辐照材料的肿胀理论(Ⅱ)——偏吸率与肿胀公式

本文用分区的方法,得到了在同时计及位错应力场和辐照效应的情况下,位错周围点缺陷分布函数的零级、一级和二级近似解,进而得到了偏吸率。利用所得的偏吸率及文献[1]的结果,给出了新的肿胀公式。新公式优于前人的理论,不仅理论本身自洽,而且与实验符合较好。 关键词：     

冲击波作用下材料的极化率

 文中对材料在冲击波作用下发生极化或去极化过程，应用位错理论进行解释。导出了在冲击波作用下，计算材料极化率的公式。得出结论认为极化率不仅和位错密度有关，还和冲击波的频谱有关。     

辐照材料的肿胀理论(Ⅰ) 中性尾闾

本文从反应扩散方程出发,研究在辐照条件下,微洞和位错(无应力场)周围点缺陷的分布情况。对含有点缺陷复合项的定态的反应扩散方程,给出了一种近似求解的方法并分别得到了微洞和位错吸收点缺陷的汇强度。从所得结果与前人略去复合项的结果比较可知,微洞较大时,复合项对汇强度的影响变得重要;对于位错,当点缺陷产生率较大时,考虑了复合项后所得的汇强度可达前人结果的1.5倍以上。     

辐照材料的肿胀理论(Ⅰ)——中性尾闾

本文从反应扩散方程出发,研究在辐照条件下,微洞和位错(无应力场)周围点缺陷的分布情况。对含有点缺陷复合项的定态的反应扩散方程,给出了一种近似求解的方法并分别得到了微洞和位错吸收点缺陷的汇强度。从所得结果与前人略去复合项的结果比较可知,微洞较大时,复合项对汇强度的影响变得重要;对于位错,当点缺陷产生率较大时,考虑了复合项后所得的汇强度可达前人结果的1.5倍以上。 关键词：     

不同加载条件下位错和溶质原子交互作用的数值模拟

动态应变时效,即位错和溶质原子的动态交互作用,对合金材料的力学性质产生重要影响. 本文基于蒙特卡罗方法,建立了“多位错-溶质原子” 二维动力学模型,分别模拟了单位错-恒定应力率、多位错-无应力、多位错-恒定应力和多位错-恒定应力率四种条件下位错和溶质原子的演化过程. 单位错-恒定应力率情况下,低应力率时位错被溶质原子钉扎而无法脱钉,高应力率时位错未被钉扎而一直运动,只有在适当应力率范围内,位错才呈现出反复的钉扎和脱钉;多位错-无应力时,溶质原子向正/负位错的下/上方偏聚;多位错-恒定应力时,位错运动受溶质原子钉扎的影响随应力增大而减小;多位错-恒定应力率时,集群化的钉扎和脱钉过程导致了位错总位移呈现阶梯状的演化. 模拟结果表明：“位错-溶质原子”尺度上呈现了动态应变时效微观过程,与其理论描述相一致. 关键词： 动态应变时效 动力学模型 位错运动     

基于多尺度分析的FCC金属应变率敏感性研究

 采用位错理论和分子动力学模拟研究了金属原子性质对其宏观应变率敏感性的影响。依据位错运动的Orowan关系,认为金属中位错速度对应力的依赖关系是此研究的关键,并分析提出研究金属原子性质与应变率敏感性关系的分析方法。构建了一个中等规模的二维分子动力学模型,应用此模型对单个位错在FCC金属中的运动进行模拟。综合位错理论分析和分子动力学模拟结果得出结论：影响金属应变率敏感性的原子性质是其原子量而不是其原子势。依据此结论分析得到的FCC金属应变率敏感性排序与试验结果相符。     

磁电弹性体中螺型位错与唇口裂纹的相互作用

研究磁电弹性体中螺型位错与唇口裂纹的相互作用。结合Muskhelishvili方法和干扰技术, 在假定裂纹面具有不可渗透条件下得到磁电弹性体中由位错和唇口裂纹所诱导的应力场、电场和磁场的解析解。应用广义Peach-Koehler公式,得到作用在位错上的影像力。通过数值算例,得到场强度因子的变化规律及影像力和广义力随位错位置的变化规律。     

位错与溶质原子间动态相互作用的数值模拟研究

通过Cottrell-Bilby型溶质动力学模型，对位错线周围的溶质原子浓度随应变率的变化进行了研究，并得到了三种不同的位错-溶质相互作用方式：在低应变率时，位错被溶质原子气团充分钉扎，它上面的溶质浓度近似达到饱和；在高应变率时，脱钉作用占主导地位，位错运动几乎不受深质影响；而在中间应变率时，位错反复经历着钉扎和脱钉过程，动态应变时效发生.此外，通过对模型方程的推导，还自然地得到了平衡状态下率相关流动应力与应变率之间的N形关系曲线. 关键词： 位错 溶质原子 动态应变时效 数值模拟     

偏芯光纤弯曲特性分析

根据光纤传输理论建立了偏芯光纤理论计算模型.采用保角变换方法将偏芯光纤不对称的三层结构转换成同轴对称的三层结构,得到关于传播常量的特征方程,给出了偏芯光纤弯曲损耗公式.仿真分析了偏芯光纤弯曲损耗和弯曲半径之间的关系,结果表明当弯曲半径达到3mm时,弯曲损耗几乎为零,同时得到弯曲损耗随偏芯距离的变化关系.运用Rsoft软件中的BeamPROP模块建立偏芯光纤弯曲的光学模型,模拟仿真了弯曲的偏芯光纤中模场分布情况.仿真结果表明,偏芯光纤的弯曲方向与纤芯偏移中心轴线方向相同的弯曲损耗小于反方向的弯曲损耗.     

直拉法生长的GGG和YAG单晶体中螺型位错的双折射像

在直拉法生长的GGG和YAG单晶体中,从实验上首次获得了沿位错线观察的(viewed end-on)螺型位错的双折射像,确立了沿位错线观察和垂直于位错线观察(viewed from the side)的双折射像间的一一对应关系,以及与蚀斑间的一一对应关系,并基于石榴石晶体弹-光性质的各向异性,给出了沿位错线观察的螺型位错双折射像的成像规律,得到了理论与实验一致的结果。 关键词：     

Si材料中60°位错的分子动力学研究

本文使用Stillinger-Weber势函数和周期性边界条件,通过在原子尺度上的分子动力学计算研究了60°位错的位错心能量和运动情况.首先提出了相对简单的建立位错偶极子的新方法.在此基础上,借助于最近得到的对周期性映像作用的评估理论,由不同大小的3维计算模型得到的位错心能量的平均值为0.43 eV,这一结果不同于先前文献中的报导.另一方面,为研究位错运动在较大温度和压力范围下的表现,提出了相应解决方法来避免位错心在高温模拟环境时测量的不精确性.模拟结果显示位错速度相对于温度的变化曲线表现为波动形式.而且,位错的速度随模拟温度的升高而降低,这一结果与声子拖拽模型相吻合.     

钢铁材料组织超细化机理的电子理论研究

通过计算机编程建立奥氏体相中的1/2［110］刃位错，用实空间的递推方法计算碳、氮及合金元素在完整晶体及位错区引起的环境敏感镶嵌能，进而讨论碳、氮及合金元素在位错区的 偏聚及交互作用.计算结果表明：分立的轻杂质C，N易偏聚在位错区，它们在刃位错上方形 成柯氏气团；合金元素在完整的奥氏体晶体中趋于均匀分布，强、中碳化物形成元素（Ti, V, Nb, Cr）易在刃位错区偏聚，它们在位错上方形成柯氏气团，而非碳化物形成元素Ni偏 聚于位错线下方，或分布于非缺陷区；轻杂质加剧强碳化物形成元素在刃位错区的偏聚.当 温度下降使得C，N及合金元素的浓度超过其最大固溶度时，在钢的奥氏体刃位错区将有C，N化合物脱溶，这些化合物可作为奥氏体再结晶的异质晶核，细化晶粒. 关键词： 电子结构 位错 超细化     

二相介质中的运动位错

本文考虑二相介质中与平面相界平行的匀速运动直线位错。采用了与位错相对静止的运动坐标系,在此坐标系中推广位错各向异性弹性理论的普遍方法,并利用弹性力学中的格林函数方法处理相界面,计算得到此位错在介质中所产生的总弹性场,以及其所受到的“像力”。本文所提出的理论方法有一般的适用性,结果可以用于考虑此位错与其它缺陷的相互作用,以及二相介质的力学性质。 关键词：     

共振双光子放大器的理论研究

给出了阶梯型三能级原子系统在相等偏调情况下的运动主方程,得到了双光子增益系数公式.讨论了增益系数与偏调的关系曲线.     

压强的微观表达式-((H)/(V))_(qp)及其涨落

按照系综理论，压强ｐ是偏导数－（　Ｈ／ Ｖ）ｑｐ的统计平均值：ｐ＝〈－Ｈ／Ｖ）ｑｐ〉，人们由它引出结论：－（Ｈ／Ｖ）ｑｐ作为一个相函数乃是压强的瞬时值，但根据这一前提得到的压强涨落公式与准热力学理论矛盾，并引起了长期的争论．本文提出如下见解：偏导数－（Ｈ／Ｖ）ｑｐ与相变量（ｑ，ｐ）的选择有关，只有对于某种特殊的相变量，它才能表示压强的瞬时值．这时公式〈（２Ｈ／ Ｖ２）ｑｐ〉＝（ｐ／Ｖ）ｓ成立．而根据这一公式，可以从系综理论的压强涨落公式过渡到准热力学理论的压强涨落公式．     

二相介质中一种位错构型的弹性场及所受的力

本文建立了二相介质中与相界斜交位错的一种理想构型。根据位错各向异性弹性理论的普遍方法,以及关于界面的Gebbia-Eshelby定理,计算得到此位错在两相中的弹性场,以及位错线段所受“像力”的数值解。本文所提出的模型及算法具有一般适用性。结果可用于进一步计算此位错与其它缺陷的相互作用。对于考虑这种斜交位错在无扩散相变中的作用,本工作也是一个有意义的起点。 关键词：     

钼单晶体中亚晶界位错结构的研究

本文应用蚀象法对电子束浮区区熔法制得的原生态钼单晶体中的亚晶界位错结构进行了直接观测。对于实验结果进行了细致的分析,并与亚晶界的Frank公式的一些预期结果比较,全面地证实了理论预测。对(111)面上平行蚀线方向的测量表明,它们大体沿着1/2〈111〉刃型位错的滑移面及攀移面的交线,从而证实了它们是这种位错所组成的一组位错倾侧型晶界。通过对蚀斑三叉亚晶界的分析,检验了推广后的Read-Shockley公式,同时表明存在着两组位错的倾侧晶界。对于(111)面上观察到的15组蚀线网络进行了分析,结果表明其中5组是1/2〈111〉/〈100〉网络,9组是〈100〉/〈110〉网络。分析中,除去应用Carrington等所发展的极图分析法以外,我们还根据Frank公式所规定的网线间距的关系式,提出了进一步定量检验的分析方法。实践证明,当极图分析不能获得唯一的结果时,这种定量检验法可以有效地确定位错网络的Burgers矢量。此外,我们还观察到奇位错和亚晶界交互作用的事例,特别是奇位错在亚晶界上引起“台阶”以及夹杂物和亚晶界交互作用的迹象。不同类型的亚晶界交接以及非平衡态的亚晶界也是经常可以观察到的。以上结果表明,蚀象法对于定量地研究原生态晶体中的亚晶界位错结构是极其有效的,其能力并不亚于电子显微镜薄膜透射法。     

基于偏态分布的百分位估计公式的建立

顺序统计量将累积概率与数据排序后的位置建立相关联系,可用于估计数据分布的累积概率.鉴于不同气候要素概率分布存在着不同程度的偏态特征,基于偏态分布条件下的累积概率函数,通过理论推导和数值模拟建立了与偏态指数相关的位置参数的回归模型,从而给出了基于数据偏态特征的经验百分位估计公式.利用1980年-2009年全球夏季逐日平均温度资料,进一步对比分析了偏态百分位估计方法与Jenkinson方法下得到的第90个百分位值所对应的温度排序后位置的差异. 关键词： 顺序统计量 偏态分布 百分位     

磁电弹性体中多条位错与Griffith裂纹（英文）

根据本征方程,研究磁电弹性体中若干平行螺型位错与Griffith裂纹的相互作用.结合Muskhelishvili方法和算子理论,得到磁电弹性体中由位错和裂纹所诱导的应力场、电场和磁场的解析解.数值算例表明:在裂纹的端点及位错点上仍然存在应力的奇异性,离位错点越远处广义力越小,结论与已有的结果相符,证明了结论的正确性.当位错点与裂纹端点距离越近时,裂纹与位错间的应力场越小,并逐渐趋近于零.     

位错规范场对于位错芯区的应用

本文用位错连续分布方法分析了位错所产生的应变和应力场,用位错规范场表出了位错芯区的位错分布,并在一定规范条件下求解了位错规范场。得到了螺位错芯区内、外的应力场。在螺位错芯区外,其应力场与Volterra位错的应力场完全一样,而在芯区内,当ρ趋于零时,螺位错的应力场是有解的。最后计算了螺位错的能量。 关键词：