Li-和Na-单电子解离过程的研究

采用交叉束方法 ,利用负离子源产生的 3— 19keV的Li- 和Na- 轰击惰性气体靶He ,Ne和Ar ,通过静电偏转和位置灵敏探测器区分碰撞后中性粒子束和负离子束 ,测量了不同碰撞系统的中性粒子计数与相应入射负离子计数的比值R(E) ,并得到R(E)与入射负离子能量、负离子种类和靶原子种类的关系. The count ratios R of the neutralized atoms of final state to projectiles Li -and Na -in collision with He, Ne and Ar are measured in the energy range of 3-19 keV. It is found that the count ratios R increase slowly with the collision energy in whole experimental energy range for He, Ne and Ar. For Li -→He, Ne, Ar Collisions, R(He)≈R(Ar)>R(Ne), and for Na -→He, Ne, Ar Collisions, R(He)>R(Ar)> R(Ne).     

用脉冲光电流效应探测多光子过程

本文报导用脉冲光电流效应观察发生在直流放电的商品Na/Ne和Nd/Ne空心阴极放申灯中的Ne和Na的一些双光子过程,指出不少多光子过程都可以用这种方法来探测。     

HCD中氩离子的光电流效应

本文报道了利用Ar~+激光器和HCD灯进行的ArⅡ光电流效应的实验研究。给出了496.5nm,476.5nm,514.5nm光电流效应的实验数据。考虑到离子的电离和复合等过程的竞争效应,提出了一个简化的模型,很好地解释了实验结果。提出了利用离子光电流效应研究某些气体放电等离子体参数的可能性。     

问与答

<正> 什么是激光光电流效应?激光光电流效应有哪些应用? 当用激光照射气体放电管时,如果激光的频率和参与放电的粒子(原子、分子、离子)的某两个能级之     

H~ ,H_2~ ,H_3~ 与靶原子He,Ne,Ar碰撞中靶激发的实验研究

在H~ ,H_2~ ,H_3~ 与靶原子He,Ne,Ar碰撞过程中,我们观察到大量靶激发的信息,入射离子实验室能量为50-150keV.实验利用TN-1710光学多道分析系统(OMA)测得HeⅠ,NeⅠ,NeⅡ,ArⅠ,ArⅡ的发射光谱线,本文给出了这些谱线的发射截面.实验结果表明:上述碰撞体系中存在着两种靶激发过程,HeⅠ三重态,NeⅠ,ArⅠ谱线的发射截面在H_a~ He,Ne,Ar碰撞体系中最大,在H~ He,Ne,Ar碰撞体系中最小.     

Ne~+离子和Ar原子碰撞过程中激发态的研究

在离子Ne~+和原子Ar碰撞过程的研究中,测量了NeⅠ、NeⅡ的发射截面,以及ArⅠ、ArⅡ发射截面,并把本实验结果同Ne~+离子和He原子碰撞体系进行了比较,发现本实验得到的发射截面大得多,而且入射离子Ne~+的速度在0.37～0.55原子单位范围内,这个差别随入射离子速度的增加而增大。     

脉冲光电流效应的机理研究

本文介绍一种用于脉冲激光激励空心阴极放电光电流效应的改进的表象理论,它以原子的能级集居数及电子密度变化的速率方程为基础,考虑到放电管内电子运动及电流回路方程获得了一组方程。该方程组很好地解决了脉冲光电流信号随电流、电压及激光光强的变化关系及时间特性(这一理沦提出了利用脉冲光电流效应测量某些低压气体等离子体参数的可能性)。     

Ar^＋光电流光谱研究

本文报道了HCL中八条ArII光电流光谱的实验研究结果.观察了HCL的荧光光谱和激光感生荧光光谱,提出一个经验公式解释Ar~+光电流光谱的主要机理.发现每条谱线光电流信号达到最大值时的放电电流与该跃迁的上能级能量之间有一定关系.     

Ne空心阴极放电连续光电流光谱中反常正讯号的实验和理论研究

本文报道利用激光敏化荧光光谱技术测定的数据和我们提出的改进的理论模型,对Ne空心阴极放电连续光电流谱中起源于亚稳态的1s_3、1s_5—2p跃迁的反常正讯号产生机理作出了合理的解释。     

双电荷离子Ar^2＋与He,Ne原子碰撞中的发射截面

双电荷离子Ar~(2 )和He、Ne原子碰撞中,存在着三种碰撞激发过程,一是双电子俘获激发过程,二是单电子俘获激发过程,三是直接激发过程。实验用光学多道分析系统(OMA)对这些过程进行了光学测量,得到了ArⅠ、ArⅡ、NeⅠ、NeⅡ、HeⅠ、HeⅡ谱线的发射截面,并对这些发射截面进行了比较,发现在入射离子速度相同的情况下,Ar~(2 ) Ne碰撞体系的发射截面要比Ar(2 ) He碰撞体系的大。OMA的光谱波长范围是200—800um。入射离子Ar(2 )的能量范围是140—340keV。     

空间分辨的光电流效应

本文给出了CO放电正柱区空间分辨的光电流效应理论。由此给出了利用光电流效应测量放电正柱区电子密度(或增益)空间分布的新方法。     

Ne空阴极放电中l_(S_2)-2p反常脉冲光电流信号的研究

本文报道利用YAG倍频激光泵浦的脉冲可调谐染料激光器在Ne-Nd空心阴极放电中测定Nels_2—2p态跃迁及ls_2-2p-5s′_1态二级级联跃迁的光电流信号实验,并介绍了我们对此进行的理论计算.结果表明,Ne ls_2—2p态跃迁的反常光电流信号起因不在于能级间粒子数反转.     

光电流效应在探测CO气体激光介质特性方面的应用

本文给出光电流光谱技术的一个新应用.在固定放电条件不变情况下,利用腔内光电流光谱术测量了CO激光介质的饱和参量以及它与温度、电流的关系;通过测量小信号光电压响应率,测量了增益分布及相应的振动能级粒子数比,以及观察了某些线的共振自吸收.本方法简单迅速,有可能用作对介质某些参量进行实时检测.     

多原子分子的激光光电流效应和光谱

本文报导用CO_2选频激光器对CH_3Cl、CH_3OH、C_2H_5OH、C_2H_3Cl、C_2H_4、NH_3六种分子的光电流效应和光谱所做的研究.发现它们有很强的光电流效应.研究了放电管的V-I特性曲线和放电弛豫在光电流效应中的作用:初步讨论了这种效应的机构.实验结果还表明,红外区的激光光电流光谱术可以作为一种高分辨率光谱分析手段.     

用激光感生荧光技术研究Nels_2-2ρ反常光电流信号的机理

本文报道利用脉冲可调谐染料激光器在Ne HCD灯中测定Ne 1s_2-2p及1s_2-2p一高激发态跃迁的光电流信号的同时利用激光感生荧光技术测量Ne 2p-1s态的感生荧光信号,进一步研究Ne 1s_2-2p态反常脉冲光电流信号的机理。     

不同缓冲气体中ArF准分子激光系统放电特性分析

为深入理解挖掘ArF准分子激光系统运转机制,进而获得ArF准分子激光系统设计优化的理论及方向性指导,文章基于流体模型,以气体高压放电等离子体深紫外激光辐射过程为主要研究对象,研究了放电抽运ArF准分子激光系统的动力学特性,分析了不同缓冲气体中, ArF准分子激光系统极板间电压、电流、光子数密度变化趋势及电子数密度空间分布情况,讨论了光电离在系统放电过程中的重要作用.结果表明, Ne作为缓冲气体时,电子耗尽层及阴极鞘层宽度更小,放电更加稳定.在Ne中添加杂质气体Xe,可以通过光电离加速放电区域的扩展,减小电子耗尽层及阴极鞘层的宽度,降低放电发生的阈值电压,提高放电稳定性.     

由阴、阳极电压及入射光强及频率确定光电流

根据费米-狄拉克统计,本文推导出了一个光电效应中光电流作为阴、阳极电压的函数关系.应用本文所提供的函数所得计算结果同实验结果非常好地符合.其次,建立了入射光强对光电流贡献的数学表现,最后,从数学上得到了入射光频率与光电流的关系,从而能够预测光电流.     

锗硅异质结晶体管单粒子效应激光微束模拟

对国产锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)进行了单粒子效应激光微束辐照试验,观测SiGe HBT单粒子效应的敏感区域,测试不同外加电压和不同激光能量下SiGe HBT集电极瞬变电流和电荷收集情况,并结合器件结构对试验结果进行分析。试验结果表明:国产SiGe HBT位于集电极/衬底结内的区域对单粒子效应敏感,波长为1064 nm的激光在能量约为1.5 nJ时诱发SiGe HBT单粒子效应,引起电流瞬变。入射激光能量增强,电流脉冲增大,电荷收集量增加;外加电压增大,电流脉冲的波峰增大;SiGe HBT的单粒子效应与外加电压大小和入射激光能量都相关,电压主要影响瞬变电流的峰值,而电荷收集量主要依赖于入射激光能量。     

用脉冲电场光电流光谱研究Ne原子的自电离态

本文用脉冲电场光电流光谱的实验方法测定Ne原子ns＇(n=15—31)和nd＇(n=13—30)两通道的35条自电离态能级,用参数拟合得出Ne原子ns＇和nd＇通道的电离阈值,计算了每条能级的量子亏损,实验用脉冲电场代替直流放电,基本上消除了Stark效应在光电流光谱测量中的影响。 关键词：     

高电荷态Arq+与Ne碰撞中入射离子电荷交换截面的研究

报道Arq++Ne(q=8, 9, 11, 12)碰撞体系中多电子转移过程,得到了多组实验测量电荷交换截面数据,讨论入射离子电荷交换截面、反冲离子产生截面与入射离子电荷态、能量以及散射离子电荷态的关系,并且将实验结果与Arq++Ar碰撞体系进行对比研究.在修正分子库仑过垒模型的基础上,对实验现象做了合理的解释.