一种高速低失调比较器电路设计

本文分析了两级动态比较器的瞬态特性,设计了一种高速低失调的两级动态比较器电路。相比于传统的两级动态比较器,本设计只需要单相时钟信号,通过增加第一级动态预放大电路的有效增益,既降低了比较器的延迟时间,也减小了等效输入失调电压。本设计采用90nm CMOS工艺实现,所有的分析结果都通过了仿真验证。     

一种低失调CMOS比较器设计

本文在研究各种比较器失调消除技术基础上,提出了一种用于ADC电路的高速高精度比较器失调消除技术.该比较器由主动复位和共模箝位的预放大器和输出锁存器构成,通过负反馈自适应调整比较器输入失调电压,降低了开关电容沟道电荷注入和时钟馈通对比较器精度的影响.仿真结果表明,在Chartered 0.35μm COMS工艺下,电源电压3.3V,调整后的比较器失调误差为34μV,比较速率100MHz.     

一种应用于高速高精度模数转换器的比较器

提出了一种基于BiCMOS工艺的高速高精度时钟控制比较器.该比较器包含一级预放大器、动态锁存器及时钟控制反相器.预放大器采用正反馈放大技术保证了增益和速度,锁存器采用两个正反馈锁存器和额外的反馈环路提高了锁存的速度.基于3.3 V 0.35 μm BiMOS工艺进行了设计和仿真,结果表明该比较器可以应用于160 MS/s高精度流水线模数转换器.     

一种应用于高速高精度模数转换器的比较器

文中设计了一种基于CMOS工艺的高速高精度时钟控制比较器。该比较器包含一个全差分开关电容采样级、一级预放大器、动态锁存器及时钟控制反相器。预放大器采用正反馈放大技术保证了增益和速度,锁存器采用两个正反馈锁存器和额外的反馈环路提高了锁存的速度。基于0.18μm 1.8V CMOS工艺进行了设计和仿真,结果表明该比较器可以应用于500 MSPS高精度流水线模数转换器。     

一种高速高精度比较器的设计

基于预放大锁存快速比较理论,提出了一种高速高精度CMOS比较器的电路拓扑.该比较器采用负载管并联负电阻的方式提高预放大器增益,以降低失调电压.采用预设静态电流的方式提高再生锁存级的再生能力,以提高比较器的速度.在TSMC0.18μm工艺模型下,采用Cadence Specture进行仿真.结果表明,该比较器在时钟频率为1GHz时,分辨率可以达到0.6mV,传输延迟时间为320ps,功耗为1mW.     

一种高速开关电容动态锁存比较器分析与设计

设计了一种基于CMOS工艺的开关电容动态锁存比较器。该比较器包含一个共模不敏感全差分开关电容采样级和一级动态锁存比较器。开关电容采样级验证了比较器的输入共模范围,动态锁存器采用两个正反馈锁存器和额外的反馈环路提高了锁存的速度。基于0.18μm 1.8V CMOS工艺进行了版图设计和后仿真,结果表明该比较器可以应用于200 MSPS高精度流水线模数转换器。     

新型高速低功耗动态比较器

基于预放大锁存理论,提出了一种新型高速低功耗动态比较器.该比较器采用预放大级、动态锁存器及输出缓冲级构成的三级结构,与传统比较器不同,该比较器采用了一种新型动态结构作为输出缓冲级以实现高速低功耗.在CSMC 0.5 μm/5 V Si CMOS工艺模型下,采用Hspice对电路进行模拟.结果表明在100 MHz的时钟下,精度可达0.2 mV,功耗仅为1.12 mw.     

一种GHz高频应用的低失调高速CMOS动态比较器

提出了一种由改进的前置差分运算放大器和差分式锁存器构成的高频、高速、低失调电压的动态比较器。前置预差分放大器采用PMOS交叉互连的负载结构,提升差模增益,进而减小输入失调。后置输出级锁存器采用差分双尾电流源抑制共模噪声,改善输出级失调,并加速比较过程。采用一个时钟控制的开关晶体管替代传统复位模块,优化版图面积,在锁存器中构建正反馈回路,加速了比较信号的复位和输出建立过程。采用65 nm/1.2 V标准CMOS工艺完成电路设计,结合Cadence Spectre工艺角和蒙特卡洛仿真分析对该动态比较器的延时、失调电压和功耗特性进行评估。结果表明,在1.2 V电源电压和1 GHz采样时钟控制下,平均功耗为117.1 μW;最差SS工艺角对应的最大输出延迟仅为153.4 ps;1 000次蒙特卡罗仿真求得的平均失调电压低至1.53 mV。与其他比较器相比,该动态比较器的电压失调和高速延时等参数有明显优势。     

一种新型高速电流比较器的研究与设计

针对传统电流比较器速度慢、精度低等问题,提出了一种新型CMOS电流比较器电路。采用CMOS工艺HSPICE模型参数,对该电流比较器的性能进行了仿真,结果表明当电源电压为3．3V,输入方波电流幅度为0．3μA时,电流比较器的延时为5．2ns,而其最小分辨率达0．1nA。该比较器结构简单、速度快、精度高,适合应用于高速高精度电流型集成电路。     

低功耗高精度的电压比较器设计

设计了一款用于实现10位精度逐次逼近型模数转换器(SAR ADC)的电压比较器,该比较器采用高速高精度比较器结构并进行了优化,在高速度、低功耗锁存器的基础上加预放大级以提高比较精度,加RS触发器优化处理比较器的输出信号。同时,采用失调校准技术消除失调,预放大级采用共源共栅结构抑制回程噪声,最终获得了高精度和较低的功耗。仿真结果表明:在Chartered 0.35μm 2P4MCMOS工艺下,时钟频率5 MHz,电源电压3.3 V,分辨率达0.1 mV,平均功耗约为0.45 mW,芯片测试结果表明比较器满足了SAR ADC的要求。     

可自校正失调电压的BiCMOS锁存比较器设计

在对传统CMOS锁存比较器分析的基础上,设计了一种可自校正失调电压的BiCMOS锁存比较器,它既具有双极型电路快速、输入失调电压低和大电流驱动能力,又具备CMOS电路低功耗和高集成度的特性,因而它们特别适用于高速缓冲数字信息系统和其它便携式数字设备.     

一种基于比较器失配补偿的高稳定性RC振荡器

针对传统RC振荡器容易受到温度和工艺偏差影响的问题,提出了一种新的振荡器结构。该振荡器电路运用零温度系数参考电压和开关网络,实现了比较器电路的工艺失配补偿,达到了高的温度稳定性。该振荡器具有对温度和工艺偏差不敏感、面积小、功耗低等优点。仿真结果表明,输出时钟频率为11.5 kHz时,在-10℃~90℃温度范围内振荡器频率偏差在±1%以内。     

高速CMOS钟控比较器的设计

基于预放大锁存理论,设计了一种高速钟控比较器,它包括三个主要部分:预放大器、判断级电路、输出缓冲器。在SMIC 0.18μm CMOS工艺模型和1.8 V电源电压下,采用Hspice对比较器电路进行仿真,结果表明在500 MHz的时钟频率下,精度可达0.3 mV,功耗仅为26.6μW。该电路可以应用在高速Flash ADC电路中。     

一种先进的TTL超高速比较器

文章介绍了一种新型TTL超高速比较器，并对其工作原理、制作工艺、技术性能及可靠性设计等进行了简要描述。该产品具有工作电压低（ 3V)、功耗小（6mA)、响应时间快（10ns)等显著特点，可以广泛应用于高速时序逻辑、线性接收器、数字通讯、模拟信号高速采样以及PCMCIA卡等领域。     

一种高速低功耗双电流锁存比较器

提出了一种应用于低电源电压的改进型高速超低功耗双电流动态锁存比较器。在不增加电路复杂度的情况下,通过在传统双电流动态比较器中增加一条额外的放电途径,使得比较器能够快速地从复位状态进入到再生阶段,缩短了整个过程的延迟时间,更重要的是扩宽了输入共模范围,同时降低了延迟时间对共模输入电压的依赖性。电路基于SMIC 0.18 μm CMOS工艺进行设计与仿真,仿真结果表明,在时钟频率为1 GHz,输入电压差为5 mV时,延迟时间为294 ps,功耗仅为52 μW。     

高速低功耗钟控比较器的设计

在分析各种比较器的基础上,设计了一种高速低功耗的钟控比较器,着重优化了比较器的速度和功耗.在SMIC 0.35μm n阱CMOS工艺条件下,采用Cadence Spectre对电路进行了模拟.结果表明,比较器的最高工作频率为200 MHz,精度为0.3 mV,在3.3 V的电源电压下,功耗仅为0.4 mW.     

一种应用于10位逐次逼近ADC的比较器设计

文中提出了一种应用于10位逐次逼近ADC的比较器。该比较器包括预放大器、中间放大器、输出驱动级及共模电平缓冲器。整体开环设计,采用多级级联的形式以满足增益和速度的要求;采用输出失调消除技术进行失调校正;为了提高共模电平的驱动能力和缩短建立时间,采用分压电路加单位增益放大器的结构。基于3.3V电源电压、TSMC0.18μmCMOS工艺下,仿真结果表明,完全满足最高采样频率30MHz、10位精度的模数转换器要求。     

新型高性能开关电源电压型PWM比较器

设计并实现了一种高性能的电压型PWM比较器,电路采用PMOS差分对管做为输入,多路电流镜提供精密负载电流,具有输入失调电压低、工作频率高、转换速率快和功耗低等优点.该电路可以替代普通电压型PWM比较器,直接运用在开关电源电压型PWM控制芯片中,并且能模块化设计,提高了PWM控制芯片的系统集成.