掺杂蓝青铜的低频电压噪声研究

通过对掺杂蓝青铜的低频宽带噪声(BBN)的研究,发现在掺杂样品中杂质和缺陷能大大的加强低频电压噪声,并且噪声的幅度、波形又强烈地与单晶在冷却过程中的初始电流状态有关,从而揭示出电荷密度波的宽带噪声可能来自于样品中宏观缺陷的微观实质。 关键词：     

铁磁/反铁磁双层膜系统中的交换偏置及矫顽场的温度特性

提出了一个讨论铁磁／反铁磁双层膜中的交换偏置及矫顽场温度特性的物理模型，该模型，假设铁磁层为具有单畴各向异性的单畴膜而反铁磁层由许多相互独立具有多晶各向异性的颗粒组成，其温度依赖性主要来源于系统态的热不稳定，包括反铁磁颗粒易轴取向的热涨落和相关磁学量的温度依赖性等。计算结果表明其交换偏置随温度的增加非线性地减少而其矫顽场在体阻截温度处达极大值，且其体阻截温度随反铁磁颗粒粒径的增加而增加。我们的计算结果和相关实验结果一致，通过本的讨论，我们建议通过铁磁膜耦合上大粒径硬反铁磁颗粒膜可获得高交换偏置、低矫顽场且近独立于温度的相关磁学器件。     

碲化锌的光致发光及其温度效应

研究了未故意掺杂的ZnTe晶体的光致发光光谱及其温度效应.光致发光光谱在室温下仅包含一个谱带,液氮温度下由四个谱带组成.由发光光谱的温度效应实验结果导出了未故意掺杂的ZnTe晶体中的Li受主能级和浅施主能级的激活能分别为65meV和20meV.讨论了液氮温度下光致发光光谱中的19054cm-1带的一个可能起源.     

非晶半导体光致发光的温度依赖关系

研究了a-Si:H,a-Si:H,F,a-Si:H,Cl以及a-Si:H,Cl,O等非晶硅薄膜光致发光的温度依赖关系。测量了各种样品的无辐射跃迁激活能ε,并试图寻求激活能ε与样品的制备条件和结构之间的关系;同时从发光强度的温度相关性确定了带尾态密度分布参数T0,以及T0与发光光谱形状之间的关系。并将实验结果与瞬态光电导的数据进行了比较。     

C-ZnSe:Ga MS发光二极管室温蓝带的发光特性

测量了在77K和290K温度下,Au-ZnSe MIS,Au-ZnSe:Ga MIS,C-ZnSe:Ga MS和C-ZnSe MIS二极管的电致发光光谱,得到了以Au作势垒电极时通常有二个室温蓝带,而以C作势垒电极时只有一个室温低能蓝带。在77K—290K温度范围内,研究了C-ZnSe:Ga MS二极管在正向电压激发下的电致发光光谱随温度的变化。结果表明:室温低能蓝带的起因,在低温下可以归结为同时发射二个纵光学声子的自由激子的发射。文中指出,在C-ZnSe:Ga MS二极管上,观测不到室温高能蓝带,是由于晶体的吸收。由此可见,C-ZnSe:Ga MS结的室温蓝色电致发光的效率比Au-ZnSe MIS结的低得多。     

多孔硅发光峰温度行为的研究

实验研究了多孔硅（Ｐｏｒｏｕｓ Ｓｉｌｉｃｏｎ）光致发光峰随测量温度的变化,发现发光峰位随温度的移动与发光峰的能量有关。随温度升高,发光峰波长较长的样品它们的发光峰都移向高能,面发光峰能量较高的样品它们的发光峰都移向低能,发光峰波长位于７４０ｎｍ附近的样品,它们的发光峰与测量温度无关。对上术结果的起源作了讨论。     

多孔硅光致发光的温度效应研究

通过对多孔硅光致发光峰随测量温度变化的研究，发现随测量温度的下降，光致发光峰位有两种截然不同的移动方向：发光峰中心波长较长的样品，主峰向低能方向移动(即红移)；而发光峰位波长较短的样品则向高能方向移动(即蓝移).根据多孔硅光致发光峰的温度效应，定性地给出了发光效率随波长变化的模拟曲线，并由此能较好地解释多孔硅光致发光峰位随温度变化而移动的实验现象. 关键词：     

极性晶体中表面极化子的温度效应

有不少的极性晶体,电子与体纵光学声子的耦合弱,但与表面光学声予的耦合强.本文讨论电子和体纵光学声子耦合弱,与表面光学声子耦合强时对表面极化子的温度特性的影响,用线性组合算符法研究表面极化子的振动频率、诱生势和有效质量的温度依赖性.对AgBr晶体进行了数值计算,结果表明极化子的振动频率,诱生势和有效质量随温度的升高而减小.     

紫膜（BR）水溶液共振Raman光谱的温度相关性

本文报道了ＢＲ水溶性Ｒａｍａｎ光谱的温度相关性及吸收光谱变化。讨论了导致光谱变化的热诱导引起的结构变化。     

在横向磁场中真空电弧后退速度和阴极温度的关系

本文用光学方法测定了在横向磁场中真空电弧后退运动的速度和阴极温度的关系。实验发现,随着阴极温度的增加,电弧的后退速度下降。实验测得的后退速度的温度关系可用真空电弧后退运动的正离子喷流模型加以解释。 关键词：     

Ce:KNSBN晶体的热激发速率的温度特性

提出了一种测量热激发速率与光电离常数比值的新方法，通过Ce:KNSBN单晶的双光束耦合温度特性的实验数据，计算了Ce:KNSBN该比值的温度特性．理论计算与实验结果相符 关键词：     

量子阱中极化子的自能与电磁场和温度的关系

采用Ｌａｒｓｅｎ谐振子算符代数运算与变分微扰相结合的方法，研究处于电磁场中量子阱内电子一体纵光学声子耦合诉性质的曙依赖性，得到了有限温度下系统的自能。     

脉冲偏磁场作用下硬磁泡形成与温度的关系

用一次脉冲偏场法研究了外延石榴石磁泡薄膜条状畴畴壁中VBL群体形成与温度的关系。发现了与材料参量有关的临界温度T₀₂,当T>T₀₂时,硬磁泡不再形成。还发现了当T02时,VBL群体形成有两个明显不同的阶段,它们的分界温度为T₀₁。定性解释了第一个阶段的实验曲线并用双重曝光照相法揭示了两个阶段中导致软畴段硬化的运动形式的差别。 关键词：     

Cu:KNSBN晶体光折变参量的温度特性研究

本文研究了Cu:KNSBN晶体光折变材料参量的温度特性.用光折变理论分析了文献6给出的Cu:KNSBN晶体两波耦合增益系数Γ随2θ在不同温度下的变化关系.得出了该晶体有效电荷密度N_eff,有效电光系数和电子-空穴对抗因子乘积Rr_eff随温度的变化关系.     

半导体电阻器的温度响应

本实验用惠斯通（Wheatstone）电桥测量了半导体电阻R随温度的变化规律，同时确定了本征半导体材料的禁带宽度△E。     

SYNTHESIS AND SPECTROSCOPIC PROPERTIES OF HIGHLY PURE PERYLENE FLUORESCENT DYES

Two new perylene dye, N, N′-bis-(aminododecyl)-3, 4, 9, 10-perylenebis (dicarboximide) (1) and N, N′-bis-(4-chlorophenyl)-3, 4, 9, 10-perylenebis (dicarboximide) have been synthesized. Because the solubility of perylene derivatives is very low, their synthesis and purification are difficult. The imides 1 and 2 are easily prepared with high yield. Dye 2 has a lower density than the density of air. They are highly fluorescent and very photostable dyes. With high fluorescent quantum yield they are suggested as new convenient standards for the fluorescence quantum yield measurements in 500–650 nm region. The report includes the electronic absorption and emission spectra, extinction coefficients and fluorescence quantum yields. Applications of the dyes are discussed.     

强耦合极化子的温度依赖性

本文研究极性晶体中强耦合光极化子的性质,采用Huybrechts线性组合算符法.得到了有限温度下强耦合光极化子的基态能量.文中对RbCl晶体进行数值计算.结果表明,极化子的振动频率、平均数和基态能量随温度的升高而增加.     

超高斯纯态的一些性质

引入一种坐标概率密度分布介于高斯分布和矩形分布之间的量子力学纯态——超高斯纯态.研究了这种态的某些量子力学性质、压缩和高阶压缩以及Shannon熵等，并讨论了Shannon熵与压缩的关系. 关键词：     

蓝光波段染料Coumarin461掺杂的凝胶材料的光学性质

采用溶胶－凝胶技术合成了掺杂蓝光段激光染料Ｃｏｕｍａｒｉｎ４６１的ＳｉＯ２基固体材料，用波长为３０８ｎｍ的Ｘｅｃｌ激光器做泵浦源，横向泵浦，获得了峰值波长为４６５ｎｍ的蓝光波段激光输出，在泵浦光强度为１０ｍＪ时激光输出达到０．５３ｍＪ，转换效率为５．３％。     

微波频率下Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜的介电特性随温度及外加偏压变化的检测

提出了一种新的结构来表征钛酸锶钡薄膜在微波频率下的介电特性,即在沉积有钛酸锶钡薄膜的氧化镁基片上制作了共面带阻滤波器.借助于共面带阻滤波器的谐振频率和Q值,通过比较其测量值与仿真值,可以得出钛酸锶钡薄膜的介电常数和介电损耗.在变温测试过程中,注意到金导电层的电导率对带阻滤波器的谐振频率和Q值有较大的影响.为了准确地得到钛酸锶钡薄膜的介电特性,仔细分析了金导电层对带阻滤波器频率响应曲线的影响,并在比较求值过程中消除了这一影响.