高频溅射法制备Bi—Sr—Ca—Cu—O超导薄膜

以单晶 YSZ、YAG 为衬底,用高频溅射法制备了 Bi-Sr-Ca-Cu-O 超导薄膜,膜厚为0.5—1μm,其中两个样品的超导性能为 T_c(onset)=92K,T_c(mid)=78K,T_(ce)=42K 和T_c(onset)=95K,T_c(mid)=78K,T_(ce)=36.5K,经分析,后者的组成近似地为Bi_2Sr_2Ca_1Cu_2O_x.对靶组分、溅射和热处理条件与生成的膜成分、物相、形貌以及超导电性的关系做了讨论.     

Bi（Pb）—Sr—Ca—Cu—O高Tc超导材料的研制及其超导性能的改善

本文比较了掺 Pb.热处理条件和加工工艺对 Bi-Sr-Ca-Cu-O 超导性能和组织结构的影响.结果表明,在接近样品熔点温度烧结,并随后进行退火处理,有利于减少低 T_c 的2212相体积分数,但其效果不如掺 Pb 显著.Ag 包套 Bi(Pb)-Sr-Ca-Cu-O 带材,由于呈薄片状的晶粒依带面紧密层叠,且其 c 轴明显形成垂直带面的定向排列,jc(77K,0T)显著提高,使其由块状样品的90A/cm~2增加到带材的7950A/cm~2.     

Bi—Sr—Ca—Cu—O新体系块状超导材料研究

采用固相反应法制备Bi-Sr-Ca-Cu-O新体系超导块材,超导电性与材料组份及热处理工艺密切关联.液氮温区以上,体系存在T_c 为120K和85K两个超导相,寻求最佳工艺条件分别获得3在111K和91K电阻为零的块状样品.     

Ag与YBa2Cu3O7-δ超导薄膜接触电阻的研究

本文系统研究了Ag/YBCO薄膜退火后Ag膜微观形貌与相应接触电阻率以及它们之间的关系,得到了在最佳退火温度(475℃左右)退火后ρc为6×10-8Ω*cm2(77K),并对接触电阻率随不同退火温度的变化进行了解释.此外,对于Ag与YBCO薄膜和Ag与YBCO块材之间的接触电阻率随退火温度的变化规律进行了比较并解释了其差异的原因.     

超导转变温区YBa2Cu3O7薄膜样品的表面电阻测量

我们对高温超导YBa2Cu3O7(YBCO)薄膜样品在超导转变温区微波表面电阻RS随温度变化的初步测量结果.利用介质谐振器方法,分别测量了由镀银高纯铜标准试样和脉冲激光淀积方法制备的高温YBCO超导薄膜为下底板的谐振器品质因素随温度变化的数据.通过对镀银高纯铜标准试样和RS为零的谐振器数据分析,得到谐振器参数随温度变化的曲线.由有高温YBCO超导薄膜组成的谐振器Q值随温度变化数据得到YBCO薄膜样品超导转变温区微波表面电阻的变化.讨论了YBCO超导薄膜的微波表面电阻测量结果.     

快速烧结Bi—Sr—Ca—Cu—O系85K相超导体

本报告了一种在一小时内氧化高温超导体的快速烧结工艺，对Ｂｉ－Ｓｒ－Ｃａ－Ｃｕ－Ｏ系统进行了一系列实验研究。成功地在１０分钟内烧结出具有８５Ｋ相的超导体，此种方法对探索新型氧化物超导体和大量生产具有重要意义。本还对８５Ｋ相形成及１１０Ｋ相含量很少的问题进行了分析。     

氧气中退火对Ag与YBa2Cu3O7-δ超导薄膜相互作用的影响

本文通过多种实验手段对Ag/YBCO薄膜退火后Ag膜与YBCO薄膜的相互作用进行了研究。Ag/YBCO在退火过程中,存在着Ag沿YBCO的表面的横向扩散和向YBCO薄膜内部的纵向扩散,Ag的纵向扩散有一定深度。Ag与YBCO很可能发生物理而非化学作用,渗透进入YBCO的Ag可能在YBCO的晶界处形核生长,使YBCO晶格发生畸变,产生应力,从而导致接触电阻值的增大。     

YBa2Cu3O7—x和GdBa2Cu3O7—x薄膜中的涡旋玻璃转变的观察

本给出了具有高密度孪晶界ｃ取向ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ外延薄膜存在涡旋玻璃转变及很好的标度行为的实验证据，在有ａ方向昌粒或４５°晶界的ＧｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ外延薄膜中存在涡旋玻璃转变但在转变温度附近观察到磁通蠕动和热激活磁通流的某些特征。     

Ag／YB12Cu3O7—x,Al／YBa2Cu3O7—x界面特性分析

利用电学测量方法结合二次离子质谱（ＳＩＭＳ）技术对金属Ａｇ与Ａｌ与ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ（ＹＢＣＯ）超导薄膜接触界面电学性质和扩散特征进行了测试分析，分析结果显示由于Ａｇ和Ａｌ具有不同的化学性质，二与ＹＢＣＯ界面的互扩散特性有明显不同，这些不同影响到接触界面的电学性质和接触窗口下ＹＢＣＯ超导性能，在Ａｇ／ＹＢＣＯ样品中，在高于３５０℃以上的温度下氧气氛中退火将引起Ａｇ和Ｏ的界面互扩散，但对ＹＢＣ     

4单元YBa2Cu3O7薄膜超导微带天线阵列的研究

本文用并矢格林函数—矩量法设计并制作了２×２四单元ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７超导微带天线阵列．设计频率为７．８８ＧＨｚ．实验结果表明，天线阵匹配良好，超导天线阵的工作频率，Ｅ平面方向图及其相对于Ａｇ天线阵的增益改善与理论计算值一致．     

激光沉积法制备（Y1—xHox）Ba2Cu3O7—δ薄膜

本文报道了用激光沉积法在（１００）ＬａＡｌＯ３衬底上制备（Ｙ１－ｘＨｏｘ）Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ（ｘ＝０，０．２，０．４）超导薄膜．结果表明，新超导薄膜表面光滑，具有很强的ｃ轴织构，零电阻温度Ｔｃ０约９１Ｋ，最佳临界电流密度Ｊｃ为４．７×１０６Ａ／ｃｍ２（７７Ｋ）．     

TFA-MOD法YBa2Cu3O（7-δ）超导薄膜的交流磁化率研究

通过三氟乙酸盐-金属有机沉积(TFA-MOD)方法在LaAlO3单晶基片上制备了YBa2Cu3O7-δ(YBCO)高温超导薄膜,并测定在垂直于a-b面的外加交变磁场下薄膜样品的交流磁化率随温度的变化关系,在频率543.2 Hz、振幅1 V条件下,样品的超导转变发生在91 K附近.交流磁化率虚部峰值温度Tp随着磁场振幅的变大而向低温区移动,随着频率的增大而向高温区移动,这些现象与磁通蠕动模型相一致,峰值温度TP与外交变磁场的振幅Hac满足Hcaε(1-Tp/Tct)n的关系,其n～1.55;而与频率之间满足1/Tp与lnf的线性关系,可能是由于TAF-MOD薄膜样品中较多孔洞和非位错缺陷的出现使其偏离一般物理气相沉积薄膜样品具有的SNS型连接(n～2).根据频率f与温度T的Arrhenius公式以及二维简约的Bean模型,得到当前薄膜样品的激活能U与电流密度J、以及J与温度T的标度关系.