PEN外壳注射工艺研究

依据ＰＦＮ外壳功能及使用要求，从材料选择产品设计，成型工艺及ＰＦＮ整件性能检测等诸方面简要论述了以注射工艺取代灌注工艺生产ＰＦＮ外壳的工艺方法。     

打印机外壳注射模设计

分析了打印机外壳塑件的工艺性，针对较大塑件的进料口合理布置设计了模具结构，实际应用表明，该模具结构保证了产品质量。     

陶瓷四边引线扁平外壳工艺研究

陶瓷四边引线扁平外壳具有体积小、重量轻、封装密度高、热电性能好、适合表面安装的特点,可广泛用于各种大规模集成电路封装,如ECL及CMOS门阵列电路等。文中叙述了CQFP陶瓷四边引线扁平外壳工艺研究中的关键工艺技术,如：金属浆料的配制工艺技术、大版精细印刷工艺技术、大腔体层压工艺技术、细引线拉力强度工艺技术等,以及今后努力的方向。     

真空电子器件外壳关键工艺

针对电真空器件外壳在制备过程中的关键工艺以及技术难点展开讨论,分别论述了瓷件平整度,封接强度,钎焊技术与保护电镀技术这四个方面各自的重要性与影响因素,结合作者实践经验分别提出相应的解决措施,并取得良好的效果。     

传感器不锈钢外壳激光焊接封装工艺研究

采用Nd∶YAG激光对井下作业光纤传感器的SUS304不锈钢外壳进行了焊接.为改进传感器不锈钢外壳封装工艺,满足井下作业环境对传感器不锈钢外壳较高的强度和较好密封性要求,采用正交实验设计方法优化了激光焊接的工艺参数并比较了优化效果.优化的激光焊接参数为电流180A,脉宽3ms,频率30Hz,扫描速度10mm/s.对焊接接头进行了拉伸强度测试、断口分析、金相组织分析、显微硬度分析.结果表明:优化参数的焊接试样质量明显好于未优化参数的试样,其抗拉强度为767.5N/mm2,达到基材抗拉强度的96%,拉伸断裂机制为韧性断裂;焊缝组织没有出现气孔、裂纹等缺陷;焊缝硬度与基材相当,硬度范围为HV0.3230～250.     

CSOP型陶瓷小外形外壳工艺研究

介绍了CSOP型陶瓷小外形外壳的结构特征及产品的关键工艺技术解决方案。对提高隔离电阻电压、降低水汽含量以提高气密性筛选合格率、外引线共面性、瓷体外观控制、印刷和穿孔注浆精度等5项专题进行了较深入的研究。研究成果能较好地指导CSOP型陶瓷小外形外壳的批量生产。     

陶瓷无引线片式载体外壳工艺研究

文章叙述了陶瓷无引线片式载体外壳(CLCC)在研制开发中涉及的主要关键工艺技术, 包括孔壁金属化技术、大版印刷技术、大版压痕技术、大版一次烧成技术、多工位装配钎焊技术、大版电镀技术和成品分离技术。文章中提供了解决这些关键工艺技术所采取的措施以及今后的努力方向。     

矩形外壳冲压工艺与模具设计

叙述了带隔舱矩形外壳冲压工艺,通过对外壳挤压塑性变形过程的分析比较,合理选择了挤压凸模工作带尺寸。根据外壳隔板缺口处空间尺寸小的特点,设计了精巧的打击式冲糟模,达到了预期的效果。     

微波高频外壳的设计与制造工艺研究

外壳对于电路而言,在起到机械支撑和环境保护作用的同时,需要将输入/输出信号和电源/地通过封装上的引线实现芯片与外部电子系统的互连。外壳设计与工艺往往影响着被封装系统的微波性能,例如50Ω阻抗的设计、外壳的谐振频率、微波传输线的状态等都是需要在外壳设计与工艺中加以重视的。同时,外壳的可靠性也直接影响到整个封装系统的可靠性,例如外壳的气密可靠性、抗盐雾能力、金属化的强度、引线的抗疲劳弯曲能力等指标决定了外壳的总体可靠性水平。文章以理论分析为基础,结合生产制造的实际情况,以微波高频外壳为例对其设计与制造中应该注意的问题进行了比较详细的阐述。     

146外壳液态挤压铸造工艺试验

我厂的146外壳(图1)镀银泛斑是个长期没能解决的老问题。一、对镀银层缺陷的认识经试验分析,有以下几种缺陷;1.位置在热节处,在金相显微镜下看有明显的缩孔(缩松)。2.分布范围没有规律性,金相显微镜下有时可见夹杂物一类缺陷。     

0.5mm节距数模混合陶瓷封装外壳加工工艺研究

采用多层高温共烧陶瓷工艺制作了外形尺寸为21.0mm×8.8mm×2.0mm、引线节距为0.5mm的数模混合集成电路封装外壳,研究了加工工艺对外壳性能的影响。结果表明,采用稳定生瓷片尺寸、精密制版、提高钨金属化浆料流变性、优化印刷参数设置等能够使外壳微波传输线的连续性得到改善。     

高性能金属外壳镀覆工艺研究及其对外壳性能的影响

本文系统研究了表面预处理、镀液配方及电镀工艺对电子元器件金属外壳耐蚀性能的影响。结果表明,采用化学抛光溶液抛光和超细粉喷刷两种技术联合进行基体表面处理,使基体的光洁度得到明显改善,更易获得致密的镀层;镍层厚度的增加能明显提高镀层的抗盐雾能力,但过厚的镀镍层会使金属外壳的引线抗弯疲劳性能下降;T镍镀液和T金镀液能使镀层更均匀和致密,从而显著改善电镀层的抗腐蚀性能以及抗疲劳性。     

光窗封接工艺对光电外壳抗强冲击影响的研究

通过对三种光窗封接工艺的对比分析,探索了怎样提高带光窗光电外壳的抗强冲击能力。运用有限元软件ANSYS分析MBCY009-W8W的局部封接工艺、高温封接工艺、低温钎焊工艺及其存在微裂纹对抗强冲击能力的影响。按GJB548B-2005方法 2002.1对样品进行机械冲击试验,结果表明低温钎焊工艺很好地满足抗强冲击的要求,研究在有强冲击载荷要求的光窗封接上有潜在的应用价值。     

脉冲形成网络(PFN)放电特性研究

脉冲形成网络(PFN)作为雷达发射机的重要组成部分,承担着储能和放电的双重作用,而且在医疗、激光、高能电子领域得到了广泛应用。首先从PFN的工作原理出发,分析了其电路结构以及对应的各项参数指标,利用Simulink对其放电特性进行了仿真,得到其放电波形,并分析了影响脉冲方波电流的因素。     

镀覆工艺对功率外壳金锡/金硅焊接的可靠性研究

通过功率外壳金硅(AuSi)焊接失效案例,研究了铜-钼铜-铜(CPC)、铜-钼-铜(CMC)为热沉材料的功率外壳镀覆工艺,包括在CPC(或CMC)材料无氧铜表面高温重新形成晶格,采用外延生长型NiCo/Au替代Ni/Au镀层。镀覆工艺优化后,功率外壳金锡(AuSn)或AuSi芯片焊接可靠性得到了显著改善。     

TO型陶瓷封装外壳可靠性研究

对于航空航天等高可靠领域,封装的可靠性直接决定电子产品的安全性能,提高外壳封装的可靠性对于半导体行业具有重大的意义。针对TO型陶瓷外壳,研究了封装材料、垫片尺寸和成品引线裁切等因素对外壳气密性、平面度的影响,进而提高了TO型陶瓷外壳使用的长期可靠性。研究结果表明,底盘材料采用WCu代替TU材料,钎焊后外壳底面及芯区平面度可以控制在0.05 mm以下。通过选取合适的垫片尺寸及优化引线裁切模具,可以显著地提高外壳的可靠性。     

陶瓷外壳质量对CBGA植球工艺质量的影响

随着陶瓷球栅阵列(CBGA)封装形式的产品被广泛应用,对其产品植球工艺质量的可靠性和一致性的要求也越来越严格,对原材料特别是对陶瓷外壳质量的控制是影响CBGA植球工艺质量的重要因素之一。以CBGA256和CBGA500封装形式的电路产品为例,通过焊盘的共面性、位置度和陶瓷表面的平面度三个方面来研究陶瓷外壳的质量对CBGA植球工艺质量的影响。     

外壳即屏幕

未来我们的生活究竟会是什么样子,大家都可以来畅想。环顾我们的周围,形形色色的概念产品不断吸引着我们的眼球,好像在告诉我们,未来会是这样……