BiSrCaCu2OY高Tc超导体在240K附近的位移相变

用电子顺磁共振(EPR)技术研究了 BiSrCaCu_20_y 高 T_c 超导体的电子顺磁行为,实验上发现样品在0.27T 附近的 EPR 信号的谱形、平均朗德因子可值、线宽以及积分信号强度在240K 附近均显示出反常的行为.不同温度下样品的 X 光衍射分析表明在80—300K 温区里没有观察到明显的结构相变,比较 Fe~(3+)离子注入的 SrTiO_3样品的 EPR 研究结果,我们认为240K 附近观察到的顺磁反常是由于样品在240K 附近发生一位移相变所引起的.     

Ni掺杂YBa2Cu3O7-δ的内耗研究

制备了Ｎｉ掺杂浓度为０，０．００２，０．００５，０．０１，０．０２，０．０５，０．１的系列ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ样品。在液氦至室温范围，采用双端共振簧方法测量了它们在千赫兹范围的内耗。     

Bi2Sr2CaCu2Ox单晶的磁性质研究

测量了单晶 Bi_2Sr_2CaCu_2O_x 的磁化强度随磁场和温度的关系.发现样品除在 TT_c 还有较弱的抗磁性:|X_n|～10~(-7)cm~3/g.|X_n|随温降低或外场增加而增加,在外场平行于 b 和 c 轴时 X_n 也是不同的:测量前用纯 N_z 气处理过的样品或在纯He 气中长时间测量过的样品 T_c 较高,转变较剧烈,且后一种情况下 T_c 是随测量时间增加而增高的.所以认为 Bi 系高温超导体的 T_c 与样品的氧含量有关.初步讨论了上述性质的机制.     

中子辐照对Bi2Sr2CaCu2O8Tc的影响

本文报道低通量慢中子辐照对Bi_2Sr_2CaCu_2O_8超导体的电阻转变的影响,而且辐照的这种影响随时间退化较小。结果可用改善弱连接来解释,说明低通量中子辐照也可作为研究超导体性质的一种手段。     

Bi—Sr—Ca—Cu—O的两种2212相的研究

本文对定向凝固法生长 Bi-Sr-Ca-Cu-O 的2212相超导单晶进行 X 射线衍射分析,发现在晶体的 c 轴方向有两种周期,分别是30.80(?) 和15.40(?),分属于两种2212相,2212-30相和2212-15相.根据衍射分析结果,讨论了可能的结构特征.     

Pb2Sr2Y0.5Ca0.5Cu3O8＋δ超导体中氟代顶氧的结构与性质

合成了掺Ｆ的Ｐｂ系超导体，确认了Ｆ替代其中ＣｕＯ５四方锥体的顶氧。指出Ｆ代顶氧改善Ｔｃ的机理来自晶体结构，化学键及电子态的变化。改善零电阻温度Ｔｃｕ主要是掺Ｆ体系所产生的热力学效应。     

Bi2Sr1.8La0.2Cu1—xMxOy（M=Ni,Zn）体系的微结构研究

本利用Ｘ射线衍射、电子衍射和拉曼散射对Ｂｉ２Ｓｒ１．８Ｌａ０．２Ｃｕ１－ｘＭｘＯｙ（Ｍ＝Ｎｉ，Ｚｎ）体系的微结构进行了研究。实验表明，随着掺杂量的增加，掺Ｚｎ体系的结构畸变明显大于掺Ｎｉ体系的结构畸变。由此看来，非磁性杂质Ｚｎ之所以比磁性杂质Ｎｉ对Ｔｃ具有更大的抑制作用，应该归因于Ｚｎ掺杂造成材料严重的结构畸变。     

高Tc氧化物La2CuO4+δ低频弛豫内耗峰的激活能研究

采用全自动多功能内耗测试仪（ＭＦＩＦＡ），对高Ｔｃ氧化物Ｌａ２ＣｕＯ４＋δ的低频内耗作了细致的研究。发现Ｌａ２ＣｕＯ４＋δ在１６０Ｋ－４３０Ｋ温区有三个弛豫峰ｐ１、ｐ２、ｐ３，并由变频实验求出它们的驰豫激活能。在激活能分析基础上，我们认为：ｐ１、ｐ２峰源于氧空位的驰豫跃迁，ｐ３峰则源于氧间隙原子的驰豫跃迁。