氧化硅（Si3N4）—稀土氧化物陶瓷的超高压烧结研究

 在5~7 GPa，600~1 800 ℃的压力-温度范围内对组份为氧化硅-稀土氧化物微粉混合物（3α-Si₃N₄+0.5La₂O₃+0.5Pr₆O₁₁（mol.%））的烧结产物进行了研究。所得结果表明其成相规律与Sialon体系在高温高压下烧结时不同。在直到5 GPa的高压下，α-Si₃N₄表现出相当高的稳定性，并不转变成β相。当烧结温度低于1 600 ℃时，烧结体仍然由以α-Si₃N₄为基础的固溶体及稀土氧化物组成，而后者则表现出一系列相变化。当压力超过6 GPa、温度高于1 600 ℃时，物料烧结成一个新的单相高压结构ReSi₃O₂N₄。其衍射数据可以用一个正交点阵来拟合。其晶格参数为：a=1.298 3 nm，b=0.814 0 nm，c=0.428 5 nm。     

氮化硅（Si3N4）—稀土氧化物陶瓷的超高压烧结研究

在5～7GPa,600～1800℃的压力-温度范围内对组份为氮化硅-稀土氧化物微粉混合体(3Si_3N,+0.5La_2O_3+0.5Pr_6O_(11)(mol.％))的烧结产物进行了研究。所得结果表明其成相规律与Sialon体系在高温高压下烧结时不同。在直到5GPa的高压力下,α-Si_3N_4表现出相当高的稳定性,并不转变成β相。当烧结温度低于1600℃时,烧结体仍然由以α-Si_3N_4为基础的固溶体及稀土氧化物组成,而后者则表现出一系列相变化。当压力超过6GPa、温度高于1600℃时,物料烧结成一个新的单相高压结构ReSi_3O_2N_4。其衍射数据可以用一个正交点阵来拟合。其晶格参数为:α=1.2983nm,b=0.8140nm,c=0.4285nm。     

ECR-PECVD制备Si3N4薄膜的光学特性研究

本文研究了ECR-PECVD制备的Si₃N₄薄膜的光学特性.得到的Si₃N₄薄膜具有光致发光效应,在280℃沉积制备的Si₃N₄薄膜的光致发光波长为400nm,具有较好的单色性.测试分析了Si₃N₄薄膜对可见光、红外光具有较高的透射性能,Si₃N₄薄膜可作为红外光的增速减反射膜.     

Mg3N2和Mg3B2N4触媒的研究

 本文由实验确定了常压下合成的Mg₃B₂N₄触媒和Mg₃N₂-BN体系在高温高压下都转变成相同的高压相Mg₃B₂N₄。本文还讨论了Mg₃B₂N₄和Mg₃N₂触媒的异同。认为用常压合成的Mg₃B₂N₄作为初始触媒对于合成立方氮化硼是有利的。     

PECVDSi3N4/InP界面特性的研究

本文利用Auger分析技术和C-V测量方法,详细地研究了PECVDSi₃N₄/InP界面特性,Auger能谱分析表明热处理使界面面发生互扩散,同时InP的热分解导致P元素穿过Si₃N₄薄膜到达表面。C-V测量表明Ag/Si₃N₄/InPMIS结构可以实现载流子的堆积、耗尽和反型。     

纳米BaTiO3陶瓷的超高压烧结

将10 nm钛酸钡粉在6 GPa超高压条件下进行烧结,得到了晶粒大小约为30 nm的钛酸钡陶瓷.用扫描电子显微镜和原子力显微镜观测了样品的微观结构.研究表明,由于超高压能够压碎纳米粉体中的团聚体,而且能增加烧结的驱动力,降低成核的势垒,从而使成核速率增加;同时由于扩散能力的降低而使生长速率减小,所以超高压烧结能在较低的...     

Li3N、Mg3N2、Ca3N2催化作用的比较和分析

 Li₃N、Mg₃N₂和Ca₃N₂是高温高压下以hBN为原料合成cBN的催化剂。在实验中发现它们对常压高温下生成hBN的反应也表现出催化作用。对比了三种氮化物催化效果的差异，发现三种氮化物都只有在熔融状态下才能表现出催化效果，以及三种氮化物对生成hBN反应的催化效果与它们在高温高压下合成cBN反应的催化效果次序相似。提出了对合成hBN有催化作用的化合物也将对合成cBN表现出催化作用的观点。     

烧结温度对La0.9Sr0.1FeO3热电性能的影响

利用传统的固相反应分别在1250℃,1300℃,1350℃.烧结条件下制备出钙钛矿结构的La_0.9Sr_0.1FeO₃陶瓷样品.样品的XRD粉末衍射结果显示不同烧结温度的La_0.9Sr_0.1FeO₃陶瓷样品都是单相的正交结构,同时晶胞体积随着烧结温度的升高而减小.从样品的SEM结果看出,随着烧结温度的升高,晶粒逐渐变大,并且晶粒间的空隙逐渐减小,样品更加致密.在室温到800℃的 关键词： 铁酸镧陶瓷 热电性能 烧结温度     

钙钛矿结构材料Sr8CaRe3Cu4O24压力效应的研究

 基于密度泛函理论,运用局域轨道密度近似+哈伯德相互作用和平均场方法,研究了新型钙钛矿结构材料Sr₈CaRe₃Cu₄O₂₄在不同压强下的机械、电磁性质,并探讨该材料的居里温度T_C随压强变化的规律。计算结果表明：T_C随着压强的增加而升高,费米面附近能隙逐渐减小。最后通过海森伯模型对此作出了较为合理的解释。     

β-C3N4,β-Si3N4和β-Ge3N4的能带结构

采用基于密度泛函理论的线性丸盒轨道原子球近似(LMTO-ASA)从头计算方法,研究了β-C₃N₄,β-Si₃N₄和β-Ge₃N₄的能带结构,得到了它们的能隙分别为:4.1751,5.1788和4.0279eV。对于β-C₃N₄,由于N的部分2p电子占据了非键轨道,禁带宽度较窄;对于β-Si₃N_{4关键词：}     

氮化硅粉末的冲击波活化研究

 研究了经过两种不同压力15.7 GPa和25.6 GPa的冲击波活化的Si₃N₄粉末的表观和显微特性及其烧结特性。结果表明冲击波活化在烧结过程中有明显的增进密实化进程的作用。     

Si_3N_4/Si表面Si生长过程的扫描隧道显微镜研究

利用原位扫描隧道显微镜和低能电子衍射分析了Si的纳米颗粒在Si3N4 /Si(111)和Si3N4 /Si(10 0 )表面生长过程的结构演变 .在生长早期T为 35 0— 10 75K范围内 ,Si在两种衬底表面上都形成高密度的三维纳米团簇 ,这些团簇的大小均在几个纳米范围内 ,并且在高温退火时保持相当稳定的形状而不相互融合 .当生长继续时 ,Si的晶体小面开始显现 .在晶态的Si3N4 (0 0 0 1) /Si(111)表面 ,Si的 (111)小面生长比其他方向优先 ,生长方向与衬底Si(111)方向一致 .最后在大范围内形成以 (111)为主的晶面 .相反 ,在非晶的Si3N4 表面 ,即Si3N4 /Si(10 0 ) ,Si晶体的生长呈现完全随机的方向性 ,低指数面如 (111)和 (10 0 )面共存 ,但它们并不占据主导地位 ,大部分暴露的小面是高指数面如 (113)面 .对表面生长过程进行了探讨并给出了合理的物理解释     

纳米ZrO_2(4Y)的快速高压烧结研究

纳米Y2 O3 稳定的ZrO2 粉在 4GPa高压下、10 0 0～ 12 0 0℃烧结 2min致密成型。完整块体致密度为 99.3%。在高压烧结过程中 ,由于外加压力对扩散的促进作用 ,活化能比用其它方法烧结时降低 ,约为 4 8kJ/mol,晶粒长至 4 0～ 70nm。四方度及晶胞体积略小于常压烧结样品的数值。高压快速烧结ZrO2 (4Y)陶瓷为棕色、深灰色或黑色。快速高压烧结所得样品结构存在某种非均匀性。     

高压下FexN化合物的相分解

 本文研究了室温下压力对Fe_xN化合物相分解的影响。X射线衍射分析表明，高压促使氮原子从Fe_xN化合物的晶格中脱溶出来，引起相分解，形成母相与α-Fe。这种相分解现象随压力增大而加强。通过分析不同压力下母相Fe_xN与α-Fe的相对含量，研究了氮从Fe_xN中脱溶的动力学过程，并计算出激活体积。对于Fe₃N和Fe₄N化合物，其激活体积分别为2.24×10^-5 m³/mol和1.62×10^-5 m³/mol。本实验还指出，通过对Fe_xN化合物的高压处理以及适当条件下退火，可以获得Fe₁₆N₂化合物。     

人造金刚石与硬质合金复合材料的研制

 本实验选用TiH₂及其它微量元素做粘结剂，在DS-029B型六面顶压机上烧结人造金刚石与硬质合金复合材料。实验中，采取TiH₂脱氢与金刚石净化同时进行的工艺，在高真空和一定温度下脱氢，得到高活性的新鲜钛，使其具有更强的粘结作用，以获得高磨耗比的金刚石复合材料。实验中比较了不同净化温度对磨耗比的影响；同一种粘结剂不同含量与磨耗比之间的关系；同时还测试了其耐热性及时间极限。结果表明，这种复合材料在850 ℃下，加热3 min，磨耗比没有明显改变。     

高压下金刚石烧结体系中的界面结合问题和新型多晶金刚石的研究

 进行了高压下金刚石掺质烧结机制有关的理论和实验研究。考虑到掺质和尺寸效应，得到了金刚石烧结体系中拉普拉斯第二定律的一个普适性方程和相应的界面结合特征方程。报导了高压下金刚石和掺质物行为的若干实验和分析结果。在此基础上获得具有特种界面结构的新型多晶金刚石。这种金刚石在拉丝模，特别在成品拉丝模的应用上显出其优越性。它的用途正在扩大。     

静高压下Al4Mn准晶态的形成及其热稳定性的研究

 本文利用静高压熔态淬火方法，首次对Al₄Mn合金形成准晶的压力条件及其热稳定性进行了研究，发现在0.95 GPa到4.45 GPa的范围内，以10² K/s冷却速率淬火的Al₄Mn合金，在不同压力下形成不同结构的准晶，利用非晶动力学理论及其结果进行了初步解释。