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Nd∶GdVO4晶体生长及其1064nm的激光特性 总被引:3,自引:2,他引:1
本文报道了用Czochralski方法生长Nd∶GdVO4晶体,测量了该晶体的偏振吸收谱和荧光谱,表明晶体在808.5nm有吸收峰,其发射波长在1064nm.晶体中掺Nd浓度的原子分数为1.56;的Nd∶GdVO4的4F3/2荧光寿命为100μs.用激光二极管泵浦1mm厚的Nd∶GdVO4晶体,得到了超过1W 1064nm的输出光,泵浦阈值为20mW,光-光转换效率为55.9;,斜效率为63;. 相似文献
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ZnWO4:Mn^2+晶体生长及光谱特征 总被引:3,自引:0,他引:3
采用Czochralski技术生长出光学质量的ZnWO4:Mn^2+单晶。根据所测吸收谱,荧光光谱,激光光谱和荧光寿命,推导出激活离子能级图。结果表明,在低对称晶体中,Mn^2+离子呈现出以588.6nm为中心的宽带荧光,由光谱数据可以看出,该晶体为一潜在短波长可调谐激光工作物质。 相似文献
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采用Czochralski法生长了透明均匀的Cr:Nd:YCaO(BO3)3晶体,生长的晶体尺寸为φ42.5×50mm,生长参数为提拉速度为0.6mm/h,转速为25r/min.测定了其室温吸收谱.根据Judd-Ofelt理论拟合了Nd3+离子的强度参数Ωλ:Ω2=0.734×10-20,Ω4=6.814×10-20,Ω6=2.476×10-20;并计算了各能级跃迁的自发辐射跃迁几率、辐射寿命、荧光分支比.其中4F3/2能级的寿命τtot=271.64μs,4F3/2→4I9/2的荧光分支比βc=58.01;.并对实验结果进行了讨论. 相似文献
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Nd:GdVO4晶体生长及其1064nm的激光特性 总被引:8,自引:2,他引:6
本文报道了用Gzochralski方法生长Nd:GdVO4晶体,测量了该晶体的偏振吸收谱和荧光谱,表明晶体在808.5nm有吸收峰,其发现波长在1064nm。晶体中掺Nd浓度的原子分数为1.56%的Nd:GdVO4的^4F3/2荧光寿命为100μs。用激光二极管泵浦1mm厚的Nd:GdVO4晶体,得到了超过1W1064nm的输出光,泵浦阀值为20mW,光-光转换效率为55.9%,斜效率为63%。 相似文献
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H. J. Zhang L. Zhu X. L. Meng Z. H. Yang C. Q. Wang W. T. Yu Y. T. Chow M. K. Lu 《Crystal Research and Technology》1999,34(8):1011-1016
Nd:YVO4 crystal has been grown by Czochralski method. The data of thermal expansion and specific heat have been measured. The thermal expansion coefficients along a- and c-axis are a1 = 2.2 x 10-6 /K, and a3 = 8.4 x 10-6 /K respectively. The specific heat is 24.6 cal/mol x K at 330 K. The large anisotropy along c- and a-axis of thermal expansion coefficients is explained by the structure of YVO4 crystal. 921 mW output laser at 1.06 mikrom has been obtained with a 3 mm x 3 mm x 1mm crystal sample when pumped by 1840 mW cw laser diode, and the slope efficiency is 55.5%. 相似文献
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H. J. Zhang X. L. Meng L. Zhu H. Z. Zhang P. Wang J. Dawes Q. C. Wang Y. T. Chow 《Crystal Research and Technology》1998,33(5):801-806
In this paper, we report the growth of laser crystal Nd:GdVO4 by the Czochralski method, and discuss the morphology of the crystal. The polarization absorption and emission spectra of Nd:GdVO4 were measured. The lifetime of the Nd:GdVO4 at 1064 nm is 100μs. An output power up to 1 W at 1064 nm has been achieved with a 3 mm × 3 mm × 1 mm crystal sample when pumped by a 1.9 W cw laser diode. 相似文献
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Nd:GdVO_4热常数的测量和激光性能研究 总被引:2,自引:0,他引:2
中频感应加热提拉法生长了低钕掺杂的GdVO_4晶体,用机械分析仪来测量Nd:GdVO_4晶体的热膨胀系数,沿c方向的热膨胀系数为7.42×10~(-6)/K,而沿α方向的热膨胀系数只有1.05×10~(-6)/K,比同比Nd_(0.0045)Y_(0.9946)VO_4晶体样品测量结果小。差示扫描热计法测量了Nd:GdVO_4晶体的比热,298K时为0.52J/g·K。首次用激光脉冲法测量了Nd:GdVO_4晶体的室温热导率。实验表明,Nd:GdVO_4晶体沿<001>方向的热导率数值达11.4W/m·K,比Nd:YAG晶体高(测得10.7W/m·K),其<100>方向的热导率为10.1W/m·K。激光实验显示在较高功率泵浦激光输出上Nd:GdVO_4晶体具有比Nd:YVO_4晶体更加优良的性能。 相似文献
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以浓度分布差小和退火后光学均匀性好为目的,通过改造温场,分阶段调整生长界面、搅拌速度、提拉速度、温度、时间等工艺参数,改善了Nd:YVO4激光晶体的光学质量和光学均匀性. 相似文献
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