高亮度锥形半导体激光器

介绍了由双量子阱非对称波导结构外延片刻蚀成的带有脊形波导结构的锥形半导体激光器。该激光器有效抑制了p型区域对激光的影响,减小了半导体激光快轴方向的发散角,同时采用脊形结构和锥形结构的组合获得了高亮度激光。实验中,在电流7 A时获得了中心波长963 nm、连续功率4.026 W的激光输出。测得慢轴方向和快轴方向激光光束参数乘积分别为1.593 mm·mrad和0.668 mm·mrad。     

锥形脊结构半导体光放大器的有限元分析

为提高半导体光放大器与单模光纤耦合效率，建立了半导体放大器的锥形脊结构模型。在该模型下利用有限元数值模拟方法分析，计算了波导区折射率、锥尖宽度、条形波导尺寸、渐变折射率波导层对锥形脊结构模式扩展的影响。通过完善锥形脊结构参量的设计，获得了锥形脊结构半导体光放大器与单模光纤95％的耦合效率。     

双尺度织构的激光光刻工艺

搭建了双光束激光干涉光刻系统和激光快速扫描系统。利用干涉光刻系统,实现了不同周期、不同深度、大面积的表面规则光栅织构的构筑。利用激光快速扫描器的二维扫描功能,通过控制激光功率和扫描速度,对曝光量和填充线条间距进行了优化。提出了两种双尺度复合织构的制备方法：一种是在激光快速扫描系统中对抗蚀剂表面分别进行x, y方向的扫描光刻,然后在干涉光刻系统中进行双光束干涉光刻;另一种是在激光干涉光刻系统中进行两次曝光,每次曝光的入射角不同。实验结果表明：这两种方法在制备双尺度复合织构方面具有快速、廉价、操作简易等优点。     

高温超导滤波器的光刻工艺

根据高温超导薄膜的特点,详细讨论了制备高温超导滤波器的光刻技术及在制备的各环节中需注意的问题,实验结果表明:此种方法提高了制备的成功率。     

850nm锥形半导体激光器的温度特性

采用激射波长为850 nm的AlGaInAs/AlGaAs梯度折射率波导分别限制增益量子阱结构的外延片,分别制备了具有锥形结构和条形结构的半导体激光器,并对比分析了两者的温度特性。结果显示,测试温度为20～70℃时,锥形结构器件的特征温度为164 K,远高于条形结构器件的96 K;占空比为0.5%（t=50μs,f=100 Hz）,1 000 mA脉冲电流注入条件下,锥形激光器和条形激光器的波长漂移系数分别为0.25和0.28 nm/K;测试温度〈50℃时,锥形激光器和条形激光器的光谱半高宽分别约为1.12和1.24 nm。实验结果表明：相同外延层结构条件下,锥形激光器比条形激光器拥有更高的特征温度。     

10 W级主控振荡放大半导体激光芯片封装实验研究

结温升高是影响主控振荡放大(MOPA)半导体激光芯片输出功率的重要因素,为解决MOPA芯片的多电极封装和高效散热问题,提出了一种正装和热扩散辅助次热沉相结合的封装结构。建立了该封装结构的3D热模型,对比研究了倒装封装结构、正装无辅助次热沉结构与正装有辅助次热沉结构对MOPA半导体激光器结温的影响。计算结果表明,采用正装有辅助次热沉结构与倒装封装结构散热性能接近,且显著优于正装无辅助次热沉结构,结温降低幅度最高可达40%。另外,采用正装有辅助次热沉封装结构的MOPA半导体激光芯片在连续工作条件下输出功率为10.5 W,谱宽可实现半高全宽小于0.1 nm,中心波长随电流的变化约14 pm/A,实现了10 W级MOPA芯片的封装,验证了该封装结构的有效性。     

用于Rb原子冷却系统的半导体激光放大(TPA)装置

报道了我们最近研制的780 13m半导体激光放大装置.激光放大管采用Eagleyard公司生产的(EYP-TPA-0780-01000)半导体锥形放大器,当输入的种子源激光功率为25 mW时,放大器输出的激光功率达600mW左右,该光束经过透镜整形,声光调制器频移,然后耦合到单模保偏光纤后,输出功率达110 mW.该激光放大装置可很好的用于高密度冷原子的俘获.     

锥形半导体激光器研究进展

锥形半导体激光器具有高功率、高光束质量等特点,因此受到广泛关注并成为研究热点。从3种结构(传统结构、分布式布拉格反射(DBR)结构、侧向光栅条纹结构)的锥形半导体激光器出发,对国内外近十年具有代表性研究成果进行综述,介绍其理论研究和实验进展,并对锥形半导体激光器的未来发展进行展望。     

高温超导平面电路光刻工艺

在研究了传统光刻工艺的基础上 ,针对高温超导平面电路自身对工艺的要求 ,结合高温超导薄膜的特点 ,提出了几点工艺方法上的改进 ,解决了传统光刻工艺中存在的几个问题。实验结果表明 ,这种新的工艺方法不仅增加了高温超导平面电路制备工艺的稳定性 ,而且提高了样品的可重复性。     

高功率1060 nm锥形激光器

为提高1060 nm锥形激光器的输出性能，对1060 nm锥形激光器的脊形波导区和锥形增益区长度进行了优化。当保持总腔长3 mm不变时，设置脊形波导区长度为500,750,1000μm。在输出功率为2 W时，对三种情况所需的输入电流、功率-电流曲线斜率效率、电光转换效率、输出光谱及远场特性进行了对比。研究结果表明，当脊形波导区长度为750μm,锥形增益区长度为2250μm时，1060 nm锥形激光器的输出性能最优。当输出功率为2 W时，所需输入电流为3.95 A,斜率效率为0.61 W/A,转换效率为33.9%,光谱宽度(半峰全宽)为0.3 nm,远场近似高斯分布且95%能量处的水平发散角约为14°。     

Characteristics of Semi-conductor Laser Diode with Nonlinearly Tapered Waveguide

A novel semiconductor laser diode with nonlinearly tapered waveguide is proposed, and analyzed by a finite element beam propagation method (FM-BPM). The results show that the coupling efficiency is increased, and the laser's far field divergence is decreased effectively.     

Analysis of Semi-conductor Laser Diode with Two-dimension Nonlinearly Tapered Waveguide

1　Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ　　Ｈｉｇｈｅｆｆｉｃｉｅｎｔｃｏｕｐｌｉｎｇｂｅｔｗｅｅｎｃｈｉｐ(ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｌａｓｅｒｄｉｏｄｅ)ａｎｄｓｉｎｇｌｅｍｏｄｅｆｉｂｅｒｉｓｔｈｅｋｅｙｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙｆｏｒｏｐｔｏ ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎｉｎｔｈｅｆｕｔｕｒｅｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ[1 ] .Ｂｕｔｔ ｃｏｕｐｌｉｎｇｏｆｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｌａｓｅｒｄｉｏｄｅｗｉｔｈｓｉｎｇｌｅｍｏｄｅｆｉｂｅｒｌｅａｄｓｔｏｌａｒｇｅｃｏｕｐｌｉｎｇｌｏｓｓａｎｄｓｅ…     

Study of Semiconductor Laser Diode with Circularly Symmetric Waveguide

A semiconductor laser diode with circularly symmetric waveguide is proposed, its property is studied by scalar finite-difference time-domain method (SFD-TDM). The results show coupling loss between the semiconductor laser diode and single mode fiber is reduced effectively, the minimum coupling loss is 0.7 dB.     

Characterization and Spatial Matching of Laser Diode Beams

It is shown that the type of lateral waveguide of a laser diode cannot be determined uniquely based on just the measured magnitude of astigmatism. For a unique determination, the K-factor of Petermann, which characterizes the wavefront curvature at the laser output facet, must be measured as well. In order to determine the type of lateral waveguide, a setup for measuring astigmatic distances in the range 0–200 m with an error of ±2 m and a K-factor with an error of 20% was developed. Operational features of the setup were analyzed, and a technique that allows one to minimize the effect of beam ellipticity on the measurement results was found. Using the technique, the optimization of spatial matching of a laser diode with a ring interferometer of the butterfly type was accomplished. For transformation of the astigmatic elliptical beam into the axially symmetric mode of the interferometer, we have used an optical system that consists of two cylindrical and one spherical lenses. The algorithm for designing the matching system was developed, and the 85% injection of radiation of a AlGaAs laser diode into the principal mode of a ring interferometer was experimentally demonstrated.     

850nm高亮度近衍射极限锥形半导体激光器

制备了具有低红暴优势的850 nm大功率高亮度锥形半导体激光器,获得了近衍射极限的激光输出.当连续输功率为200 mW时,光束质量因子M2仅为1.7,亮度高达16.3 MW·cm-2·sr-1;当功率提高到1W时,M2因子和亮度仍分别达到2.8和9.9 MW·cm-2· sr-1.此外,研究了锥形激光器的功率、光谱、远...     

二极管双侧抽运横流连续液体激光系统性能模拟

为解决无机液体激光系统的热效应问题,采用激光二极管双侧抽运横向流动的Nd3 :POCl3:ZrCl4溶液以很好地减小热效应,实现液体激光系统高功率高光束质量输出。建立了液体激光理论模型,分析了工作参量对系统能量转换效率与介质热效应的影响;模拟了系统在不同吸收系数和不同流速下的能量转换效率,远场光斑分布以及激光束亮度分布。模拟结果表明:采用二极管作为抽运源可以获得很高的能量转换效率,而且光束质量较好;在给定抽运体积和抽运强度为800 W/cm2时,介质的吸收系数位于2.5~3.0 cm-1,流速约为25 m/s时,输出功率与光束质量实现最佳匹配,激光束亮度最高,系统性能达到最佳。     

激光引信中阵列激光二极管光束参数的测量方法

根据激光引信中激光器的脉冲功率高、发散角大的特殊测量要求,比较了ISO 11146标准文件对激光束的3种测量方法,以二阶矩法为基础,运用机械扫描法测量光束截面的功率密度,进而再现出光斑图形。采用光能量降为最大强度的1/e2来定义光束束宽,通过等强线求出了宽度和远场发散角。     

自调Q激光器的理论分析

利用速率方程，对自调Q激光二极管抽运固体激光器进行了数值模拟。通过求解析解计算了自调Q脉冲的峰值功率、单脉冲能量、脉冲宽度、能量利用率、重复频率、平均输出功率等参量。根据自调Q二极管抽运固体激光器的特点，分别得到了使抽运阈值功率最小的最佳自调Q晶体长度和使光-光效率最大的最佳自调Q晶体长度。     

大功率半导体激光器研究进展

对半导体激光器的发展历史和发展现状进行了综述,并具体介绍了长春光学精密机械与物理研究所近年来在大功率半导体激光器方面所取得的主要进展,特别是在大功率半导体激光器的激光光源、垂直腔面发射激光器和新型激光器芯片等方面。