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集成铁电学与铁电集成薄膜 总被引:12,自引:0,他引:12
介绍了集成铁电学的基本概念,评述了当前集成铁电材料与器件研究中的主要问题,概略叙述了作者提出的铁电集成薄膜及其在多功能器件和灵巧器件上的应用。 相似文献
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考虑外延钙钛矿型铁电薄膜内的等效应力、表面晶格变化和表面电荷引起的退极化效应等机电耦合边界条件,利用铁电薄膜系统的动态金茨堡-朗道方程(DGL),系统分析和讨论了外延铁电薄膜相变温度与临界相变厚度的尺寸效应.结果表明,铁电薄膜相变温度与临界相变厚度完全依赖于各种与薄膜厚度相关的力电耦合边界条件.也给出了BaTiO3外延铁电薄膜相变温度在各种边界条件下随厚度的变化,从结果看出,本文的分析与结论更符合实验数据.
关键词:
尺寸效应
外延铁电薄膜
相变温度
力电耦合边界 相似文献
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新型铁电存贮器和铁电薄膜的脉冲激光沉积 总被引:2,自引:0,他引:2
结合自己的工作,介绍了目前国际上新型功能材料与器件研究的热点之一-铁电集成和铁电存贮器的研究开发;报道了用脉冲激光沉积这种新型成膜技术制备铁电PZT薄膜的些实验结果。 相似文献
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概括介绍了铁电致冷基本原理,给出了三种电生热效应,即线性电生热效应、二次电生热效应和电场诱导一级相变型电生热效应的表达式,测量了(1-x)Pb(Mg1/3 Nb2/3 )O3-xPbTiO3[简记为(1-x)PMN-xPT],当x=0.08, 0.10和0.25时在室温附近的电生热性能,分析了其电生热效应的起源.研究结果表明,(1-x)PMN-xPT铁电固溶体陶瓷在室温附近具有较大的电生热效应;该效应起源于电场诱导一级相变型电生热效应和线性电生热效应;该系列陶瓷可望用于室温附近多级铁电致冷.
关键词: 相似文献
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为了有效阻止锆钛酸铅镧(PLZT)与半导体界面发生反应和互扩散,根据锆钛酸铅镧和钛酸铋(B IT)各自的铁电性能,提出了一种新的设计思想———多层铁电薄膜.采用脉冲准分子激光淀积(PLD)方法制备了B IT/PLZT/B IT多层铁电薄膜.采用Sawyer-Tower电路测量,其剩余极化强度Pr=34μC/cm2,矫顽场Ec=40 kV/cm.这种结构吸收了锆钛酸铅镧和钛酸铋的优点,提高了铁电薄膜的铁电性能. 相似文献
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主要讨论了铁电薄膜用于研制铁电存贮器的进展情况,探讨了目前围绕电级,空间电荷,畴钉扎,应力和微结构等几个方面对铁电薄膜贮存器疲劳特性的影响,论述了铁电薄膜存贮器的研究现状和存在的一些问题。 相似文献
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薄膜物理及其应用讲座:第六讲 铁电薄膜的物理性能和应用 总被引:12,自引:0,他引:12
铁电薄膜材料与器件是近年来高新技术研究的前沿和热点之一,文章概括介绍了铁电薄膜研究的现状,铁电薄膜的物理性能及其表征,铁电薄膜在微电子,光电子和集成光学等领域中的应用,并指出了当前铁电薄膜材料与器件研究中需要着重解决的一些问题。 相似文献
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运用Landau-Devonshire热力学唯像理论,考虑铁电相和铁磁相的电致伸缩、磁致伸缩效应以及产生于铁电/铁磁和薄膜/基底界面的弹性应力作用,两次重整介电和磁作用系数得到了这种多铁系统在Landau自由能函数下的本征二次方磁电耦合形式,从而研究了外延1-3型纳米多铁复合薄膜中极化、磁化随薄膜厚度、温度的变化以及该薄膜中外加电场诱导的磁化变化.结果表明薄膜平面内的应压力的弛豫使得磁化强度和极化强度随薄膜厚度的增加而减少,外加电场不仅能诱导铁电相极化场翻转,而且由于铁电和铁磁相界面竖直方向的弹性耦合导致
关键词:
多铁
磁电效应
磁致伸缩
薄膜 相似文献
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第六届全国电介质物理学术会议和第二届全国工程电介质学术会议于1991年10月21—25日在西安联合召开.会议由西安交通大学承办.参加会议的代表共131人,来自全国各地的大学、研究所和工厂等50余个单位. 会上共交流论文119篇(已汇编成论文集一本),内容涉及电众质理论、单晶、多晶(陶瓷)、聚合物薄膜、铁电液晶、生物电介质、电介质性质测试技术、电介质的工程应用等方面.会上作了七篇大会报告,着重介绍了功能陶瓷、工程电介质、驻极体、铁电液晶等的最新发展动向,对学科前沿领域进行了广泛交流.引起了与会者很大的兴趣.与会者还参观了西安交通… 相似文献
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第一届全国电介质物理会议于1989年12月15日至22日在广西桂林召开。来自全国各地的研究所、大专院校、工厂及其它有关单位的近百名代表出席了会议. 会议收到论文75篇,宣读60篇.内容涉及到铁电、压电、热释电、击穿和驻极体等电介质物理的子学科.可喜的是在基础研究方面已经出现 相似文献
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介绍了一种实时测量铁电薄膜的铁电性能与温度关系的实验方法,为进一步研究铁电薄膜的特性提供了实验基础。 相似文献
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通过对(Pb087Ba01La002)(Zr06TixSn04-x)O3(004≤x≤020)固溶体的介电和偏压热释电性质的研究发现,当Ti含量004≤x≤007时,材料是反铁电四方相,而当009≤x≤020时,材料向弛豫型铁电体转化.在温度Ti含量相图中,x=009附近形成了反铁电铁电顺电三相共存点(Ttr).该点的相变温度最底;对于004≤x≤007的反铁电四方相,低温下呈现介电弛豫特征,并可被外电场诱导为亚稳铁电态,温度升高时,亚稳铁电→反铁电相变,反铁电→顺电相变引起两个热释电流峰,偏置电场下峰位和峰强均发生移动,在温度电场相图中也形成了铁电反铁电顺电三相点.从复杂化合物纳米相分离的观点和晶格动力学出发,讨论了相变与电学性能随Ti含量(x)和外电场(E)变化的物理机理.
关键词:
反铁电/弛豫型铁电相界
介电性能
偏压热释电性质
铁电-反铁电-顺电三相点 相似文献
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具有ABO3型钙钛矿结构的Pb(ZrxTi1-xO3(PZT)展示出良好的铁电极化性能,是使用最广的铁电材料.然而,在将它应用于铁电存储时,PZT薄膜遭遇到极化疲劳问题而被SrBi2Ta2O9(SBT)等铁电体所替代,这一问题至今未能得到妥善解决.文章首先通过变温极化疲劳实验充分理解PZT极化疲劳的基本过程,然后有针对性地进行材料设计,获得基本无极化疲劳的PZT铁电薄膜. 相似文献