中纬集成电路（宁波）有限公司技术简介

中纬集成电路(宁波)有限公司(SinoMOS Semiconductor(Ningbo)Inc．)成立于2002年2月，地处经济发达，交通便利、人文汇聚的浙江省宁波保税区。中纬公司的目标是成为国内领先的半导体制造公司，为客户提供高品质和高产出的晶圆代工服务。中纬公司总投资额为一亿五千万美元，占地13万平方米，第一期净化厂房面积4300平方米，可提供月产3万片6英寸1．0um～0．5um CMOS晶圆的代工服务。以下就其优势和制程技术作一些简介。     

(一)超大规模集成电路工艺技术

原计划准备在本期内全文刊登日本“电子材料”1984年第4期上关于“电子学名词解释”的译文,因篇幅关系改为分期选登,请读者原谅。     

金科集成电路(苏州)有限公司

金科集成电路(苏州)有限公司是台湾盛群半导体股份有限公司(HOLTEK SEMICONDUCTOR(SUZHOU)INC.)于2002年4月注册在苏州工业园区的外商独资高科技企业。主要从事设计、开发、生产集成电路及其所需元件与软件产品,销售本公司产品并提供相关的售后服务及技术服务,盛群半导体股份有限公司为台湾前十大IC设计公司并已正式挂牌上市。     

制做集成电路芯片的工艺技术(二)

二、外延淀积1.外延工艺外延工艺是一种在衬底上生长同样结构晶体的高温化学工艺.为获得与基片材料“相似”的外延层,应满足以下条件:(a)衬底和淀积层的原子间距必须大致相等.(b)按预定的衬底晶向淀积.(c)提高衬底温度使源热分解,但又不使衬底分解或蒸发.     

制做集成电路芯片的工艺技术(五)

六、工艺管理 工艺管理内容应包括对各检验点进行测量和目检,并用此检测结果来修改工艺以达到预期目的。在集成电路工艺管理中,基本的电气测量包括伏安特性(结的正反向)、C-V特性、电阻以及管晶体的特性测量等。目检包括观察明显的沾污,表面完整性、氧化层的钻蚀、尺寸误差和套准精度等。有时也测量(全部或大部分)动态特性(如上升和下降时间等)。在工艺管理中还必须进行寿命和环境试验、热老化(加或不加偏压)和阶梯应力试验。另外解剖分析和物理测试也是不可少的数据。 良好的工艺管理不只是提高成品率,更重     

制做集成电路芯片的工艺技术(三)

三、扩散和氧化1.菲克定律扩散和氧化是集成电路制造的基本工艺.集成电路制造中的扩散,是先在硅表面淀积一层所需要的杂质原子薄层,通常叫预淀积.在热场作用下杂质原子沿浓度梯度方向扩散.扩散的菲克第一定律为粒子流量f与浓度梯度成正比f=-D((?)N/(?)x)式中比例常数D叫做扩散系数,N为杂质原子浓度,x为到表面的距离.菲克第二定律是用连续自变量从第一定律推导出来的.设距离为dx的两个面间的粒子数为Ndx,N为时间t和距离的函数,则此区粒子累积率可写成:     

制做集成电路芯片的工艺技术(六)

MOS管芯通用工艺 本部分介绍MOS工艺要求,目的是想只经稍加改动或不改动就能用于生产。设备多是手工操作,如用自动设备操作那将更为简便。 P沟硅栅工艺用于生产计算器、P沟RAM等器件。     

制做集成电路芯片的工艺技术(一)

本文系邮电部508厂编写组根据美国集成电路工程公司编制的《集成电路芯片技术手册》(至今尚未公开发表)编译而成.文中较详细地介绍了硅材料制备、器件制作工艺技术、双极型集成电路和各种MOS电路的特殊制作技术.同时文中还给出了许多很有用的工艺技术数据和图表,可供从事半导体教学、科研和生产的同志们查阅参考.就集成电路芯片制作技术而言,本文内容是比较全面而新颖的,但由于篇幅较长,我们将分期连载发表.又因我们水平有限,文中错误在所难免,望读者批评指正.     

制做集成电路芯片的工艺技术(七)

1.衬底材料规格 材料为<100>的N型掺磷硅,直径为3.0±0.03英寸,厚0.020±0.001英寸,电阻率3～6Ω·cm。每1Ω·cm分一档,共分三档,EPC(位错密度)<500/cm~2。表面磨光至无桔皮状和雾状。用化学方法腐蚀硅片背面,充分去除磨片所造成的损伤层。用100倍显微镜作镜检,应无线状腐蚀坑和晶界;无平面滑移;无擦试痕迹;氧化腐蚀后无麻坑和条纹;目视无边缘碎裂;无表面擦伤;无指纹、坑、包或其它表面缺陷;无弯曲和变形。     

制做集成电路芯片的工艺技术(八)

离子注入NMOS的制作工艺 本工艺与前面介绍的PMOS、CMOS工艺大同小异,本文仅就不同之处作一叙述,以供参考。 1.NMOS硅片材料规格 材料为掺硼P型<100>硅,厚约0.02英寸±0.001英寸,电阻率为10Ω·cm 5Ω·cm(或-2Ω·cm),位错密度<500个/cm~2,平行度     

制做集成电路芯片的工艺技术(四)

四、光刻工艺 光刻是在硅片或金属铝表面涂光致抗蚀剂,通过精细图形掩模曝光、显影、腐蚀成所需的图形,用来作扩散窗口或元件互联。最近已采用改进型扫描电子显微镜用计算机控制电子束,对电子光致抗蚀剂曝光。x射线、远紫外光也可用来曝光。这些技术可以制造几何图形小于光学分辨几何图形的器件。 生产典型的双极型集成电路要进行埋层扩散,隔离扩散,基区和电阻扩散,电路元件引线孔,互联图形,在钝化层开压焊孔等共七次光刻。因为管芯很小(0.04～0.3平方英寸),元件尺寸精度为0.0001英寸(2.5μ),这要求     

比亚迪接手宁波中纬资产

因资金亏空无奈破产的浙江半导体“希望工程”——宁波中纬半导体,在经历了9月19日首拍流拍后,终于近日成交。成交价接近2亿元人民币,接近此前宁波中纬半导体资产首次拍卖时的参考价格,即1.7亿元人民币。     

比亚迪收购宁波中纬专攻汽车电子

近2亿元人民币收购宁波中纬半导体公司之后,国内媒体透露,比亚迪将有意将这一制造项目纳入到其电动汽车的驱动电机的研发与生产。比亚迪位于宁波的“比亚迪半导体有限公司”已正式开业,这一动作是公司整合汽车产业链、实现电动车商业化的重要步骤,也标志着公司已拥有电动汽车驱动电机（主要由驱动芯片与电源管理器件组成）的研发和生产能力。     

智汇控股(亚洲)有限公司简介

智汇科技是一家独立的电信系统集成商,致力于为整个亚洲的电信服务供应商提供全面的技术和业务解决方案,包括网络设计与规划,系统集成,项目实施,客户服务支持和商业及财务咨询服务。智汇科技成立于1999年6月,是由美国硅谷风险投资公司Oak Investment Partners,Worldview Technology Partners和中国台湾省的Pacific Technology&Investment Group(P.T.I Group)和新近加     

宁波中纬六英寸厂兴衰原因分析

二零零四年七月九日中纬积体电路(宁波)有限公司六英寸芯片加工线举行投产仪式,成为我国内地第六条六英寸集成电路芯片线,这在浙江省是第一条六英寸线。时间刚过四年,中纬走到破产边缘,被债权人告到法院,进入拍卖阶段。这在我国集成电路芯片业内引起震动。大家不禁要问:以二十一个月建成的中纬六英     

高性能模拟集成电路工艺技术

介绍了模拟集成电路工艺的发展过程和现状，讨论了国内的BiCMOS工艺、互补双极工艺(CB)、和SOI双极工艺的最新进展。重点介绍了BiCMOS工艺的研完与开发，指出了模拟集成电路工艺的发展趋势。     

雷射电脑(北京)有限公司简介

雷射电脑(北京)有限公司——LASER COM-PUTER(BEIJING)LIMITED是香港雷射电脑有限公司(LASER COMPUTER LIMITED)的全资子公司。1993年8月在北京正式注册(1991年是香港雷射电脑北京办事处,后为独资公司),注册资本15万美元。雷射电脑(北京)有限公司(简称雷射北京公司)董事长彭弘基先生,副董事长罗家骏先生,总经理曲百刚先生。目前雷射北京公司现有近30名雇员,均为大专以上学历。分为销售部、市场部、工程部、财务     

SiGe集成电路工艺技术现状及发展趋势

介绍了基于SiGe材料的集成电路工艺技术概况,包括SiGe HBT器件结构、SiGe HBT特色双极工艺、SiGe BiCMOS工艺等。概述了SiGe工艺技术的应用情况以及国内外发展现状,并结合应用需求,提出了国内模拟集成电路制造用SiGe工艺技术的发展趋势。     

单片微波集成电路工艺技术

单片微波集成电路(MMIC)由于近几年来工艺技术上的突破,正成为MIC中发展最快和最有前途的重要分支。其产品已由实验室走向生产,并在各领域得到广泛应用。本文对近年来MMIC工艺技术上的进展作一简述。