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1.
本文利用磁控溅射法通过改变衬底温度成功制备出La0.8Sr0.2 MnO3/TiO2异质P-N结.当衬底温度升高时,LSMO/TiO2异质PN结表现出相对较好的整流特性.这可能是由于衬底温度的升高导致氧气吸收的增加,进而导致载流子浓度增大,串联电阻降低.电流电压的变温特性曲线显示随着测量温度的降低,扩散电压增大,这可能由于能带结构模型与热激活模型共同决定.值得提出的,异质P-N结结电阻随温度变化曲线呈现出单层LSMO表现的金属绝缘相变特性,并且在低测量温度时表现出随着测量温度的降低结电阻增大,这可能是由于宽带隙的TiO2的引入导致. 相似文献
2.
采用磁控溅射,紫外线光刻和离子束刻蚀制备了La2/3Ca1/3MnO3lEu2CuO4/La2/3Ca1/3MnO3磁性隧道结.通过对获得的磁性隧道结的Ⅰ-Ⅴ特性测量,发现非线性的Ⅰ-Ⅴ特性,显示结样品的隧穿特性.有趣的是发现在电极材料La2/3Ca1/3MnO3的金属-绝缘体转变温度(Tp)以下,Ⅰ-Ⅴ曲线出现一个跳变.随着温度降低,开始出现跳变的临界电流增大,但是跳变都发生在同样的电压下~209mV.当电流增大或减小在跳变点附近出现回滞.这一跳变只发生在铁磁金属态,表明这是一个磁性相关联的效应,可能对应一种新的磁性开关过程.虽然,目前对这一现象背后的物理机理还不清楚,但是,这一现象有可能在未来自旋电子学器件方面具有潜在的应用价值. 相似文献
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采用高温固态反应法制备了具有钙钛矿结构的锰氧化物La0.67Ca0.33MnO3,利用X射线衍射、超导量子干涉仪等实验技术研究其结构和磁性质。应用标度律对起依赖于磁场的始磁化强度在t→0时的行为用临界指数β随磁场变化进行描述。临界指数β随着磁场的增大而减小,说明在临界点附近,磁场的增大导致自旋有序度的增加。 相似文献
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采用脉冲激光沉积方法,在SrTiO3(STO)基片上原位制备了电子型掺杂高温超导体La1.89Ce0.11CuO4(LCCO)与超大磁电阻(CMR)材料La0.7Ca0.3MnO3(LCMO)异质结.使用X射线衍射和透射电镜分析,表明异质结是c轴取向外延生长.LCCO层的超导转变温度TC0是18.5K,LCMO层的金属-绝缘转变温度为195K.我们研究了这种异质结的界面微分电导,得到LCCO的能隙大小是4.2meV. 相似文献
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采用脉冲激光沉积方法,在SrTiO3(STO)基片上原位制备了电子型掺杂高温超导体La1.89Ce0.11CuO4(LCCO)与超大磁电阻(CMR)材料La0.7Ca0.3MnO3(LCMO)异质结.使用X射线衍射和透射电镜分析,表明异质结是c轴取向外延生长.LCCO层的超导转变温度了TC0是18.5K,LCMO层的金属一绝缘转变温度为195K.我们研究了这种异质结的界面微分电导,得到LCCO的能隙大小是4.2meV. 相似文献
6.
本文报告了对Ce掺杂锰氧化物(La1-xCex)2/3Ca1/3MnO3 (x=0~1.0)系列样品的输运特性和反常磁特性的研究结果.实验表明,Ce掺杂对Tc有明显的抑制作用,整体上电阻率随Ce掺杂含量增加而上升,在外加磁场时表现出极大的磁电阻效应.磁化强度随温度变化的曲线出现了两个转变,高温处对应于Mn离子磁矩的铁磁金属转变,低温处的转变则对应于Ce离子磁矩自旋有序排列的形成.表明Ce掺杂引起样品中铁磁双交换作用和反铁磁超交换作用之间的竞争,Ce离子与Mn离子有很强的相互作用.随Ce掺杂含量的增加,铁磁有序转变温度下降,而反铁磁有序转变温度则向高温处移动,铁磁区域明显减小. 相似文献
7.
本文通过射频磁控溅射法制备了La2/3Ca1/3MnO3(LCMO)薄膜.该薄膜在接近峰值电阻温度Tp(Tp=308K)发生铁磁金属相-顺磁绝缘体相相变.磁场的作用下,电阻温度曲线较无磁场时发生右移,而且Tp点也向高温移动,(H=0.5T时,Tp≈314K;H=1.0T时,Tp≈318K);1T磁场所产生最大的磁电阻值为34%.激光作用下,电阻温度曲线向左移动,Tp变为300K,其最大的光致电阻变化相对值为43.5%.能带理论定性分析表明产生这一不同现象主要是由于eg电子的不同状态引起的. 相似文献
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利用脉冲激光沉积的方法,在Nb-1wt%:SrTiO3基片上分别生长了5 nm和50 nm的La0.67Ca0.33MnO3薄膜得到异质结.对该异质结电流-电压特性和磁阻的研究表明,50 nm厚的样品表现出良好的整流特性并且在外加1 T磁场的情况下无明显变化,而5nm厚的样品在低温下,整流特性发生变化,并且外加1 T磁场对其整流特性有明显影响,显示负的磁阻.通过考虑p~n结耗尽层的厚度,对观察到的实验现象进行了解释. 相似文献
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本文对La2/3Sr1/3MnO3单晶中b和a(c)轴方向的磁热效应进行了研究,由于晶体的磁晶各向异性,磁热效应表现出一定的各向异性.通过不同温度下的等温起始磁化曲线的实验分析表明,在外加场为10kOe的情况下,b和a(c)轴方向的磁熵变-ΔSM(H)在370K达到最大值,分别为1.942Jkg-1K-1和1.873Jkg-1K-1.低场下较大的磁熵变是由于磁化强度随外场迅速变化以及自旋-晶格的耦合造成的.La2/3Sr1/3MnO3单晶在低场下表现出相对较大的磁热效应,表明其在磁制冷方面有一定的潜在应用价值. 相似文献
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利用脉冲激光沉积技术在掺Nb的SrTiO3衬底上制备了氧非正分La0.9Ba0.1MnO3-δ/SrTiO3:Nb p-n异质结.在20-300 K这一较宽的温度范围内获得了光滑的整流曲线.整流实验表明:该p-n异质结的正向扩散电压V0随着温度升高在薄膜金属-绝缘转变温度附近出现极大值,表现出与氧正分La0.9Ba0.1MnO3-δ/SrTiO3:Nb p-n结截然不同的温度特性.结合薄膜的电阻-温度实验和能带计算结果,对这一奇异的现象进行了解释. 相似文献
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本文研究了在球磨法制备La_(2/3)Ca_(1/3)MnO_3的过程中,不同退火温度对多晶陶瓷样品在微观结构和电磁输运行为方面的影响.结果表明,退火温度为850℃时,样品已经形成La_(2/3)Ca_(1/3)MnO_3相;900℃以下,样品的晶粒为200~300nm,存在明显的晶界效应,在低温区出现明显的CMR效应;随退火温度升高,晶粒迅速长大至微米级,在1400℃退火时达4~5μm,表现出与固相反应法样品类似的性质,并且在金属-半导体转变温度附近出现较大的CMR峰值,在0.3T外场下达22%. 相似文献
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本文用对靶溅射技术制备了La2/3Ca1/3MnO3/YBa2Cu4O8/La2/3Ca1/3MnO3薄膜.与YBCO单层薄膜相比,由于超导/铁磁系统中的磁性邻近效应,三层薄膜表现出较低的超导转变温度.薄膜的R~T测量曲线显示出超磁阻(CMR)效应和超导转变,预示着超导和铁磁特性共存于LCMO/YBCO/LCMO三文治结构. 相似文献
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用化学镀法制备了铜包覆的La_(0.7)Ca_(0.3)MnO_3(LCMO)颗粒.这些粉末压片之后在氩气中煅烧,形成铁磁-金属型结构,得到被铜均匀包覆的LCMO复合材料.利用扫描电子显微镜(SEM)观察了LCMO被铜包覆的形貌.研究了不同烧结温度下样品的电输运性质和在0.3T外加磁场下的磁电阻行为.结果表明LCMO在通过包覆铜进行表面修饰后,样品的绝缘体-金属的转变温度(Tp)往高温移动接近室温,室温附近的磁电阻值也得到显著提高. 相似文献
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Hole-doped rare-earth manganite La0.7Ca0.3MnO3 and the electron-doped manganite La0.7Ce0.3MnO3 both show a metal-insulator transition around 250 K associated with a ferromagnetic transition and colossal magnetoresistance.
In an earlier publication we have reported the rectifying characteristic of La0.7Ca0.3MnO3/SrTiO3/La0.7Ce0.3MnO3 tunnel junction at room temperature, showing that it is possible to fabricate a diode out of the polaronic insulator regime
of doped manganites. Here we report the magneto-transport properties of such a tunnel junction above and below the metal-insulator
transition. We show, from the large positive magnetoresistance of the tunnel junction at low temperature, that La0.7Ce0.3MnO3 could be a minority spin carrier ferromagnet. The implication of this observation is discussed. 相似文献
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La0.7-xCexCa0.3MnO3低场磁电阻的晶格效应 总被引:1,自引:0,他引:1
以稀土元素铈部分替换钙钛矿结构亚锰酸盐中的镧,使A位离子半径减小.由此在晶格中产生的内压将影响到B位d轨道与O位p轨道之间交叠形成的电子活性能带.本文以固相反应法制备了多晶La0.7-xCexCa0.3MnO3样品(x=0,0.05,0.10,0.20),测量并研究了电阻、低场磁电阻与温度(77K~300K)之关系.实验表明,随Ce替代量的增加,磁电阻(MR)峰值无显著变化,而MR峰值出现的温度Tp则递减.关于"减小可能导致Mn-O-Mn键角减小而最终使Tc降低"的见解可解释该实验结果. 相似文献