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基于Lee-Low-Pines幺正变换,采用Pekar类型变分法研究了抛物量子点中强耦合磁双极化子的内部激发态性质,当考虑自旋和外磁场影响时,推导出二维量子点中强耦合磁双极化子基态的能量E0,声子平均数ˉN0以及第一激发态的能量E1,声子平均数ˉN1随量子点受限强度ω0,介电常数比η,电子-声子耦合强度α和磁场的回旋共振频率ωC的变化规律.结果表明,磁双极化子的基态能量E0和第一激发态能量E1由两电子的单粒子能量E E,两电子间库仑相互作用能E C,电子自旋与磁场相互作用能E s和电子-声子相互作用能E e-ph四部分组成;单粒子"轨道"运动与磁场相互作用导致了第一激发态能级E1分裂为E(1+1)1,E(1-1)1两条,而电子自旋-磁场相互作用的效应又使基态和第一激发态的各能级均产生了三条"精细结构";ˉN0和ˉN1随ω0,α和ωc的增加而增大,E e-ph的取值总是小于零,其绝对值随α,ω0和ωc的增加而增大;电子-声子相互作用的效应是束缚态磁双极化子形成的有力因素,而限定势和电子之间的库仑排斥能的存在不利于束缚态磁双极化子的形成;能量为E(1-1)1的磁双极化子要比能量为E(1+1)1的磁双极化子更容易且更稳定地处于束缚态. 相似文献
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为了提高爆炸去磁脉冲发生器的输出能量,设计了绝缘层截断涡流回路磁体结构,以减小冲击去磁过程中磁体内产生涡流造成的能量损耗。把圆柱形钕铁硼磁体切分成4块,在块与块之间增加聚脂绝缘层,再组合成一个圆柱形整体,形成截断涡流回路的磁体结构。采用Maxwell 3D电磁场有限元分析软件,对未切分和切分后的钕铁硼磁体进行了静磁场计算,分析了两种结构下的磁感应强度分布。对这两种磁体结构的脉冲发生器进行了爆炸实验,测量了脉冲发生器输出的感生电动势,分析了涡流损耗对发生器输出电流的影响。结果表明:磁体中截断涡流回路的脉冲功率发生器涡流损耗较小,能够输出更大的电能。 相似文献
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许长谭 《原子与分子物理学报》2001,18(2):136-139
考虑磁-声子耦合作用和磁子间相互作用,采用双子格模型和相干态表示,研究了自旋S=1/2反铁磁体KCuF3的非线性集体激发特性,求出了孤立子的能量和质量,并比较了磁性孤立子和局域性磁子激发能量。结果表明在一维反铁磁体KCuF3中发现孤立子激发是可能。 相似文献
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许长谭 《原子与分子物理学报》2001,(2)
考虑磁 -声子耦合作用和磁子间相互作用 ,采用双子格模型和相干态表示 ,研究了自旋S =1/2反铁磁体KCuF3 的非线性集体激发特性 ,求出了孤立子的能量和质量 ,并比较了磁性孤立子和局域性磁子激发能量。结果表明在一维反铁磁体KCuF3 中发现孤立子激发是可能。 相似文献
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三角对称晶场中4A2(3d3)态离子EPR参量的SS和SOO机制 总被引:1,自引:0,他引:1
考虑了在以前工作中被忽略的自旋与自旋 (Spin spin(SS) )磁相互作用以及一个电子自旋与另外电子轨道 (Spin other orbit (SOO) )之间的磁相互作用 ,用VisualBasic6.0设计了新的CDM/EPR计算程序 .该程序不仅能计算 4 A2 (3d3)态离子在晶体中的EPR参量 ,而且能计算体系的光谱精细结构 .利用该程序研究了红宝石晶体与绿宝石晶体的EPR参量与光谱精细结构 ,理论与实验符合甚好 .在此基础上 ,研究了SS与SOO磁相互作用对EPR参量及其光谱的贡献 .发现在磁相互作用的三个部分中 ,EPR参量的主要来源是旋 轨 (Spin orbit (SO) )耦合相互作用 ;SS磁相互作用对零场分裂 (Zero fieldsplitting(ZFS) )参量D具有重要贡献 ,在研究中不能被忽略 ,而SOO磁相互作用对ZFS参量D的贡献较小 ;SS与SOO磁相互作用对Zeemang因子以及光谱的贡献甚微 相似文献
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文章研究了两个杂质浸入玻色凝聚体中的相互作用.通过使用微扰法,计算了在弱杂质-玻色子相互作用区域中的基态能量.结果表明基态能量与两杂质之间的相对距离有关.从基态能量出发,研究发现不管杂质与玻色子相互作用是处在排斥状态还是吸引状态,两杂质之间都有保持吸引趋势;而当一个杂质与玻色子相互作用是吸引时,另一个为排斥时,两个杂质之间呈现出了排斥的效果.通过杂质之间有效力的计算也验证了上述现象,进一步研究凝聚体密度背后的力学机制,再次得出了一致结论. 相似文献
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CuCl2·2N(C5D5)中的孤子激发 总被引:2,自引:0,他引:2
采用双子格模型和相干态表示,考虑磁-声子耦合作用和磁子间的相互作用,研究了具有最近邻和次近邻相互作用的一维反铁磁分子晶体CuCl2·2N(C5D5)的非线性集体激发特性,分析了孤子的峰值、宽度、能量和有效质量的特点,结果表明CuCl2·2N(C5D5)中出现孤子激发是可能的。 相似文献
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利用拟合实验测得的TEMP Ⅱ型加速器磁绝缘二极管电压波形及其焦点附近束流密度曲线,建立了Gauss分布模型.采用Monte Carlo方法研究了强流脉冲离子束与铝材镀有不同厚度金膜的双层靶(金膜与铝材合称为双层靶)之间的相互作用,模拟了能量沉积的演化过程和随不同金膜厚度的变化情况.对脉冲离子束强化薄膜粘结性进行了探讨.
关键词:
强流脉冲离子束
双层靶
能量沉积
Monte Carlo方法 相似文献
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本文考虑了分子振动非谐性所引起的振动能级之间的费米共振相互作用,利用定态微扰论,从理论上系统地分析了两态和三态之间的费米共振相互作用对能级能量、态函数和谱线强度的影响,在三阶非谐性近似下,得到了计及费米共振相互作用在内的能级能量、态函数和谱线强度的数学解析表达式. 相似文献
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采用双子格模型和相干态表示,考虑磁-声子耦合作用和磁子间的相互作用,研究了序参量守恒的一维反铁磁分子晶体CeAs在外磁场存在下的非线性集体激发特性,并求了孤立子能量、质量和自旋的空间组态,给出在一维序参量守恒的反铁磁分子晶体CeAs中出现的非线性磁子局域特性。 相似文献
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序参量守恒的反铁磁分子晶体的非线性集团激发 总被引:2,自引:2,他引:0
采用双子格模型和相干态表示,考虑磁-声子耦合作用和磁子间的相互作用,研究了序参量守恒的一维反铁磁分子晶体CeAs在外磁场存在下的非线性集团激发特性,并求了孤立子能量,质量和自旋的空间组态,给出在一维序参量守恒的反铁磁分子晶体CeAs中出现的非线性磁子局域特性。 相似文献
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CeOs4Sb12晶体中由于导电电子与Ce3+ 4f1电子之间存在c-f杂化作用导致费米面附近存在能量间隙.这种c-f近藤相互作用和能量间隙是理解CeOs4Sb12物理性质,如近藤绝缘体行为、Ce3+磁矩在低温下猝灭以及重费米性等电、磁性质的关键.当用LAM-D中子谱仪对粉末CeOs4Sb12进行测量时,可以得到不同温度下CeOs4Sb12的非弹性中子散射谱.结果表明CeOs4Sb12中存在近藤相互作用,其作用强度为3.1 meV,证实了CeOs4Sb12为近藤绝缘体.中子测量得出CeOs4Sb12德拜温度为317 K. 相似文献
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一、引言 苏联的库尔恰托夫研究所最早报导了强流相对论电子束与等离子体相互作用过程中能量沉积的磁增强效应,该所于1976年发表了实验结果,增强因子是10;随后美国的Sandia实验室报导的磁增强因子是2—5;C.Peugnet和R.Bailly-Salins等人用强流电子束在薄金靶上做实验,获得了2—3倍的增强效应。他们的实验结果与理论计算结果是相符合的。本文主要是用蒙特卡罗方法对电子束在束自磁场的作用下的运动进行了模拟跟踪,计算了电子在薄铜靶中沉积能量的磁增强效应。 相似文献
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运用电子云导体模型分析了光与真空中自由电子之间相互作用,分析结果与已有理论一致.结合电子云导体模型对下列情况的分析:氮分子在飞秒强激光作用下的电离、X射线与分子中电子的作用等,可以说明光与电子之间确实存在电磁感应相互作用,光与电子间能量交换的根源之一是它们之间的电磁感应相互作用.
关键词:
电子
光
能量
电磁感应 相似文献