Cu(11O)表面结构的透射电镜原位观察

用高分辨透射电子显微镜中的电子束对Cu(110)表面进行连续照射,随着电子束辐照时间的增加,Cu(110)表面形貌和结构不断变化.当照射时间足够长,样品足够薄时,高分辨电子显微术观察像中可以观察到一些条状衬度.我们认为,这些条状衬度是由 Cu(110)表面化学吸附O形成Cu-O链的结果.     

La—Cu—O催化剂的结构和形貌

研究了La-Cu-O(La/Cu=1.0)催化剂以及用H_2还原,加痕量Pt 后的催化剂,它们的体相和表面结构,表面铜平均价态.测定了这三个催化剂的形貌、晶拉大小和分布.从而得到以低价态Cu~+,Cu~0为主,并且存在痕量Pt 的No(?)3样品对于CO-O_2,NO-CO 反应活性最高的结论.此外,比表面大、晶粒轮廓不规整、有毛刺、晶粒大小分布范围较宽的催化剂,由于提供了更多的活性中心,而有利于提高反应活性.     

利用透射电镜观察聚合氯化铁(PFC)的结构形貌

借助于透射电镜技术，研究了聚合物氯化铁（PFC）的结构形貌，探讨了碱化度B，n(W)/n(Fe）（摩尔比）及熟化时间对PFC结构形貌的影响。结果表明，B值增大可提高PFC（共）样品的聚集度，生成更大的聚合物；n(W)/n(Fe）达到一定值时，可提高PFC（共）的聚合度，吸附架桥能力和混凝效果；在熟化初期，PFC（共）向更高的聚合物形态转化，生成了更高的聚合物，14d后，PFC（共）的聚集体的聚集度开始降低。     

弛豫InAs（110）表面的电子结构理论研究

采用最近邻的紧束缚的ｓｐ＾３．ｓ模型，利用形式散射理论的格林函数方法，计算了ＩｎＡｓ（１１０）弛豫表面的电子结构给出了表面投影能带和Ｍ占的层态密度，分析了产生表面态的原因和轨道特性以及弛豫引起表面态的变化，所得结论与实验和其他理论结果相符合。     

利用透射电镜和扫描电镜观察PDMDAAC系列絮凝剂的结构形貌

借助于透射电镜和扫描电镜技术，研究了聚二甲基二烯丙基氯化铵（PDMDAAC）系列絮凝剂的结构形貌，探讨了絮凝剂的结构形貌与特性黏度、阳离子度之间的关系，以不同的PDMDAAC系列絮凝剂间结构形貌的区别。结果表明：在水溶液中，随着特性黏度的增大，PDMDAAC颗粒变大且相互粘连；P(DMDAAC-AM)逐渐接近PAM的形态；VTMS的引入使絮凝剂颗粒变大。随着特性黏度的增加，絮凝剂的固体表现形貌由松散变得紧密。     

Ag－Cu混合型表面上的SERS效应

用还原法制备了一种Ａｇ－Ｃｕ混合型ＳＥＲＳ表面。通过电镜扫描和ｘ射线能谱分析，讨论了这种混合型表面形貌。在空气中检测了吸附在Ａｇ－Ｃｕ混合表面上的罗丹明６Ｇ的ＳＥＲＳ谱，简单分析了其光谱特征。实验结果表明，这种Ａｇ－Ｃｕ混合型表面可用于ＳＥＲＳ效应。     

氢原子在Cu,Pt（100）,（111）,（110）面上的吸附扩散势能面结…

构成了Ｈ－Ｃｕ，Ｈ－Ｐｔ相互作用的５参数Ｍｏｒｓｅ势、用经典的对势 氢原子在Ｃｕ（１００），Ｃｕ（１１１），Ｃｕ（１１０），Ｐｔ（１００），Ｐｔ（１１１），Ｐｔ（１１０）面上的吸附和扩散，得到了氢原子在６个表面上的吸附位，吸附几何，键能及本征振动等数据和实验结果附和得很好。     

Cu（Ⅱ）钍试剂络合物吸附波

在ＮａＯＨ（０．０３２ｍｏｌ／Ｌ）介质中，钍试剂（Ｔｈｏｒｏｎ简记为Ｔｏｒ）给出一个吸附波，Ｅｐ＝－０．４８Ｖ（Ｖｓ·ＳＣＥ．），在该介质中Ｃｕ－Ｔｏｒ络合物给出一个很灵敏的络合物吸附波，Ｅｐ＝－０．５０Ｖ．峰电流与Ｃｕ（Ⅱ）的浓度在０．０４～０．７２μｇ／ｍＬ范围内成正比。研究了该波的特性与机理。     

用光电子能谱研究甲酸在Cu(110)氧化表面的吸附态

甲酸在洁净Cu(110)表面的吸附态为HCO0~-(a);在氧化后呈现(2×1)和c(6×2)LEED花样的表面,甲酸使表面氧O~(2-)(a)加氢成水脱附,然后以HCOO~-(a)形态吸附在表面.在严重氧化的Cu(110)表面有三层以上的Cu_2O,甲酸将最上层的O~(2-)(a)加氢成水脱附,产生Cu(0)-O-Cu(I)活性中心,使甲酸以H_2CO形态吸附在表面上.由此可见在铜锌铝甲醇合成催化剂中,能与Cu(I)-O配位的Cu(0)原子,是使中间物HCOO~-(a)加氢脱水的活性中心.     

反常弛豫的CuCI(110)表面电子态研究

采用考虑d电子相互作用的spd紧束缚模型描述具有闪矿结构的半导体CuCl的体能带,用形势散射理论方法计算了弛豫的CuCl(110)表面电子结构,给出了表面投影能带结构和表面波矢分辨的层态密度．计算结果表明表面弛豫主要是表面层p-p和p-d的重新杂化而引起的．     

BN(110)弛豫表面电子结构的理论研究

本文利用形式散射理论的格林函数方法，采用考虑最紧邻的sp^3s^*模型描述体带，计算了BN（110）面的电子结构，分别给出了理想表面和驰豫表面的投影带结构和波矢分辨的层态密度，并进行了较详细的讨论。结果表明：BN（110）DM面的电子结构与大多数Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族半导体的（110）面的电子结构定性上是类似的，但在各表面态的能级位置、色散特性和轨道特性等方面均有较大的差别。这与它的反常弛豫有一定的关系。     

NO在Ir(110)表面吸附和解离反应的泛函密度理论

采用密度泛函理论(DFT)和周期性平板模型,考察NO在Ir(110)表面上的吸附、解离及N2生成机理.计算结果表明:NO以N端向下在顶位吸附为最稳定的吸附方式,其次是短桥位,空位吸附最不稳定;顶位吸附的NO在表面存在2条解离通道:1)直接解离通道;2)由初始态扩散到短桥位,继而发生N—O键断裂生成N原子和O原子,是NO在表面解离的主要通道;解离后的N原子经联短桥位共吸附态发生N—N聚合反应生成N2,在表面共存的O原子促进了N2的生成,与实验结果相符.     

Synchrotron radiation photoemission study on growth of gadolinium film over Ni(110) surface

The growth of Gd film on Ni (110) surface was studied by synchrotron radiation photoemission spectroscopy and XPS techniques. It is revealed that in the coverage range of 0–0.22 nm Gd4f core level showed a single-peak structure, therefore Gd film grows over Ni(110) in the layer-by-layer mode. However, when Gd coverage was larger than 0.22 nm the Gd4f peak turned gradually into double-peak and a double-peak structure with 2.3 eV separation was formed at 1.51 nm, meanwhile similar phenomenon was observed in the Gd4d XPS spectra. It is suggested that the double-peak structure of Gd4f was derived from the growth of Gd film in cluster mode and the Gd atomic clusters may exhibit different electronic states from Gd metal owing to their special structures. The Gd4f double-peak e-volved into a single-peak on annealing at 600 K, implying that Gd clusters are thermodynamically unstable.     

扫描隧道显微镜诱导吸附有甘氨酸的Cu(111)表面铜台阶的产生和运动

氨基酸是蛋白质的构成单元,它在金属表面的吸附为研究蛋白质同金属相互作用奠定了基础。吸附了氨基酸的金属表面会发生诸如重构改变或小面化等形貌的变化,但这些变化在吸附了氨基酸的全部金属表面都能够发生。在较大负偏压(|V_b|＞2.5V)的条件下使用扫描隧道显微镜(STM)扫描吸附有甘氨酸的Cu(111)表面,在扫描区域内原有铜台阶的形状发生了变化并产生了新的铜台阶。本文对甘氨酸在铜表面形貌变化中所起的作用进行了讨论。     

HCOOH在电极Pd(110)表面电吸附的密度泛函研究

采用密度泛函理论和周期平板模型相结合方法,对HCOOH分子在Pd(110)表面bridge,bidentate和unidentate三种形态吸附位进行吸附结构、Mulliken布居和振动频率等性质的计算;计算结果表明HCOOH在金属态表面bidentate为最稳定的吸附位,电极表面unidentate为最稳吸附位;HCOOH在电极表面的吸附远大于金属态表面的吸附能,表明电化学反应比普通化学反应容易进行.电极表面吸附的结构和频率分析显示,吸附过程中O—H、C—H键均伸长,v(O—H)键和v(C—H)振动频率均发生明显红移,表明H原子在吸附过程中容易断裂,脱离HCOOH分子.Mulliken电荷布居分析表明在电吸附过程中电子由HCOOH分子向Pd(110)表面进行转移,有利于电催化反应进行.