穆斯堡尔谱法研究Ni—Fe电沉积层的磁性

应用穆斯堡尔谱学技术测量了一系列 Ni_(1-x)Fe_x 电沉积层的磁织构和~(57)Fe 原子核处的超精细场。结果表明,电沉积层中Fe 含量在 10～18at.％,磁择优方向垂直于镀片表面,随着Fe含量的增加磁择优方向逐渐转向平行于镀片表面的方向。总结出磁超精细场与合金电沉积层中原子平均磁矩的关系式。     

Fe1—xNix合金超继微粒的磁性及穆斯堡尔谱研究

气相蒸发法制备的Ｆｅ１－ｘＮｉｘ合金超细微粒，平均粒径约为２０ｎｍ。利用振动样品磁强计、ｘ射线衍射分析仪以及穆斯堡尔谱仪分析了样品的磁性、相组成随ｘ的变化关系。     

（Er0.8Y0.2）2Fe17Cx的磁性和穆斯堡尔谱研究

利用快淬手段制备了高碳含量间隙化合物（Ｅｒ０．８Ｙ０．２）２Ｆｅ１７Ｃｘ，利用＾５７Ｆｅ穆斯堡尔谱分析了７７Ｋ和室温下化合物中各铁晶位及平均超精细场随碳含量的变化，并研究了化合物的自旋再取向现象，自旋再取向温度随碳含量增加而升高。     

Fe纳米线阵列宏观磁性的Preisach模拟

采用阳极氧化铝模板法制备16nm的铁纳米线阵列膜,并研究了其宏观磁学性质.沿着纳米线长轴加场测得的磁滞回线表现出高的矫顽力和矩形比,归因于垂直于膜面的高形状各向异性.等温剩磁曲线和直流退磁曲线的测量结果表明纳米线阵列体系中存在强烈的退磁性相互作用.采用Preisach模型对相关曲线进行模拟,发现剩磁矫顽力和相互作用场的分布较窄,是一种典型的符合双势垒模型的体系.     

不同温度非晶态Fe76.6Si4.9 B18.5合金颗粒的穆斯堡尔谱和磁性

通过测量不同温度的穆斯保尔谱和热磁曲线，研究非晶态Fe76.6Si4.9B18.5合金颗粒的结构和磁性随温度的变化．从室温到673K时，颗粒基本保持非晶态结构，但有少量弛豫发生，表现为铁磁性；在723K时呈现顺磁性。得到其非晶态居里点是720K，长时间保持723K时，样品有晶化现象，但在晶化温度735K以下，主体仍为非晶态结构；773K时，颗粒已完全转变为晶态结构，主要包括Fe2B和Fe3Si及a-Fe等晶相，呈现铁磁性；在815K和873K时，铁磁性晶态相混合物中，伴有顺磁相FeSi出现；1173K时，合金颗粒已在Fe2B和a-Fe的居里温度以上，表现为顺磁性．由谱中还可看出，制备出非晶态原料中Fe2B和a-Fe相的比例与由非晶态晶化得到的晶态中的比例明显不同．     

高性能Fe-Co合金有序纳米线阵列的制备与磁性研究

采用两步电化学阳极氧化方法制备了有序多孔氧化铝模板,通过交流电化学沉积方法在模板中合成了线间距约为62nm、直径约为25nm的Fe48Co52合金纳米线阵列,细致研究了阵列的晶体结构与磁性能．研究表明：沉积态阵列具有体心立方结构．氢气退火处理对阵列的晶体结构没有影响,但是会显著提高阵列的磁性能．退火后,Fe—Co合金纳米线阵列显示了较高的永磁性能,其易磁化方向的矫顽力、矩形度以及单根纳米线的最大磁能积分别约为3．63kOe、0．971以及33．7mol／dm^3 GOe．     

Fe3Al合金晶体点阵的Mossbauer谱测定与分析

利用Ｍｏｓｓｂａｕｅｒ谱仪测定了Ｆｅ－２８Ａｌ和Ｆｅ－２８Ａｌ－５Ｃｒ合金ＤＯ３型晶胞的Ｍｏｓｓｂａｕｅｒ参数，结果表明，固溶元素Ｃｒ将取代ＤＯ３晶胞Ｉ、Ⅲ位置的Ｆｅ原子。利用上述结果，即可依据相关的电子理论对Ｆｅ３Ａｌ合金晶胞的价电子结构进行计算并建立其键络模型。     

新型铁基纳米晶合金的微组织和磁性能

研究了纳米晶Fe85.2Cu1Al1Zr3.3Nb3.5B3Si3合金淬火态和退火态的微组织和磁性能．研究表明，样品经673～873K退火0．5h后，体心立方结构的纳米晶态α—Fe(Si)析出，晶粒尺寸呈线性增长，最终趋于15nm左右．合金的微组织是典型的纳米晶相，残余非晶相和粒问相的混合，其中各种相的体积分数变化都会影响其磁性能．在813K等温退火0．5h后，纳米晶相体积分数为40％，饱和磁感应强度为1．56T，矫顽力为1．787A．m^-1．     

电沉积Ni—Fe合金的穆斯堡尔效应

对电沉积Ｎｉ－Ｆｅ合金的穆斯堡尔谱分析表明γ相Ｎｉ－Ｆｅ合金的同质异能移（Ｉ．Ｓ．）为－０．０６－０．０２ｍｍ／ｓ；ａ相的Ｉ．Ｓ．为－＋０．０５ｍｍ／ｓ，与冶冻Ｎｉ－Ｆｅ合金的Ｉ．Ｓ．（冶冻Ｎｉ－Ｆｅ合金的γ相Ｉ．Ｓ．为－０．１９－－０．０２ｍｍ／ｓ；ａ相Ｉ．Ｓ．Ｓ为－０．０７－０．１０ｍｍ／ｓ）相比，向正值方向偏移，γ相平均偏移０．１８ｍｍ／ｓ，ａ相约０．１３ｍｍ／ｓ，电沉积Ｎｉ－Ｆｅ合金的磁超     

Fe0.72Ni0.28纳米线阵列的制备与剩磁特性研究

利用电化学沉积的方法,在多孔氧化铝模板中成功制备出直径为50 nm,长度约4 μm的Fe0.72Ni0.28合金纳米线阵列.X射线衍射表明其结构为体心立方结构;等温剩磁曲线和直流退磁曲线表明在纳米线中,磁化较难,而退磁容易,而且组成纳米线的小粒子之间存在退磁性的相互作用.     

Magnetic order in Cr73.7(Fe0.83Mn0.17)26.3 alloy

Conclusions  The results we obtained in the present investigations can be summarized as follows.

Fe0.3Co0.7纳米有序阵列的制备及磁学特性

采用交流电化学沉积法,在小孔径的阳极氧化铝模板里,成功制备了Fe0.3Co0.7纳米线有序阵列.研究了直径、热处理对这种纳米阵列的磁学特性的影响,发现随纳米线直径的增加,垂直磁各向异性线性下降,样品在不同的温度热处理后,矫顽力普遍得到很大的提高,由未热处理前的2.05 kOe提高到热处理后的2.50 kOe以上,样品在500℃热处理后获得最大的矫顽力为3.00kOe,而剩磁比在热处理后仍然保证很高的数值(超过0.9).这种制备简单价格便宜的纳米磁记录阵列,有望发展成为新型的超高密度量子磁盘.     

聚乙烯亚胺对ZnO纳米线阵列膜的形貌和光电性能的影响

采用X射线衍射仪、投射电镜仪和扫描电镜仪等测试手段,系统地研究了不同聚乙烯亚胺(PEI)浓度对ZnO纳米线阵列膜的形貌、线密度和尺寸的影响及ZnO纳米线阵列膜的光电性能.研究结果表明,在PEI浓度从3.2 mmol.L-1变化到9.3 mmol.L-1所制备的所有ZnO纳米线阵列膜中,使用7.3 mmol.L-1PEI浓度合成的ZnO纳米线阵列膜,制成染料敏化太阳能电池后获得0.66%的最高的光电转换效率.     

模板法合成Ag纳米线阵列

以多孔阳极氧化铝为模板,用乙二醇作还原剂,将Ag 在模板的纳米孔道内还原并进行限域生长,制得了Ag纳米线.用X-射线衍射光谱(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)等检测手段对产物进行了表征,结果表明所得Ag纳米线具有面心立方晶体结构,纳米线阵列排列整齐,长度可达10μm,单体纳米线的直径约为60 nm,与所用模板的孔径相当.     

一种多功能磁性材料的穆斯堡尔谱线研究

以穆斯堡尔效应为理论依据，对镍锌铁氧体和钢铁酸铅介电体的混合烧结体──一种多功能的磁性材料的穆斯堡尔谱线进行了测量和分析．结果表明，这种材料中存在着微晶粒之间的超精细相互作用．     

可变形永磁合金Cu80Ni13Fe7的研究

研制了一种新成分的Cu80Ni13Fe7合金,其加工性能优于传统Cu60Ni20Fe20合金,并成功轧制成0.2mm厚的薄带. 系统研究了回火温度与回火时间对该合金磁性能的影响. 研究结果表明,CuNiFe合金只有经过适当的回火处理才能得到较好的磁学性能. 在635℃回火1h后,矫顽力Hc可达到54.2kA·m-1,剩磁感应Br为0.19T,矩形比S为0.79. 磁性测量表明,在635℃回火1h后样品平行于轧制方向和垂直于轧制方向的矫顽力Hc差别较大,而在其他回火条件下的差别都比较小. 新研制的Cu80Ni13Fe7合金可作为磁栅尺的备选材料.     

SnO2纳米线阵列的制备及纳米器件的制作

采用简单的溶胶-凝胶方法在多孔阳极氧化铝模板(AAM)的微孔中制备了高度有序的SnO2纳米线阵列。XRD,SEM和TEM对样品进行了结构和形貌的表征,结果表明,高度有序的SnO2纳米线具有四方相的多晶结构,纳米线连续均匀;并对SnO2纳米线阵列的生长机理进行了探讨;最后用聚焦离子束沉积设备制作了单根SnO2纳米线器件。     

Synthesis of ordered Si nanowire arrays in porous anodic aluminum oxide templates

Highly ordered polycrystalline Si nanowire arrays were synthesized in porous anodic aluminum oxide (AAO) templates by the chemical vapor deposition (CVD) method. The morphological structure, the crystal character of Si nanowire arrays and the individual nanowire were analyzed by the transmission electron microscopy (TEM), scanning electron microscopy (SEM), atom force microscopy (AFM) and the X-ray diffraction spectrum (XRD), respectively. It is shown that most fabricated silicon nanowires (SiNWs) tend to be assembled parallelly in bundles and constructed with highly orientated arrays. This method provides a simple and low cost fabricating craftwork and the diameters and lengths of SiNWs can be controlled, the large area Si nanowire arrays can be achieved easily under such a way. The curling and twisting SiNWs are fewer than those by other synthesis methods.