液相外延生长(Hg,Cd)Te的相点移动

本文推导出了富Te熔体液相外延生长(Hg,Cd)Te中,Hg的挥发损耗和生长使母液相点移动的表达式;定量计算了几个设定生长条件下的相点移动参量值,从而讨论了相点移动对液相外延生长的一些影响。     

液相外延生长理论对(Hg,Cd)Te的应用

本文定量讨论了(Hg,Cd)Te体系的绝对分凝系数、扩散系数、临界过冷度和有效分凝系数与生长条件的关系,并计算了富Te熔体液相外延生长8～14μm响应波段材料的生长条件。     

S-192(Hg,Cd)Te阵列的性能

已制成用在S-192实验上性能优异的(HgCd)Te光电导探测器。S-192是美国豪尼威尔公司为国家航宇局的载人宇宙中心所制“空间实验室”飞船的多谱线扫描器,它将自“空间实验室”飞船对地面扫描并分12条近红外波段和1条长波段记下数据。近红外波段由0.4到2.35微米。制出了在2.35微米处比探测度接近或大于8×10~(11)厘米·赫~(1/2)/瓦、时间常数小于1微秒的探测器阵列,在87°K下使用,视场为90°。这些探测器在整个阵列内显出良好的均匀性.采用现代制造工艺制出了清晰度很高的探测器,厚5~10微米,元件间相互隔为25微米.     

阳极生长温度对n—(Hg,Cd)Te纯氧化物的影响

增加Cd_0.23Hg_0.77Te阳极氧化温度,能够大大改善其纯氧化物的绝缘性能。我们首次在50℃的标准乙烯乙二醇——KOH——电解液中生长出了阳极氧化物。这种氧化物的高频(1 MHz)电导率比室温生长的氧化物要低一个数量级。高的击穿电压(1.5MV/cm)和低的滞后位移(50mV)便显示出了上述结果。氧化物的其它参数,如固定电荷和快表面态以及良好的直流电阻率等,实际上保持不变,但低于室温生长的氧化物是极不稳定的。     

n~ -P型(Hg,Cd)Te光电二极管的频率响应

本文对n~ -型(Hg,Cd)Te光电二极管的频率响应提出详细的理论分析,描述用行波调制器测试红外探测器频率响应的方法及其测试系统,给出不同工作状态下和不同杜瓦瓶结构的碲镉汞探测器的高频特性。最后提出高频探测器的设计考虑。     

2～12微米(Hg,Cd)Te光电二极管性能

美国霍尼威尔公司采用n-p结平面工艺制成(Hg,Cd)Te光电二极管及其阵列。工作波段分别为1.55～2.35、3～5和8～14微米;二极管的工作面积从0.001×0.001英寸~2到0.030×0.030英寸~2。这里报导工作面积为0.005×0.005英寸~2二极管的性能。R_0A乘积对温度的关系是个重要性能参数,它决定了探测度给定时的最大工作温度。图1为2微米(Hg,Cd)Te光电二极管阵列的R_0A与温度的关系。在300K,其R_0A乘积为20欧姆-厘米~2。温度下降时,暗电流下降,因而R_0A乘积增大。250K以下时,     

近室温光伏(Hg,Cd)Te探测器温差电流的研究

本文研究近室温光伏(Hg,Cd)Te探测器测试回路中的温差电流。研究结果表明,干冰温度下,温差电流往往比短路电流大得多。因而,在借助V-I曲线分析近室温光伏(Hg,Cd)Te探测器参数时,务须考虑温差电流的影响。     

自富Te溶液液相生长Hg Cd Te的Hg抑制

Hg_(1-x)Cd_xTe是光伏和光导红外光子探测器用的重要半导体材料。Hg_(1-x)Cd_xTe可在大气压下,由500℃、汞蒸汽压低于0.1大气压的富Te溶液液相外延生长得到。这样低的汞蒸汽压使有可能采用开管、滑块生长工艺。本专利提出一加盖的石墨滑移系统,其中有一附加汞源,用来减少源片的汞损失,并有效地防止了(Hg_(1-x)Cd_x)_(1-y)Te_y生长液的汞损失。     

Cd_xHg_(1-x)Te外延层生长时Cd转移的研究

资料[1]对用蒸发-冷凝-扩散法生长Cd_xHg_(1-x)Te外延层之研究表明,外延层的生长取决于碲的冷凝速度。此外,曾假设,外延层的形成不仅是由于HgTe和CdTe的互扩散,而且还由于衬底反面蒸发镉的俘获。本文就此假设作一验证。     

分子束外延生长Hg1-χCdχTe材料原位退火研究

对分子束外延(MBE)生长了Hg1-χCdχTe薄膜材料进行原位退火研究.显微镜观察可知,原位退火可以得到光滑的材料表面,并可以降低材料的腐蚀坑密度(EPD).霍尔测试结果表明,通过调整退火温度和汞束流可以明显地改善Hg1-χCdχTe材料的电学性能.研究表明Hg1-χCdχTe材料的原位退火技术在改善材料的微观结构和电学性能方面有着重要的意义.     

3～5微米(Hg·Cd)Te晶体材料一些光电特性的研究

本文对3～5微米(Hg·Cd)Te原生晶片在不经过复杂处理的情况下,能够测试出晶片有明显的吸收缘存在,由吸收缘可以确定截止波长λ_c,从而确定禁带宽度E_g,因为半导体(Hg·Cd)Te的禁带宽度和组份(x)温度(T)可以用半经验公式描述,可以计算出原生晶片的x值,同时将测试过吸收缘的晶片测电学参数,经这样选择过的晶片能制得波段合适,探测率较高的器件。     

（Hg,Cd）Te薄膜的LPE生长条件与纵向组分分布

根据热力学理论推导出（Ｈｇ，Ｃｄ）Ｔｅ液相色延生长过程中有效分凝系数的表达式并与实验结果进行比较，由此分析了Ｈｇ压、溶液组成、降温国速度及过度等对（Ｈｇ，Ｃｄ）液相外延薄膜纵向组分分布的影响。     

105°K用15.5微米(Hg,Cd)Te光电导红外探测器

1.引言本文是美国亨尼威尔辐射中心根据与国家宇航局Goddard宇宙飞行中心签定的合同(NAS 5-21068)进行研究的最后技术报告。所研究的是在105°K或更高温度下工作的高性能15.5微米(Hg,Cd)Te光电导红外探测器。其设计目的与技术指标如下: (1)在15.5微米处探测度D_λ~*大于5×10~9厘米·赫~(1/2)/瓦; (2)工作温度高于105°K; (3)响应时间小于50微秒。所有的设计要求都得到了满足。另外,还进行了下列测量: (1)D~*与波长的关系(105°K); (2)D~*与探测器温度的关系(在15.5微米处);     

(Hg,Zn)Te红外探测器首次研制成功

用移动熔区法生长的(Hg,Zn)Te晶体制成了光伏探测器。本文首次介绍并讨论了此探测器的特征。     

用淬火固态再结晶法半熔再结晶法和布里奇曼法组合生长Hg_(1-x)Cd_xTe单晶

半熔再结晶法可由低x值的起始试料生长出高x值的Hg_(1-x)Cd_xTe,而其生长温度和Hg蒸汽压远比生长晶体所对应的熔点及其平衡耳g蒸汽压低得多。其生长驱动力是固体和半熔体之间因平均组分和温度不同而存在的化学势差。在熔体和半熔体中没有添加料补充的质量保守系统中,生长着的高组分材料不断将熔体和半熔体的CdTe耗尽,当生长界面的     

布里奇曼法生长Cd_xHg_(1-x)Te的淬火研究

用布里奇曼法慢速生长Cd_xHg_(1-x)Tg(CMT)晶体时,快速淬火可以揭示出淬火时的固/液界面。通过腐蚀纵向剖面而显示出来的界面的形状和厚度,正如利用红外透射测量所确定的那样,与最终径向组分变化有关。在一次淬火的晶体界面上,看到了界面的特征可认为是扩散界层。用光学显微镜和电子微探针分析,确定了界面的厚度。实验结果表明,正如所料,熔体搅拌减小扩散界层厚度。     

1～3微米光谱区用(Hg,Cd)Te光电二极管激光接收器

各种组分的(Hg,Cd)Te灵敏高速光电二极管探测器已制成,用于1～3微米的光谱区。这些探测器工作于室温,量子效率为40～70％,比探测度由1.3微米波长的3×10~(11)厘米·赫~(1/2)/瓦到3微米波长的5×10~9厘米·赫~(1/2)/瓦。冷却光电二极管探测器可改进性能。在77°K下2.2微米波长的比探测度测得为2×10~(12)厘米·赫~(1/2)/瓦,接近背景限。对探测器-前置放大器组件进行了响应时间测量,用的是0.9、1.06及1.54微米的脉冲辐射。响应时间约为10毫微秒,似乎与波长无关,但受RC乘积和放大器频带宽的限制。若光电二极管接一频带很宽的放大器,脉冲响应就被RC之积限制到0.5毫微秒,并测得另一时间常数(约为5毫微秒),据说它是由储存的载流子的渡越时间决定的。     

Hg0.6Cd0.4Te的激子光电导谱

报道了Ｈｇ０．６Ｃｄ０．４Ｔｅ红外光电导谱，在本征吸收边的低能侧观察到束缚激子引起的分立光电导响应