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近两年来对氧化物高临界温度超导体的研究巳取得了很大的进展.本文总结了Bi2Sr2CaCu2Oy超导单晶的研究成果,从若干方面对这种单晶材料的性质作了全面的阐述,例如电子结构、磁性质、输运性质、二维涨落性质等;对一些关键性的实验作了深入的讨论,并指出了一些还需要进一步研究的问题. 相似文献
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在采用熔体生长加电极方法生长 Bi_2Sr_2CaCuO_(8+δ)单晶的基础上,利用 X 光衍射、扫描电镜和透射电镜等手段对 Bi_2Sr_2CaCu_2O_(8+y) 单晶进行了结构观察。结果表明:Bi 系2212相单晶属螺旋位错生长机制;观察到在晶体中除存在着大量位错外,还存在微裂缝;往往以一种迭层形态存在,中间夹在少量杂质,对其晶体生长机制及缺陷形成的原因进行了讨论。 相似文献
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本文研究了 Bi_2Sr_2CaCu_2O_y,单晶在磁场 H 垂直于 c 轴情况下的交流磁化率,得到了交流磁化率虚部峰温度 T_p 和外加直流磁场 H_(DC)的关系为:(1-T_P/T_c)∝H_(DC)~(0.2).本文还对不可逆线进行了讨论,并和用其他方法测量的不可逆线作了比较. 相似文献
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Bi2Sr2CaCu2O8单晶的穿透深度研究 总被引:1,自引:0,他引:1
从Bi2Sr2CaCu2O8(Bi-2212)单晶临界温度下的可逆磁化强度数据中,考虑高温超导混合态涡旋线涨落对磁化强度的影响,得到穿透深度λab(T,H)的温度和磁场依赖关系.发现在温度远低于Tc时λab与温度存在T2关系.λab随磁场的增加而增加,且绝对零度下的穿透深度λab(0,H)随磁场H的变化符合经验式λab(0,H)=λ0[1+(H/H0)β] ,这里λ0、H0和β为常数. 相似文献
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本文报道低通量慢中子辐照对Bi_2Sr_2CaCu_2O_8超导体的电阻转变的影响,而且辐照的这种影响随时间退化较小。结果可用改善弱连接来解释,说明低通量中子辐照也可作为研究超导体性质的一种手段。 相似文献
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用倒扭摆和DSC研究了Bi_2Sr_2Ca_2Cu_3O_x 超导体在温度100K 至300K 范围内的内耗和相变.发现有五个内耗峰分别在110K、130K、180K、190K 和210K 附近.除190K 峰外,都伴随有切变模量软化.其中180K 和210K 内耗峰明显与 DSC 的放热峰对应.认为这些内耗峰与晶格不稳、晶格参数发生跳变有关,是由类相变过程中应力感生相界面运动所引起. 相似文献
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测量了Bi2Sr2Ca1-xPrxCu2Oy(x的范围从0到0.5)和Bi2Sr2Ca1-xYxCu2Oy(x的范围从0到0.41)系列单晶样品的ab平面电阻率ρab(T).两个体系都表现出独特的掺杂效应.对掺Pr系列,超导转变温度Tc随掺杂量的增加逐渐降低,同时剩余电阻率却大幅度增加.在Pr含量达到约0.5时,体系出现了超导-绝缘体转变.对掺Y系列,观测到在某温度T*处ρab(T)偏离了对温度的线性关系,这是赝能隙打开的典型表现.t*随Y含量的增加而增加,而Tc则被迅速压制.我们预期Pr的反常磁性和掺Pr系列未观察到赝能隙有关. 相似文献
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本文对定向凝固法生长 Bi-Sr-Ca-Cu-O 的2212相超导单晶进行 X 射线衍射分析,发现在晶体的 c 轴方向有两种周期,分别是30.80(?) 和15.40(?),分属于两种2212相,2212-30相和2212-15相.根据衍射分析结果,讨论了可能的结构特征. 相似文献
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研究了掺La-和掺Pb-的Bi2201样品在不同磁场下正常态的直流磁化率与温度关系。样品包括从尔掺杂到过掺杂区域。实验结构表明,当增加空穴浓度时,从欠掺杂区域到开始发生超超转变区域,居里项的贡献逐渐减弱;而在超导区和金属区,居里项随着空穴浓度的增加而增加。 相似文献
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我们发展了一种简易的、无光刻法制备Bi2Sr2CaCu2O8+x单晶内禀结的新型工艺,制备过程简单,重复性好,成功率高,结面积在20μm×20μm~80μm×80μm之间.同时,我们测量了内禀结的直流I~V特性,得到了具有多路电阻分支的内禀约瑟夫逊直流I~V特性曲线 相似文献
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本文研究了熔融织构块材和单晶YBa2Cu3O7在液氮温区63-75K的磁驰豫性质。在此温区常数ωa是与温度相关的,平均有效结合能作为电流密度的函数和Zeldov模型一致。 相似文献
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