衬底片插入温度保持在约1110—1140℃的熔体中。从S、Se和Te中选择一种杂质加入熔体,然后缓慢地把温度冷到约1070—1100℃,就可形成n—型GaP薄层。此时用受主杂质(例如Zn或Cd)加入熔体进行反型掺杂,而制得p—型层。然后把衬底拉出熔体使之冷却到周围的温度。为降低串联电阻,对片子的衬底这边可进行磨薄,然后就可制备场致发光二极管。切割或解理下来的小片,分别在它的p侧和n侧制上Au—Zn和Au—Sn合金点。 用上述方法制备的绿色发光二极管的效率约为2.7×10~(-4),如把反反射环氧树脂帽加于二极管则效率可提高二倍以上。二极管可用作平面指示器。     

Hg_(1-x)Cd_xTe n~+-p光电二极管中的深能级及其电流机构的流体静压力研究

在流体静压力(0—2GPa)下,对Hg_(1-x)Cd_xTe n~+-p光电二极管(x=0.5)室温电学特性进行了实验和理论研究。通过考虑深能级压力效应及其对深能级辅助隧道电流的影响,较好地解释了实验上观察到的p-n结伏安特性在小偏压范围下呈现的“反常”压力关系。由对实验数据的理论拟合得到两个深能级:D_l(=E_v+0.75E_g)和D_l(=E_v+0.5E_g),以及相应的电子寿命和空穴寿命,并得到了未掺杂Hg_(1-x)Cd_xTe中深能级的压力系数。     

用分子束外延法生长晶体

微波和电光工业的发展需要越来越薄的平面外延结构,这促进了人们对晶体生长的分子束外延技术进行深入的研究。现在,用分子束外延的方法能使基质晶体和掺杂材料的分布在生长方向上被控制到原子的精度。这样精密的控制不仅被用于研究各种新材料,而且还被用于制备各种半导体器件。本文介绍了分子束外延的过程和设备,并对一些用分子束外延生长的材料和器件作简单的评论。     

GaAs光阴极材料液相外延中溶液配比的研究

本文研究了在GaAs阴极材料液相外延中浴液配比的理论计算值与实验数值的差异。在大量实验数据的基础上,利用数值计算方法,获得了方便、实用的经验公式。用此公式计算出的溶液配比生长出了高质量的GaAs光阴极材料。     

液相法制备金属纳米粒子

液相法是在均相溶液中，利用各种途径引发化学反应，通过均相或异相成核及随后的扩散生长而制备出粒径分布窄且表面功能化的纳米尺度材料．介绍了液-液两相法、反相胶束、高温液相法等制备单分散金属纳米粒子的方法和高温液相法制备金属纳米粒子的影响因素，以及近年来在金属纳米粒子的制备和性能研究上的进展，尤其是Co等多种磁性纳米粒子的制备、磁性研究．     

汞压对液相外延(Hg,Cd)Te的液相线及组份的影响

Hg_(1-x)Cd_xTe液相外延薄膜的质量与生长过程中的汞压有关。根据缔合溶液模型及相图理论,计算了汞压不平衡时液相点温度移动及组份的变化,并就液相外延的生长条件进行了分析。     

Zn(BTZ)2白色有机电致发光材料的合成及其器件制备

以PCl₃为脱水剂,将邻氨基硫酚与水杨酸脱水环化合成出2-(2-羟基苯基)苯并噻唑,并进一步将所得产物与乙酸锌反应合成出2-(2-羟基苯基)苯并噻唑螯合锌(Zn(BTZ)₂)材料。以该配合物作为发光层制备出结构为ITO/PVK:TPD/Zn(BTZ)₂/Al近白色电致发光器件,其色坐标位于白场之内(x=0.242,y=0.359),在驱动电压为16V时,亮度达3200cdm²,对应的量子效率为0.32%。进一步在Zn(BTZ)₂中掺入橙红色染料Rubrene,制成ITO/PVK:TPD/Zn(BTZ)₂:Rubrene/Al结构器件,实现了纯白色发光(色坐标值:x=0.324,y=0.343),非常接近于白色等能点,且量子效率达0.47%。最后对上述器件的发光和电学性能进行了深入的研究和探讨。     

InSb(111)表面硫处理的研究

本文用俄歇电子能谱、X射线光电子能谱和紫外光电子能谱对用硫化铵溶液处理的InSb表面进行研究。结果表明,硫处理以后在样品表面生成。一层厚度约8?的硫化物钝化层,它对防止表面的氧化和碳沾污有明显的钝化作用。钝化层中,破原子既与锑原子成键,引起Sb3d芯能级发生1.9eV的化学位移;又与铟原子成键,引起In4d芯能级发生0.6—0.7eV的化学位移。350℃的真空退火使锑的硫化物发生分解。500℃退火没能使铟的硫化物完全分解,仍有一部分硫原子以铟的硫化物形式留在样品表面。 关键词：     

类氦等电子系列离子n~(1,3)S和n~(1,3)P态统一的半经验能量计算公式

本文给出了类氦等电子系列离子n~(1,8)S和n~(1,3)P态统一的半经验能量计算公式,此公式是通过拟合Ermold6v和Jones关于类氦离子2≤Z≤42最低谱项(n=2—5)的计算值得到的。根据本文提供的公式,可以予言任何n~(1,3)S和n~(1,3)P高激发态能级值及相应能级之间跃迁的波长值,对一些ls~2一lsnp跃迁波长将本文的计算值与实验值进行了比较,结果表明除个别外在实验误差范围内两者十分吻合,此外还对类氦等电子系列离子量子数亏损的规律性进行了详细的讨论。     

InSb(111)衬底上外延生长二维拓扑绝缘体锡烯/铋烯的差异性研究

近些年,人们对拓扑材料体系的认知得到了飞速发展.随着量子信息科学与技术成为当下科学研究的热点,具有大能隙高稳定性的低维拓扑材料有从基础研究向应用探索的趋势发展.如何实现高质量、大面积的单晶生长是影响拓扑材料走向实用化的重要一步.本文报道了在具有Sb原子终止面的InSb(111)衬底上利用分子束外延技术生长低维拓扑绝缘体锡烯与铋烯的实验结果.实验中发现,无论是锡烯还是铋烯,起始外延阶段都会在衬底上形成单层的浸润层.由于锡原子之间的相互作用远强于其与衬底的表面结合力,因此浸润层呈岛状生长,晶畴岛与岛合并的过程中边界效应明显,导致薄膜实际上由大量小晶畴拼接而成,畴壁处的缺陷难以避免.而浸润层的晶体学质量又限制了后续锡烯薄膜的外延行为,因此实验发现难以实现高质量且层数准确可控的单晶锡烯薄膜生长.而铋原子与衬底表面的结合能强于原子之间的相互作用,能够在较高温度下实现浸润层的单层层状生长,高质量的浸润层为后续铋烯的生长提供了良好的外延过渡层,因此发现实验中更容易得到大面积的铋烯薄膜.本文实验结果及相关理解对于利用半导体衬底生长低维拓扑晶体薄膜具有指导意义.     

Zn2SiO4(ZnB2O4):Mn2+,Sm3+发光材料的制备与荧光性能

使用高温固相法首次合成了Zn2SiO4(ZnB2O4):Mn2+,Sm3+发光材料,探讨了烧结温度、Sm2+含量对样品荧光性能的影响.利用X射线衍射(XRD)、荧光光谱等分析手段对Zn2SiO4(ZnB2O4):Mn2+,Sm3+粉末的结构、发光性能进行了表征.确定了该荧光材料的最佳合成条件,离子掺杂浓度等.实验结果表...     

Bridge-bonded CO in Ni(110)-p2mg(2× 1)-CO: a SEXAFS study

Surface-extended X-ray-absorption fine-structure measurements have been performed to determine the adsorption site of CO in the densely-packed system Ni(110)-p2mg(2 × 1)-CO. The analysis shows that CO adsorbs in a tilted configuration on short-bridge sites yielding a nearest-neighbour O-Ni distance of 2.84 ± 0.05 Å. Tilted CO molecules in on-top positions can be definitely ruled out.