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TiN/n-GaAs肖特基势垒特性 总被引:4,自引:2,他引:2
本文用俄歇能谱(AES)、电流-电压(I-V)和电容-电压(C-V)电学测量等方法,研究了反应溅射制备的TiN/n-GaAs肖特基势垒特性.经800℃高温热退火后,TiN/n-GaAs势垒具有良好的整流特性和高温稳定性,其势垒高度为0.80cV,理想因子n为1.07.同时还观察到许多有意义的结果:即随着退火温度的升高(从500℃到800℃),TiN/n-GaAs肖特基二极管的势垒高度增大,势垒电容减小和二极管反向击穿电压增大.我们认为这可能与溅射过程中GaAs衬底中掺氮有关,并用Shannon模型(即金属/P-GaAs/n-GaAs结构)解释了以上结果.研究结果表明,在自对准GaAs MESFET工艺中,TiN是一种很有希望的栅材料. 相似文献
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TiN gate thin-film fully-depleted SOI CMOS devices are fabricated and discussed.Key process technologies are demonstrated.Compared with the dual polysilicon gate devices,the channel doping concentration of nMOS and pMOS can be reduced without changing threshold voltage (VT),which enhances the mobility.Symmetrical VT is achieved by nearly the same VT implant dose because of the near mid-gap workfunction of TiN gate.The SCE effect is improved when the thin-film thickness is reduced. 相似文献
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立方结构AlN(Bl-AlN)具有热稳定性好和硬度高等独特的物理特性。近年来,在实验中已成功地将Bl-AlN外延生长在TiN基体上。界面特性在超晶格中的作用是非常重要的:然而,对界面材料的研究不仅要注重其显微结构和界面原子像,而且要关注其界面的电子结构和性质。 相似文献
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本文研究了经直流磁控溅射制备的TiN/GaAs肖特基结的电学特性.给出了不同退火温度下I-V,C-V测量结果及TiN/GaAs与Au/GaAs,Ti/GaAs,Al/GaAs接触特性的比较.应用AES与XPS进行肖特基结的表面和界面剖析,发现退火过程中TiN膜的氧化,N在TiN膜中的再分布及TiN-GaAs接触界面上的化学重组对肖特基结的接触特性有重要影响. 相似文献
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介绍了Ti-Au,Ti-W-Pt-Au,Mo-Au,TiW-AU,TiW-Pt-Au等多种金属膜分别在400,425,450,475和500℃,30分钟等时退火后的显微镜观察和典型样品的俄歇能谱分析结果。结果表明,Ti由于在Au中扩散太快,阻挡性能较差而W,Mo,TiW都有较好的阻挡性能,结合实际应用,TiW-Pt-Au应是同波功率管的金属化的较佳选择。 相似文献
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设计并生长了一种新的InGaP/GaAs/InGaP DHBT结构材料,采用在基区和集电区之间插入n+-InGaP插入层结构,以解决InGaP/GaAs/InGaP DHBT集电结导带尖峰的电子阻挡效应问题。采用气态源分子束外延(GSMBE)技术,通过优化生长条件,获得了高质量外延材料,成功地生长出带有n+-InGaP插入层结构的GaAs基InGaP/GaAs/InGaP DHBT结构材料。采用常规的湿法腐蚀工艺,研制出发射极面积为100μm×100μm的新型结构InGaP/GaAs/InGaP DHBT器件。直流特性测试的结果表明,所设计的集电结带有n+-InGaP插入层的InGaP/GaAs/InGaP DHBT器件开启电压约为0.15V,反向击穿电压达到16V,与传统的单异质结InGaP/GaAs HBT相比,反向击穿电压提高了一倍,能够满足低损耗、较高功率器件与电路制作的要求。 相似文献
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在 VLSI的金属化中 ,应力引起的失效是个引人关注的问题 ,应力释放形成空洞严重影响器件的可靠性。VLSI工艺实践中 ,发现 Ti/Ti N/Ti/Al/Ti N的金属化结构经过热退火后 ,铝条上出现空洞。对于铝空洞形成机理进行了研究与分析 ,发现张应力的释放是空洞的成因 ;而在热退火时 ,作为浸润层的 Ti与 Al反应生成Ti Al3,引入的应力是形成空洞的主导因素 相似文献
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界面结构对功能薄膜材料的性能起着至关重要的作用。由于界面结合涉及大量原子以及界面间作用的复杂性,因此对薄膜材料的研究不仅要注重其显微结构和界面原子像,而且还要关注其界面的电子结构和性质。TiN薄膜具有诸如高熔点、超硬度、良好的电、热传导性等诱人的特性,是一种很有潜在 相似文献
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本文叙述Ti_XW_(1-X)合金薄膜的制备方法以及不同的TiW组份对Ti_XW_(1-X)/Si势垒高度的影响.结果表明:当TiW组分不同时,TiW/Si接触的势垒高度会在一定的范围内(0.54eV~0.66eV)变化.由于TiW/Si的势垒高度较低,所以在电路中采用TiW/Si SBD则有利于SBD面积的缩小. 相似文献
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文中首次提出在Ni中掺入夹层W的方法来提高NiSi的热稳定性。具有此结构的薄膜,经600℃~800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/□。经Raman光谱分析表明,薄膜中只存在NiSi相,而没有NiSi2生成。Ni(W)Si的薄层电阻由低阻转变为高阻的温度在800℃以上,比没有掺W的镍硅化物的转变温度的上限提高了100℃。Ni(W)Si/Si肖特基势垒二极管能够经受650℃~800℃不同温度的快速热退火,肖特基接触特性良好,肖特基势垒高度为0.65eV,理想因子接近于1。 相似文献